【产品】集成驱动器的N沟道功率MOSFET XTR20410系列,支持工作温度范围远超于-60℃~+230℃

2023-05-19 EASII IC
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EASII IC推出的一系列极为灵活的N沟道功率MOSFET XTR20410,器件集成驱动器,专为DC/DC转换器,电机控制和电源开关应用等须具有极端可靠性和高温要求的应用而设计。当用于接收相对于GND的控制输入信号时,器件可用作高侧开关(最大35V),低侧或者低压侧开关(在源极到电压负极输出端支持最大-30V负补偿)。器件可以由任意5V数字输出引脚直接驱动控制,使其完全成为即插即用的器件,以避免用户对驱动器和功率晶体管之间的匹配网络进行任何耗时的优化。

XTR20410系列器件有两个不同的裸芯片组成,且每个裸芯片具有不同的最大输出电流,该系列器件对开关应用中与寄生电感器和快速瞬变相关的常见峰值具有鲁棒性。该系列器件的特点包括驱动器输出控制的UVLO、具有软关闭功能的输出晶体管的去饱和保护以及支持选择设置控制信号反转等。


XTR20410系列器件可支持在-60℃~+230℃的温度范围内保证完全正常工作,尽管其也可以在远低于和高于该温度范围正常工作。器件旨在通过缩短学习曲线并提供智能且易于使用的功能来降低系统成本并易于采用。器件支持可靠的SMD及通孔外壳封装,也可提供裸片。


器件特点

  • 工作温度范围远超于-60℃~+230℃

  • 可作为低侧或高侧开关稳定工作

  • 输入端到输出端的电平转换电压从-30到+35V

  • 标准施密特-触发器CMOS输入

  • 支持反相和同相版本器件

  • 即插即用,支持任意5V数字输出引脚直接驱动控制

  • 支持过电流(去饱和)保护特性

  • 支持软关断功能

  • 输出端支持欠压锁定的UVLO保护特性

  • 低漏-源导通电阻:

    XTR20411: 1130 mΩ @ 230°C

    XTR20412: 330 mΩ @ 230°C

  • 高峰值电流能力:

    XTR20411: 3.6A @ 230°C

    XTR20412: 8.1A @ 230°C

  • 低导通和关断时间(230nS和280nS@230℃)

  • 采用单片集成设计

  • 无闩锁效应

  • 支持可靠的SMD及通孔外壳封装

  • 也可作为裸片提供


器件应用领域

  • 对可靠性要求至关重要的应用领域

  • 汽车应用

  • 航空航天

  • 井下应用

  • DC/DC转换器

  • 电机驱动

  • 开关电源

  • 开关控制


最大绝对额定值

器件绝对最大额定参数如下所示:

  • 漏极-源极电压范围为:-1.5~45V;

  • IN脚&VDD脚到GND电压范围为:-0.5~6.0V;

  • PVDD脚到源极电压范围为:-0.5~7.5V;

  • 源极到GND电压范围为:-1~40V(XTR20411AXTR20412A);

  • 源极到GND电压范围为:-35V~40V(XTR20411BXTR20412B);

  • 存储温度范围为:-70°C~+230℃;

  • 工作结温范围为:-70°C~+300℃;

  • ESD分类等级为:1kV HBM MIL-STD-883

注:超过“绝对最大额定值”中列出的应力可能会对器件造成永久性损坏。这些参数仅为应力额定值,不表明器件在这些条件或规范操作部分所示条件以外的任何其他条件下的功能。长时间工作在“绝对最大额定值”条件下可能会永久影响器件的可靠性。


系统框图



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