【技术】晶通多沟道斜向三栅技术,开发新型高效的GaN纳米线电力电子器件,可大大降低器件的导通电阻
近日,晶通团队成员马俊博士与科研团队,在Nature Electronics发表了题目为“Multi-channel nanowire devices for efficient power conversion”的研究论文,报道了基于多沟道技术和宽禁带半导体氮化镓(GaN)的新型纳米电力电子器件。该技术是电力电子领域和宽禁带半导体领域的重大进步,有望显著提升能量转换效率。
半导体电力电子器件是电能转换的核心元件,其击穿电压和导通电阻分别决定了电能转换的功率等级和能量效率。传统电力电子器件的导通电阻越大,导致较高的损耗和碳排放。
该研究基于原创性的多沟道斜向三栅技术,开发了新型高效的GaN纳米线电力电子器件,可以大大降低器件的导通电阻。该技术融合了两项关键创新:第一项是在元件中建立几个并行导电通道以减小电阻,就像在高速公路上增加新车道一样,让交通更加顺畅;第二项创新涉及使用斜向三维栅结构,通过独特的斜向漏斗状结构使15纳米宽的线条能够承受超过1,200V的电压而不被击穿。得益于这两项创新的结合——允许更多电子流动的多通道设计以及调控纳米线电场分布的斜向三栅结构——新型器件可以在大功率系统中提供更高的能量效率,综合性能是文献中最好的GaN电力电子器件的两倍。
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型号- WS4A020120A,WS4A050065D,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A020120B-V,WS4A020120B,WS4A020120D,WS4A040120K,WMIT075M120B1A,WS4A040120D,WM2HA020065Y,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WS4A030065D,WS4A020120J,WS4A040120B-V,WS4A020120K,WS4A030065J,WS4A025170B,WS4A025170D,WS4A030065B,WM2A030065L,WM2A030065K,WS4A030065K,WS4A050170B-V,WMD075M120B1A,WM2HV020170L,WS4A006065F,WM2HV020170K,WS4A006065E,WS4A004065A0,WS4A006065B,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A015065J,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A015065F,WS4A010065B,WM2A080170N,WM2A080170L,WM2A080170K,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WM2HV040065N,WM2A060065L,WS4A050170B,WM2A060065Y,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WS4A050170D,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2HV020120N,WM2HA020120N,WM2HV020120K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WS4A015120D,WM2V080170K,WS4A050065B-V,WS4A005120A,WS4A005120B,WMH016M120A1A,WM2V080170L,WM2HA040065N,WM2V080170N,WM2HA040065L,WM2HA040065K,WS4A020065A,WS4A020065D,WS4A020065B,WM2HV030120K,WS4A020065B-V,WM2HA040065Y,WS4A020065F,WS4A015120A,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WMH060M120A1A,WM2HA011075K,WM2HA011075L,WM2HA04006Y,WM2HV030120N,WS4A060120D,WS4A020065K,WM2HV030120L,WS4A020065J,WM2HA024200LP,WS4A060120K,WM2V040170L,WM2V040170N,WS4A025170B-V,WM2V040170K,WMH080M170A1A,WS4A030120K,WS4A030120B-V,WM2HV060120L,WM2HV060120K,WM2HV060120N,WMIT040M120B1A,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WS4A200120T,WMT040M120B1A,WM2HA240120N,WS4A010120E,WS4A004065F0,WS4A010120D,WS4A010120B,WS4A010120A,WM2A050330L,WM2HA240120E,WS4A008065B,WM2HV040120L,WS4A060065K,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2HA140120N,WS4A050120D,WS4A050120B,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2HV016120K,WM2HA020170L,WS4A010120J,WM2HA020170K,WS4A040065K,WS4A050120B-V,WMH060M075A1A,WS4A015065A,WS4A015065B,WM1A650170N,WM1A650170K,WM2A075120K,WM2A075120L,WM2A075120N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2V020065L,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V075120N,WM2HA060120K,WM2V075120K,WM2HA060120L,WM2V075120L,WM1A080120K1,WM2HA060120N,WM2HV075120L,WM2HA020065K,WS4A030065B-V,WM2HA020065L,WM2A040170K,WM2A040170L,WM2A040170N,WM2HA016120L,WM2HA016120K,WM2HA020065N,WM2HA016120T,WM2A060090N,WMH020M120A1A,WM2A060090K,WM1A080120L1,WM2A060090L,WM2A100200LP,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2A050200LP,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A01K170N,WS4A030120B
