【产品】30V/9A的N沟道增强型场效应晶体管YJJ09N03A，采用沟槽功率低压MOSFET技术
扬杰科技专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。其推出的N沟道增强型场效应晶体管YJJ09N03A,采用SOT-23-6L封装，使用先进的沟槽栅低压功率MOSFET技术生产,和高密度单元设计以实现低RDS(on)，适合应用于高速开关。
产品图和内部电路图
主要参数值：
漏源电压最大额定值为30V
漏极电流（TA=25℃）可达9A
静态漏源导通电阻不超过15mΩ（VGS=10V）
静态漏源导通电阻不超过18mΩ（VGS=4.5V）
脉冲漏极电流最大额定值50A
总耗散功率最大值（TA=25℃）为1.25W
结温和存储温度范围均为-55~+150℃
结到环境热阻最大额定值为100℃/W
应用领域
●电池保护
●负载开关
●电源管理
订购信息
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