【产品】256字节EEPROM GT23SC4442,具有写保护功能和可编程安全性,编程时间2.5ms
GT23SC4442包含256×8位EEPROM主存存储器和32×1位保护PROM存储器。主存可以逐字节随机访问。在内存擦除期间,字节的所有8位都设置为逻辑1。在内存写入期间,根据写入的数据值,将单个位设置为逻辑0。通常,数据更改可能包含擦除和写入操作。写入或擦除操作至少需要2.5ms才能完成。
内存中的前32个字节(地址:0至31)由32×1位保护内存中相应的32个保护位不可逆地保护。32个保护位是一次性可编程的,一旦设置为逻辑0,就不能被擦除。
GT23SC4442提供3位错误计数器(EC)和3字节可编程安全码(PSC),以防止对内存未经授权的擦除/写入操作。芯片通电后,除PSC外的所有内存都可以读取。但是,只有在输入PSC并验证其正确后,才能写入或擦除内存。在连续三次PSC验证失败后,错误计数器会锁定芯片,防止进一步尝试,并且内存永远无法(被)擦除或写入。
产品特性:
标准CMOS工艺
256×8位EEPROM配置
字节寻址
最低32地址(字节0..31)不可逆的字节写入保护
用于内存写入/擦除保护的3字节可编程安全码(PSC)
用于读取和写入/擦除的2.7-5.5V电源
低功耗工作:3mA典型工作电流
2.5ms编程时间
2线串行接口
处理结果指示
兼容ISO标准和7816
高可靠性:
—100万次擦除/写入周期保证
—10年数据保留
宽工作温度范围
从-30℃至+75℃
电气特性
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产品型号
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品类
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Density
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Memory organization
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Vcc(V)
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Speed(Hz)
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封装
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GT24C02-3GLA2-TR
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EEPROM
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2K
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256 x 8
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2.5V~5.5V
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1M
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SOP
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选型表 - 聚辰 立即选型
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