【选型】思瑞浦DDR SDRAM存储器助力工控机,集成功率MOSFET,为DDR终端提供灌电流和源电流
工控机是专门为工业控制设计的计算机,通常会用到DDR SDRAM存储器来存储系统运行时的数据,某客户由于DDR电源设计中用到VTT电压,对电流要求比较大,且要求电源既能吸电流,也能灌电流,因此考虑采用专用的DDR电源芯片进行设计。本文推荐思瑞浦TPL51200-DF8R应用在工控机DDR电源电路。以下是该型号的内部框图:
由图可见,思瑞浦TPL51200-DF8R可为DDR终端提供灌电流和源电流,以及提供用于VTT调节指示的开漏PG信号和VTT放电的EN信号。该器件应用在工控机还有如下特色:
1、输入电压:支持2.5-V、3.3-V和5-V电源轨,支持DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功率DDR3和DDR4 VTT应用;
2、集成功率MOSFET提供给DDR终端的3-A接收器和源电流能力;
3、采用热效率高的10引脚3×3DFN封装,带热垫,支持从-40到+125℃的工作温度范围工作。
综上,思瑞浦TPL51200-DF8R满足工控机DDR VTT总线终端对电源的要求,更多详细参数可查阅数据手册及咨询世强FAE。
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型号- BD7673AG,DTC143TE3,SMLEN3BC8T,DTC014EM,ML7183 [J],KA2004-H05N20A,BM2LB300FJ-C,RCJ220N25,BU7295S,SML-S13UT,BU43XXG SERIES,DTC143TEB,SML-D12V□8□WT86□□□□,RSX101VYM30,BH25RB1WGUT,BD7602GUL,BD82001FVJ-LB,BD12IC0MEFJ-LB,R6002JND4,SDR,BD60A00NUX,RB238NS150,RCX160N20,SML-D12Y8W,SMLA12BN8T,BR25H128,RBE2VAM20A,BD70GA5MEFJ-LB,SML-811UT (A),BM61M41RFV-C,SML-010VT,BD9C301FJ,BU1BTD2,DTA124XM,ECO 200,BD15GC0MEFJ-LB,BM2SC123FP2-LBZ,RS3L110AT,LA-601VB/VL,RB298T100,DTC143TCA,BD18HC0MEFJ-M,BD46EXX1G-M,RSS060P05,BD71L4LG-1,BR25H160,SFR,BR25A512,BD30IC0W,RGPR20BM36HR,BD95821MUV,DTA123JKA,BD6995FV,BH76206HFV,KD2002-G0JB10A,BD8158FVM,BR24HXXX-5AC系列,SML-S13VT,RD3P175SN,BU97941FV,HS8K11,BD53XXG-2M SERIES,RQ5L015SP,BH7673G,SML-811UT (C),SML-Z14Y4T,BD52XXG-2C,BM2P10B3J-Z,BD47XXG SERIES,BD6046GUL,BU7291S,RGW60TS65HR,KDZLV SERIES,SML-Z14UT (C),BUS1DJC0GWZ,BD18HC5MEFJ-M,SML-D12Y3W,BM2P0361K-Z,SMLVN6RGBFU1 (C),LA-301EB/EL,SML-P11YT 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思瑞浦(3PEAK)线性稳压与基准选型表
低压差、高PSRR,低功耗,低噪,最大输出电流(mA):150~3000,更有DDR端供电专用LDO,具有灌、拉电流能力。
产品型号
|
品类
|
Status
|
Rating
|
Package
|
Maximum Output Current(mA)
|
Iq(mA)
|
PSRR @1KHz (dB)
|
Dropout(mV)
|
Input Voltage(V)
|
Accuracy(max)
|
Noise(μVRMS)
|
TPL503133-S5TR
|
LVLDO
|
Production
|
Industrial
|
SOT23-5
|
300
|
0.055
|
70
|
250
|
1.5~5.5
