【产品】专门针对快充应用设计的碳化硅MOS管和碳化硅萧特基二极管，雪崩能量和短管耐受能力远超氮化镓

时间： 2022-01-15 来源：即思创意

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即思创意专为快充充电器设计的碳化硅MOS管和碳化硅萧特基二极管方案，是目前市面上小型化高功率密度快充的最佳选择，专门针对快充应用设计的碳化硅MOS管和碳化硅萧特基二极管，不仅拥有与氮化镓晶体管相当的性能参数 (Rdson*Qoss)，远优于过氮化镓的雪崩能量和短管耐受能力。同时FSS的碳化硅萧特基二极管拥有市场最佳的性能参数 (VF*Qc)，可提供PQFN3x3等小型化封装。

易于使用：

• FSS 的Falcon系列碳化硅MOS 管只需在原有使用氮化镓或超结硅MOS管的方案上进行小幅更动，即可在效率、温度或 EMI上取的效能能上的改善。

优异的电磁干扰与电磁兼容 EMI/EMC 特性:

• FSS 的Falcon系列碳化硅MOS 管在高频切换下仍保有优秀的 EMI/EMC 特性，使客户的设计能追求最佳效能。

极小的输出电荷与输出电容:

• FSS 的碳化硅MOS 管的输出电荷(Qoss) 与输出电容Co(tr) 与氮化镓晶体管相当，只有硅超结MOS管的1/7~1/10。

优异的高温特性及可操作温度范围:

• FSS 的碳化硅MOS 管，可操作的结温范围在 -55到175℃，高于大多数的氮化镓与硅超结MOS管。

• FSS 的碳化硅MOS 管在高温下的导通电阻只比室温增加 20~30%，而氮化镓和硅超结MOS管在高温下导通电阻可增加到室温下的两倍以上。

优异的散热性与雪崩能量 (EAS) 耐受度

• 碳化硅的热传导率是氮化镓或硅的三倍，热不易累积散热更佳； FSS 的Falcon系列碳化硅MOS 管雪崩能量耐受度可达到第七代硅超结MOS管的5倍，远优于氮化镓 (氮化镓晶体管无雪崩能量耐受能力。)

兼容于市面上所有的PWM主控芯片：

• FSS 的碳化硅MOS 管兼容于市面上所有的PWM主控芯片。

• 不需要额外的闸极驱动器，驱动电路比氮化镓简单，使用更少的外部器件。

优秀的反向回复特性：

• FSS 的碳化硅MOS 管拥有几乎为零且不随温度变化的体二极管反性回复电荷 Qrr，只有硅超结MOS的数十到数百分之一，使用在LLC谐振等桥式电路可以减少死区时间 (deadtime) 改善效率、EMI。

• 65W的快速充电器采用FSS 的Falcon系列碳化硅MOS管时，整体成本仅与采用硅超结MOS管的方案相当或略高，明显低于氮化镓。

• FSS 的Falcon系列碳化硅MOS 管只需要小幅更动就可以取代从硅超结MOS管到氮化镓等各种方案，不需要使用特殊的周边组件或驱动电路。

• FSS 的Falcon系列碳化硅MOS 管整体所需组件数量低于氮化镓。

• 氮化镓因复杂的驱动方式，对电压、电流突波耐受余量低，对EMI整改和 PCB布局组装要求高，使得生产成本明显高于传统硅超结MOS管方案。

• FSS 的Falcon系列碳化硅MOS管耐电磁干扰能力强，对PCBA Layout 与组装要求与硅相同，低于氮化镓，整体生产组装良率与硅相当。

• FSS 的Falcon系列碳化硅MOS管的EMI特性优异，客户不需要耗费大量时间解决采用氮化镓方案时经常伴随而来的EMI问题。

FSS的碳化硅MOS管与氮化镓IC用于准谐振反激电路比较：

• FSS 的碳化硅MOS管可以使用PWM主控芯片直接驱动 , 需要的外部组件数量少于氮化镓驱动电路，而且因为 EMI特性优异，可以减少或省略使用铁氧体磁珠、CDS电容、缓冲电路、EMI滤波器……等周边组件的使用。

