【产品】30V/9A的N沟道增强型场效应晶体管YJJ09N03A，采用沟槽功率低压MOSFET技术
扬杰科技专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。其推出的N沟道增强型场效应晶体管YJJ09N03A,采用SOT-23-6L封装，使用先进的沟槽栅低压功率MOSFET技术生产,和高密度单元设计以实现低RDS(on)，适合应用于高速开关。
产品图和内部电路图
主要参数值：
漏源电压最大额定值为30V
漏极电流（TA=25℃）可达9A
静态漏源导通电阻不超过15mΩ（VGS=10V）
静态漏源导通电阻不超过18mΩ（VGS=4.5V）
脉冲漏极电流最大额定值50A
总耗散功率最大值（TA=25℃）为1.25W
结温和存储温度范围均为-55~+150℃
结到环境热阻最大额定值为100℃/W
应用领域
●电池保护
●负载开关
●电源管理
订购信息
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扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
|
产品型号
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品类
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Package
|
Status
|
ESD
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Configuration
|
Type
|
VDSS(V)
|
ID(A)
|
PD(W)
|
VGS(V)
|
Tj(℃）
|
Vth_Typ(V)
|
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Coss_Typ(pF)
|
Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
Grade
|
|
2N7002
|
MOSFET
|
SOT-23
|
Active
|
No
|
Single
|
N
|
60
|
0.34
|
0.35
|
±20
|
150
|
1.5
|
1200
|
2500
|
1300
|
3000
|
27.5
|
2.75
|
1.9
|
1.6
|
Standard
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现货市场
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