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【选型】中电国基南方SiC电力电子器件(SiC MOSFET/SiC SBD)选型指南(英文)
目录- Company profile SIC MOSFET/SIC SBD Introduction SIC MOSFET SIC SBD
型号- WM1A280120B,WM1A030065K,WS4A004065WB,WM2A017065B,WM1A030065L,WS3A003065E,WM1A080170B,WS3A003065A,WS3A050120D,WM1A160065B,WS3A015065F,WM1A01K170B,WS3A015065J,WS3A010170A,WM1A080170K,WS3A003065J,WM1A080170L,WS3A008120E,WS4A002065WB,WM1A280120N,WS3A008120A,WM1A280120K,WS3A030120K,WS4A008065A,WS3A030120D,WM1A025120K,WM1A025120L,WS3A008120J,WS3A060120K,WS4A008065E,WSXAXXXXXX0,WS4A012065A,WS4A004065E,WS3A005120J,WS3A003120A,WS3A005120E,WS3A003120E,WS3A020120J,WM1A045170K,WM1A045170L,WM1A080120K,WS3A020120D,WS3A020120A,WS3A010065J,WM1A045170B,WS4A002065A,WS4A006065E,WM1A080120B,WS3A002330D,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A010065A,WS3A016120K,WM1A080120N,WS3A020120K,WS3A005120A,WS3A008065E,WS3A008065F,WS3A003120J,WS3A012065J,WS3A012065K,WS3A008065A,WM2A025120B,WS3A008065J,WS4A004065A,WS3A004065A,WS3A012065F,WS3A012065D,WS3A012065E,WS3A005170A,WS3A012065A,WS3A020065J,WM1A120065K,WS3A020065F,WS3A020065D,WS3A006065E,WS4A012065WB,WS3A006065F,WS3A020065A,WS3A010120J,WS3A002065A,WS3A010120K,WM1A120065N,WS3A006065J,WS3A015120A,WS3A002065F,WS3A015120D,WS3A002065E,WS3A010065D,WS3A010065E,WS3A002065J,WS3A025650B,WS3A006065A,WS3A010065F,WS3A040065K,WS3A016065K,WS4A008065WB,WS3A010065A,WS3A001330D,WS3A020065K,WS3A012120K,WS4A010065WB,WM1A017065L,WM1A017065K,WS3A004065J,WS3A030330K,WM2A030065B,WM2A060065B,NSD10220S,WS3A004065E,WS3A004065F,WM1A060065L,WM1A060065K,WM1A060065N,WMXAXXXXXX0,WM1A01K170N,WM1A040120L,WM1A040120K,WS3A002120A,WS3A006120E,WS3A002120E,WM1A01K170K,WS3A006120J,WS3A015065A,WS3A015065D,WM1A160120B,WS3A010120D,WS3A002120J,WS3A010120E,WS3A015120E,WM1A160120N,WS3A024065K,WS3A006120A,WS3A015120J,WM2A120065B,WM1A160120K,WS3A040120K,WS3A010120A,WM1A040120B,WS3A030065A,WS3A005330D,WS4A020065K,WS3A030065J,WS4A006065WB,WS3A030065K,WS4A016065K,WS3A030065D,WS3A030065F,WS3A060065K
Rely On Rogers | 罗杰斯电力电子解决方案助力智能电网可靠高效运转
ROGERS罗杰斯在智能电网中,通过curamik®高效陶瓷基板和ROLINX®高可靠母线排,显著提升设备效率与可靠性。curamik®基板以卓越导热、高绝缘及低热膨胀特性,保障电力电子器件稳定运行;ROLINX®母线排则凭借低电感、高功率密度设计,实现高效配电。罗杰斯以创新技术助力智能电网发展,提供定制化解决方案,满足复杂电力需求。
【选型】扬杰科技(YANGJIE)MOSFET(中低压/高压)选型指南
目录- 产品特点与应用 中低压MOSFET 高压MOSFET 封装尺寸图与焊接尺寸图 包装形态与可靠性测试项目