• 以下图为例，比较常见的 NCP1342 来驱动FSS 的碳化硅MOS管时，只需一颗闸极电阻来调整适当的切换速度，但是在驱动GaN IC时，周边需要添加额外的电阻/电容，齐纳二极管，甚至铁氧体磁珠等，整体电路更加复杂，并增加了失效与外部组件匹配不良之机率。

选型参考：

下表是 FastSiC 对典型快速充电器应用的Falcon系列碳化硅MOS 管标准选型推荐参考，请注意，下表建议仅供参考，用户应实际评估系统之温度/效率需求或与FastSiC专家讨论以优化其方案选择。

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20230219 - 虹美功率半导体 - 商品及供应商介绍 - 20230219版代理服务技术支持批量订货

鲁晶(LuJing)是一家以半导体功率器件（二极管、三极管、MOS管、碳化硅功率器件）研发、生产、销售为主导的国家级高新技术企业，其第三代半导体—碳化硅功率器件应用研发，产品符合RoHS标准、最新REACH和无卤素要求，已经在新能源、光伏、充电桩等产品上开始了大规模应用。

肖特基二极管硅塑封整流二极管快恢复整流二极管高效率二极管超快恢复二极管小信号肖特基二极管小信号开关二极管硅双向触发二极管稳压二极管瞬态抑制二极管光伏二极管静电保护二极管桥式整流器通用三极管高频三极管照明整流专用三极管数字三极管高压MOS管低压MOS管稳压电路碳化硅肖特基二极管碳化硅MOS管

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即思创意碳化硅肖特基二极管及MOSFET选型表

即思创意提供以下参数的技术选型,DC Blocking Voltage(V):650,Total Capacitive Charge(nC):10~45,Capacitance Stored Energy(μJ):1.6~6.5,Continuous Drain Current(A):2.5~60

产品型号	品类	Power Dissipation(W)	Continuous Drain Current(A)	Gate Charge(nC)	Output Capacitive Charge(nC)	Avalanche Energy(mJ)
FL12190A	碳化硅肖特基二极管	88	10	30	41	200

选型表 - 即思创意立即选型

泰高240W氮化镓多口快充电源方案，相比单口充电器体积缩小20%

2022年7月13日，深圳市泰高技术有限公司（下称“泰高”）与世强先进（深圳）科技股份有限公司（下称“世强先进”）签署代理协议，授权世强先进代理其旗下氮化镓电源产品、低噪声放大器、射频功率放大器、射频开关等全线产品。资料显示，泰高是一家国产氮化镓功率器件公司,主要从事氮化镓基与碳化硅基材料技术的集成电路的研发和销售。产品广泛应用于新能源汽车、工业自动化和数据中心等领域。

2022-08-15 - 公司动态代理服务技术支持批量订货

世强平台可提供全方面的器件，助力采用氮化镓技术符合Type-C协议的60W PD快充设计

基于氮化镓采用Type-C协议的PD快充是目前充电器的优选，其中 60W的PD快充是目前主流的功率段之一。基于原理示意图，世强平台可提供里面的PD快充设计的全方面的器件和相关资料，协助高效高密的PD快充设计。

2020-02-27 - 应用方案

【应用】必易微KP22062、KP40612被迪士尼30W充电器采用，确保充电器稳定运行，安全充电

这款迪士尼100周年纪念版充电器采用氮化镓技术，其内部搭载必易微的KP22062主控芯片和KP40612同步整流芯片。KP22062内部集成氮化镓开关管，支持超宽VDD供电范围和全面的保护功能，确保充电器在不同场景下稳定运行，实现30W快充。此外，KP40612还支持反激模式，内置智能检测功能，优化输出电压和电流，能够确保设备安全充电。

2023-09-27 - 应用方案代理服务技术支持批量订货