【产品】800V的N沟道MOSFET SLD80R500SJ系列，适合AC/DC功率转换应用
SLD80R500SJ、SLU80R500SJ、SLP80R500SJ、SLF80R500SJ、SLB80R500SJ、SLI80R500SJ是美浦森推出的N沟道MOSFET，采用Maple semi超级结技术，非常适合AC/DC功率转换等应用。该技术专门为最小化传导损耗，提供优越的开关性能，并在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲而量身定制。
最大额定值方面，这几款产品的漏源电压最大额定值为800V，栅极电压为±30V，连续漏极电流最大额定值为11A（Tc=25℃条件下），脉冲漏极电流为30A，单脉冲雪崩能量为132mJ，静态漏源导通电阻的典型值为0.46Ω，最大值为0.5Ω(@VGS=10V，ID=5.5A)，工作温度和存储温度范围为-55℃~+150℃。
依据封装不同，几款产品在功耗和结壳热阻等参数上稍有不同：在Tc=25℃条件下，TO-220F封装器件的耗散功率为31W，其他均为83W；TO-220F封装器件的结壳热阻为4℃/W，其他封装形式为1.5℃/W。
图1 产品图及内部电路图
特点
11A，800V，RDS(on)=0.46Ω（典型值） @VGS=10V
低栅极电荷（典型值38nC）
高耐用性
快速开关特性
100%雪崩测试
增强的dV/dt能力
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