型号- YJB70N10A,YJD80G06A,YJ4N70Z,2N7002A,YJ12N65Z,YJQ2012A,YJC2007A,YJD25N15B,YJD90N02A,YJS2301A,YJS4435A,YJ8N60Z,YJQ55P02A,YJS4407B,2N7002KW,YJQ3400A,YJQ40P03A,YJS4407A,YJ2N65Z,YJL02N10A,YJD20N06A,YJS12N03A,2N7002K,YJP70N10A,YJL2303A,YJS10N02A,BSS123W,YJS8205B,YJSD12N03A,YJS05N06A,YJG30N06A,YJL3404A,YJL3416A,YJG80G06A,YJQC602B,YJS03N10A,YJL2304A,2N7002,YJQ1216A,YJS18N03A,YJ4N80Z,YJP25N15B,YJQ30N03A,YJQ53G06A,YJL3415A,YJQ10N02A,YJS15G10B,YJL2301G,VJG50N03A,BSS84,YJL2301F,YJL2301C,YJL2301D,YJL3407AL,YJD40G10A,YJ4N65Z,YJ7N60Z,YJP150N06AC,YJQ4666B,YJ10N65Z,2N7002W,YJQD30P02A,YJS4606A,YJL2302B,YJL05N04A,YJL2302A,YJS12N10A,YJQ03P02A,BSS123,YJL3401A,YJS05N15B,YJS2305A,YJD60N04A,YJQ20N04A,YJL03N06B,YJ12N60Z,YJL03N06A,YJD15N10A,YJQ35N04A,YJB150N06C,BSS138,YJ2N60Z,YJ7N70Z,YJL3400A,YJQ3622A,YJS7328A,YJS2022A,YJS9435A,YJD40N04A,YJD45P03A,YJS4438A,YJ10N70Z,YJD30N02A,YJL2312A,YJG105N03A,YJ8N65Z,YJS3404A,YJD100G10A,YJ4N60Z,YJD60N02A,YJQ3415A,YJ7N80,YJ7N65Z,YJQ35G10A,YJS12G06A,2N7002KDW,YJG53G06A,YJG20N06A,YJS10N04A,YJ12N70Z,YJL3401AL,YJL2305A,YJL2305B,YJG15N15B,YJG18N10A,YJL03G10A,YJG130G04A,YJG85G06A,YJL07P03AL,VJL2300A,YJL3407A,YJS4953A,YJ10N60Z,YJQ2301A,YJD80N03A,YJD50N03A,YJD80N03B,YJQ50N03B
萨科微双向可控硅BTA08-800B,反向工作电压800V,适用在电力控制和开关电路中的应用
萨科微电子的双向可控硅BTA08-800B是一种高性能电子器件,具有双向导通能力,并可实现对双向电流的控制和调节。该器件适用于各种中功率电子设备和应用场景,被广泛应用于电力控制和开关电路等领域。本文将介绍BTA08-800B的特点、参数以及应用领域。
SiC 电力电子器件产品简册
型号- WS4A020120A,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A030120K,WS4A020120B,WS4A020120D,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WMT040M120B1A,WS4A040120K,WS4A004065F0,WS4A010120E,WMIT075M120B1A,WS4A010120D,WS3A010170D,WS4A040120D,WS4A010120B,WS3A010170B,WS4A010120A,WM2HA050200K,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WM2V060075L,WS4A030065D,WM2HA040170N,WM2HA050200L,WM2HA100200L,WS4A020120J,WS4A020120K,WM2HA040170L,WM2HA050200N,WM2HA040170K,WM2HA100200K,WS1A025650B,WS4A008065B,WM2HV040120L,WM2HA100200N,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WS4A030065B,WM2A030065N,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2A030065L,WM2HA140120N,WM2A030065K,WS1A030330D,WS1A030330B,WMD075M120B1A,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2A030065Y,WM2HA080170N,WM2HA080170K,WM2HA080170L,WM2HV016120K,WS4A006065F,WS4A006065E,WM2HA020170L,WS4A004065A0,WS4A010120J,WS4A006065B,WM2HA020170K,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A040065K,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A010065B,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HA040120T,WM2HA025200L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA025200K,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WMH060M075A1A,WM2HV040065N,WM2A060065L,WM2HA030120T,WM2A060065Y,WS1B001500V,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2A040120N,WM1A650170N,WM2HV020120K,WM1A650170K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WM2A075120K,WS4A015120D,WM2A075120L,WS3A001330F,WM2A075120N,WS3A001330B,WS4A005120A,WS4A005120B,WM2HA040065N