【产品】用于功率转换的新型650V和1200V碳化硅肖特基势垒二极管,具有零反向恢复电流
PANJIT半导体推出了最新的通孔型TO-220AC封装的650V和1200V碳化硅肖特基势垒二极管系列,额定电流范围从4A至20A。与基于硅的器件相比,它们具有更出色的开关性能和更高的可靠性。
新的SiC肖特基势垒二极管具有零反向恢复电流,低正向压降、与温度无关的开关特性、高浪涌电流能力和出色的热性能的特点,可在-55°C至+ 175°C的工作温度范围内提供较低的传导损耗,并保证器件的稳定性及高耐用性。
在设计功率转换电路时,包括PV逆变器、EV充电桩、工业电机、电信和服务器电源以及家用电器,工程师往往需要面临以更小的占板面积提供更高的系统能效的挑战。PANJIT推出的该650V和1200V新型碳化硅肖特基势垒二极管,正是下一代电源系统设计的理想解决方案。
特征:
•低传导损耗
•零反向恢复电流
•与温度无关的开关特性
•高浪涌电流能力
•高耐用性
•结温高达175°C
目标应用:
电源系统:服务器电源、电信电源、PC电源
绿色能源:PV逆变器、ESS/BMS
工业:EV充电桩、UPS、工业电机
消费业:家用电器、数字电视
性能:
温度系数
系统评估:
800W CCM Boost PFC,Vin = 110Vac/60Hz, Vout = 400V, Fsw = 65kHz
SiC SBD产品阵容:
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型号- PCDB0665G1,PCDB10120G1,PCDE1065G1,PCDD0665G1,PCDH20120CCG1,PCDP08120G1,PCDD05120G1,PCDP05120G1,PCDE0865G1,PCDE10120G1,PCDD10120G1,PCDP0665G1,PCDB0465G1,PCDE0465G1,PCDH40120CCG1,PCDB0865G1,PCDH30120CCG1,PCDP1065G1,PCDP1665G1,PCDP10120G1,PCDP0865G1,PCDP2065G1,PCDH4065CCG2,PCDH2065CCG1,PCDH3065CCG1,PCDH4065CCG1,PCDD08120G1,PCDD0865G1,PCDP0465G1,PCDD0465G1,PCDD1065G1,PCDE0665G1,PCDP20120G1,PCDB1065G1,PCDP15120G1,PCDE20120G1,PCDP1265G1,PCDB20120G1
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型号- DCGT15D120G4
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型号- PCDB0665G1,PCDP1665G1,PCDP10120G1,PCDP0865G1,PCDB10120G1,PCDP2065G1,PCDP0465G1,PCDP08120G1,PCDP05120G1,PCDP0665G1,PCDB0465G1,PCDP20120G1,PCDB1065G1,PCDB0865G1,PCDP1065G1,PCDP15120G1,PCDP1265G1,PCDB20120G1
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DCE20D65G4 20A 650V SiC肖特基势垒二极管
描述- 该资料介绍了DCE20D65G4型号的碳化硅肖特基势垒二极管。该产品适用于高频应用,具有高效率和可靠性,主要特性包括高电压、零反向恢复电流、零正向恢复电压、正向电压正温度系数和175°C的工作结温。
型号- DCE20D65G4
PCDP10120G1碳化硅肖特基势垒二极管
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型号- PCDP10120G1
强茂(PANJIT)碳化硅二极管选型表
SiC Diodes,VRRM = 650 - 1200V, IF = 2 - 40A,高导热材料材料让元件在高温运转仍可保持良好特性,同时兼具「高耐压」,「低导通电阻」,「高速」,提高整体电路设计效能。已开发 650V 与 1200V 相关的品料, 适合工业电源供应与车用电子的高稳度与低需求需求。
产品型号
|
品类
|
Package
|
Product Status
|
Replacement Part
|
AEC-Q101 Qualified
|
VRRM(V)
|
IF(A)
|
VF Typ.(V)
|
@IF(A)
|
IR Max.(µA)
|
@VR(V)
|
PD(W)
|
QC(nC)
|
PCDH2065CCG1
|
SiC Diodes
|
TO-247AD-3LD
|
New Product
|
-
|
-
|
650
|
20
|
1.5
|
10
|
70
|
650
|
98
|
24
|
选型表 - PANJIT 立即选型
DCD10D65G4 10A 650V SiC肖特基势垒二极管
描述- 该资料详细介绍了DCD10D65G4型碳化硅肖特基势垒二极管的产品特性、电气特性、应用领域以及产品规格。该二极管适用于高频应用,具有高电压、零反向恢复电流、零正向恢复电压等特性,适用于开关电源、功率因数校正、电机驱动等领域。
型号- DCD10D65G4
LSIC2SD120N120PA 1200 V,2x60A SIC肖特基势垒二极管
描述- 本资料为LSIC2SD120N120PA碳化硅肖特基二极管的数据手册。该器件具有1200伏重复峰值反向电压和2x60安培正向电流,适用于功率转换器、太阳能逆变器、不间断电源、工业电机驱动器等领域。
型号- LSIC2SD120N120PA
DCCT40D120G4 40A 1200V SiC肖特基势垒二极管
描述- 该资料详细介绍了DCCT40D120G4型碳化硅肖特基二极管的产品特性、电气特性、应用领域以及产品规格。该二极管适用于高频应用,具有高电压、零反向恢复电流、零正向恢复电压等特性,适用于开关电源、功率因数校正、电机驱动、光伏逆变器、风力发电站等领域。
型号- DCCT40D120G4
SCSB8A650J 8A,650 V功率肖特基碳化硅二极管
描述- 本资料介绍了Formosa MS品牌的SCSB8A650J功率碳化硅肖特基势垒二极管。该器件具有零反向恢复电流、零正向恢复电压等特点,适用于开关电源、功率因数校正、电机驱动等领域。
型号- SCSB8A650J,SCSB8A650J-H
PCDP0865GB碳化硅肖特基势垒二极管
描述- 本资料详细介绍了PCDP0865GB碳化硅肖特基势垒二极管的产品特性、电气特性、典型特性曲线、机械数据、应用领域以及包装信息。该二极管适用于PFC、UPS、光伏逆变器、电动汽车充电站、焊接机等应用。
型号- PCDP0865GB
电子商城
品牌:PANJIT
品类:ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格:¥0.0900
现货: 16,490
品牌:PANJIT
品类:NPN GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
价格:¥0.0490
现货: 15,940
现货市场
服务
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数,电压1.5-37V,电流5-150mA,波长470-940nm。
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可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品,尺寸:0.6*0.3mm-3.2*2.7mm,波长:405-940nm,亮度:24-750mcd,电压:1.5-3.5V。
最小起订量: 3000 提交需求>
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