|
±2%
|
178
|
选型表 - 思瑞浦 立即选型
【经验】解析贴片磁珠选型及应用
磁珠用来吸收超高频信号,像一些RF电路,PLL,振荡电路,含超高频存储器电路(DDR SDRAM,RAMBUS等)都需要在电源输入部分加磁珠。本文硕凯电子将介绍贴片磁珠的选型技巧及其应用。
TPL51200-S系列3-A吸电流和源电流DDR终端稳压器
描述- 该资料介绍了TPL51200-S系列3-A Sink and Source DDR Termination Regulator的特性、应用和规格。该系列产品专为DDR内存应用设计,具有支持多种电压轨、高电流处理能力、快速负载瞬态响应等特点,适用于笔记本电脑、台式机、工作站、服务器、网络设备和数据中心等领域。
型号- TPL51200,TPL51200-DF8R-S,TPL51200G-DF8R-S,TPL51200G-S,TPL51200-S SERIES,TPL51200 SERIES,TPL51200-S
【应用】线性稳压器TPL51200-DF8R用在BOX主板DDR的存储电源中,3A灌/源电流保障数据高速稳定传输
某10G BOX产品中主控搭配的存储采用DDR SDRAM以实现加倍数据传输率,数据稳定可靠的高速传输对DDR的供电提出了一些特殊要求,如严格稳压、更高电流等。一般有三路供电,分别为VDDQ、VTT和VREF。为此,笔者推荐了思瑞浦线性稳压器TPL51200-DF8R。
【产品】一款高带宽、高读写速度、高性能的CMOS双倍数据速率同步DRAM(SDRAM)
AS4C4M16D1A是一款由美国Alliance公司推出的高速CMOS双倍数据速率同步DRAM(即SDRAM),该款内存如图1所示,可分为商用款和工业款两种,商用款(AS4C4M16D1A-5TCN)的工作温度范围为0~70°C,工业款(AS4C4M16D1A-5TIN)为了符合工业应用的要求,温度范围为-40~85°C。可满足需要高存储器带宽和高性能应用的要求。
【应用】支持多个电源轨的LDO助力无人机信号侦测设备FPGA控制系统的DDR供电,灌/拉电流能力高达3A
为保证数据高速传输过程中的稳定可靠,DDR的供电要求也要特殊一些,思瑞浦为此设计了一款专为DDR供电的LDO-TPL51200-DF8R。本文将介绍TPL51200-DF8R在无人机信号侦测设备FPGA控制系统中的应用。
AS4C8M16D1 8M x 16 DDR同步DRAM(SDRAM)
描述- 该资料详细介绍了AS4C8M16D1型DDR同步动态随机存取存储器(SDRAM)的技术规格和应用。它具有高速时钟频率、双向数据选择、可编程模式寄存器和扩展模式寄存器等特点,适用于高带宽和高性能要求的系统。
AS4C32M16D1A-5TAN 32M x 16 bit DDR Synchronous DRAM (SDRAM)
描述- 该资料介绍了AS4C32M16D1A-5TAN型DDR SDRAM的特性、引脚分配、操作模式、时序波形等内容。该芯片是一款高速CMOS双倍数据率同步动态随机存取存储器(SDRAM),内部配置为四组8Mx16位DRAM,具有高时钟速率、差分时钟CK & CK、双向DQS等特点,适用于高性能主内存和图形应用。
型号- AS4C32M16D1A-5TAN,AS4C32M16D1A
Alliance Memory AS4C64M32MD1 DDR Synchronous DRAM数据手册
描述- 该资料为AS4C64M32MD1型移动式同步动态随机存取存储器(SDRAM)的数据手册。介绍了其技术规格、功能特性、操作条件和应用范围。
型号- AS4C64M32MD1-5BCN,AS4C64M32MD1,AS4C64M32MD1-5BIN
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服务
深圳市启威测实验室,面向所有企业提供信号完整性测试服务,主要包括USB、HDMI 、DP、MIPI、PCIe 、SD/EMMC、DDR接口信号测试。测试手段有波形测试、眼图测试、抖动测试等。
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可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
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