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2HA040065L,WM2V020065L,WM2HA040065K,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V040120N,WS4A020065A,WM2HA024200K,WM2V075120N,WS4A020065D,WM2HA024200L,WM2V075120K,WM2A050330B,WM2V075120L,WS4A020065B,WM2HV030120K,WM1A080120K1,WM2HA040065Y,WTSD1A25170D,WM2HA020065L,WS3A050170D,WS3A050170B,WM2HA016120L,WS3A002120A,WS4A015120A,WM2HA016120K,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WS3A002120E,WM2HV020065L,WM2HA016120T,WM2A060090N,WM2A060090K,WM2V030065N,WM1A080120L1,WM2V030065L,WM2A060090L,WM2V030065K,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2HV030120N,WS4A020065K,WM2HV030120L,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A160650B,WM1A01K170N,WS4A030120B
【选型】中电国基南方SiC SBD裸芯片/二级管选型指南
目录- SiC SBD裸芯片 三代650V二级管 三代1200V二级管 三代1700V二级管/一代2000V二级管
型号- WS3A003065E,WS3A003065B,WS3A003065A,WS3A050120D,WS3A050120B,WS3A015065F,WS3A015065J,WS3A010170D,WS3A010170B,WS3A003065J,WS3A030120B,WS3A008120E,WS3A008120A,WS3A008120B,WS3A030120K,WS3A030120D,WS3A008120J,WS3A060120K,WS3A005120J,WS3A003120A,WS3A003120B,WS3A005120E,WS1A030330B,WS3A003120E,WS3A020120J,WS1A025170B,WS3A020120D,WS3A020120B,WS3A020120A,WS3A010065J,WS2A015120B,WS3A016120K,WS3A020120K,WS3A005120A,WS3A005120B,WS3A008065E,WS3A008065F,WS3A012065J,WS3A003120J,WS3A012065K,WS3A008065A,WS3A008065B,WS3A008065J,WS3A004065A,WS3A004065B,WS3A012065F,WS3A005170D,WS3A012065D,WS3A012065E,NSD10220B,WS3A012065B,WS3A005170B,WS3A012065A,WS3A020065J,WS3A020065F,WS3A020065D,WS3A020065B,WS3A006065E,WS3A006065F,WS3A020065A,WS3A002065B,WS3A010120J,WS3A002065A,WS3A010120K,WS3A015120B,WS3A006065J,WS3A015120A,WS3A002065F,WS3A015120D,WS3A002065E,WS3A010065D,WS2A040120B,WS3A010065E,WS3A010065B,WS3A002065J,WS3A015170B,WS3A006065A,WS3A006065B,WS3A015170D,WS3A010065F,WS3A040065K,WS3A016065K,WS3A010065A,WS3A020065K,WS3A012120K,WS3A004065J,NSD10220S,WS3A004065E,WS3A004065F,WS3A050170D,WS1A050065B,WS3A050170B,WS3A002120A,WS3A006120E,WS3A002120B,WS3A015065B,WS3A002120E,WS3A015065A,WS3A006120J,WS3A015065D,WS3A010120D,WS3A002120J,WS3A010120E,WS3A015120E,WS3A010120B,WS3A024065K,WS3A006120A,WS3A015120J,WS3A006120B,WS3A040120K,WS3A010120A,WS3A030065A,WS3A030065B,WS3A030065J,WS3A030065K,WS3A030065D,WS3A030065F,WS3A060065K
中电国基南方亮相2024世界半导体大会,全面展示GaN射频功率器件、SiC电力电子器件和模块等产品
2024年6月5日-7日,2024世界半导体大会暨南京国际半导体博览会在南京隆重举办,中电国基南方、55所受邀参展。本次展会上,国基南方、55所围绕射频电子、功率电子、光电显示与探测重点产业板块,全面展示包括GaN射频功率器件、GaAs射频芯片、SOI射频开关、声表滤波器和晶体材料、SiC电力电子器件和模块、微显示OLED器件和AR光学模组、封装外壳等在内的最新技术产品
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可定制UV胶的粘度范围:150~25000cps,粘接材料:金属,塑料PCB,玻璃,陶瓷等;固化方式:UV固化;双固化,产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
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可定制丙烯酸酯胶粘剂的粘度范围:250~36000 mPa·s,硬度范围:50Shore 00~85Shore D,其他参数如外观颜色,固化能量等也可按需定制。
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