【产品】采用零失真™技术的射频放大器,比GaAs技术等射频半导体更有优势

2019-05-12 Renesas
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IDT射频放大器产品系列不论在差分或单端输入阻抗的条件下都可提供不同增益、噪声和线性特性。与简单增益放大器模块相比,该产品采用零失真™技术,以非常低的电流消耗来实现较大的三阶截取点(IP3)。此外,射频放大器具有多个输入和输出端口,并且其内置宽带巴隆可支持宽带应用。为了保证设备工作可靠,产品的SiGe放大器模块使用无源集成设备(IPD)并且采用高容量QFN封装。图1所示为6GHz以下使用F0424宽带放大器的系统框图。

图1 6GHz以下使用F0424宽带放大器的系统框图


IDT射频放大器采用如GaAs技术等射频半导体的前沿技术来保证产品更具优势,相比市场其他产品,该射频放大器因为可以免疫较高的静电放电(ESD)并且属于MSL1敏感水平,使得其制造更具稳定性。并且低温时其漏端电流较小保证了更高的可靠性,同时产品拥有高层次的集成度可以降低成本。


此处将介绍产品的核心技术——零失真™技术,IDT器件通过降低地面噪声和IM3互调失真来提高信噪比,如图2黄色曲线所示。这种方法在有限的频谱环境中非常有效,它不但提高了服务质量,而且释放了未充分利用的频谱,使得通信更加稳定。


图2 零失真™技术



特性:

•基于硅来改善ΘJC以及第二类ESD

•宽频带内增益值平坦

•Zero-DistortionTM技术

•不同工作状态下性能不变

•电压和温度变化对增益影响小


应用:

•无线基站

•中继器和DAS

•点对点的基础设施

•公共安全基础设施

•军事通信

•工业设备

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