【产品】800V的N沟道MOSFET SLD80R500SJ系列,适合AC/DC功率转换应用
SLD80R500SJ、SLU80R500SJ、SLP80R500SJ、SLF80R500SJ、SLB80R500SJ、SLI80R500SJ是美浦森推出的N沟道MOSFET,采用Maple semi超级结技术,非常适合AC/DC功率转换等应用。该技术专门为最小化传导损耗,提供优越的开关性能,并在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲而量身定制。
最大额定值方面,这几款产品的漏源电压最大额定值为800V,栅极电压为±30V,连续漏极电流最大额定值为11A(Tc=25℃条件下),脉冲漏极电流为30A,单脉冲雪崩能量为132mJ,静态漏源导通电阻的典型值为0.46Ω,最大值为0.5Ω(@VGS=10V,ID=5.5A),工作温度和存储温度范围为-55℃~+150℃。
依据封装不同,几款产品在功耗和结壳热阻等参数上稍有不同:在Tc=25℃条件下,TO-220F封装器件的耗散功率为31W,其他均为83W;TO-220F封装器件的结壳热阻为4℃/W,其他封装形式为1.5℃/W。
图1 产品图及内部电路图
特点
11A,800V,RDS(on)=0.46Ω(典型值) @VGS=10V
低栅极电荷(典型值38nC)
高耐用性
快速开关特性
100%雪崩测试
增强的dV/dt能力
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