【产品】N沟道增强型场效应晶体管2N7002、2N7002A，耗散功率为350mW
DIOTEC（德欧泰克）致力于半导体二极管和整流器的研发生产，具备成套的专项技术，其推出的2N7002、2N7002A两款N沟道增强型场效应晶体管，具有较好的阻燃特性，符合ROHS、REACH标准，是环境友好型器件，主要应用于信号处理、驱动器、逻辑电平转换器等应用领域。两款N沟道增强型场效应晶体管重量非常轻，仅为0.01g，采用SOT-23（TO-236）封装方式，便于紧凑型安装。
图1 尺寸图
2N7002、2N7002A的耗散功率较低，均仅为350mW。两款产品的结温为+150℃，存储温度范围均为-55℃~150℃，具有高可靠性和高稳定性，为恶劣环境下工作提供了可靠保障。
图2 电气参数图
N沟道增强型场效应晶体管主要特性：
•两个漏源导通电阻版本
•低导通电阻
•快速切换时间
•符合ROHS、REACH标准
•重量轻：0.01g
•阻燃等级：UL 94V-0
•焊接和组装条件：260℃/10s MSL=1
N沟道增强型场效应晶体管主要应用领域：
•信号处理
•驱动器
•逻辑电平转换器
•型号后缀-Q的器件符合AEC-Q101标准
•型号后缀-AQ的器件通过AEC-Q101认证
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由等你翻译自Diotec，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】N沟道增强型场效应晶体管 MMFTN170，漏极电流高达500mA
Diotec公司推出的N沟道增强型场效应晶体管---MMFTN170，漏源电压和漏栅电压均为60V，漏极电流高达500mA，耗散功率为300mW。重量约为0.01g，具有较好的阻燃特性，阻燃等级为UL 94V-0，符合ROHS、REACH标准，采用SOT-23封装形式，焊接和组装条件为260℃/10s MSL=1。可应用在信号处理、驱动器、逻辑电平转换器等应用领域。
新产品 发布时间 : 2019-10-15
【产品】N沟道增强型场效应晶体管2N7000，采用TO-92（10D3）封装方式
Diotec（德欧泰克）致力于半导体二极管和整流器的研发生产，具备成套的专项技术，其推出的2N7000是N沟道增强型场效应晶体管，具有较好的阻燃特性，符合ROHS、REACH标准，是环境友好型器件，主要应用于信号处理、驱动器、逻辑电平转换器等应用领域。该N沟道增强型场效应晶体管重量非常轻，仅为0.18g，采用TO-92（10D3）封装方式，便于紧凑型安装。
新产品 发布时间 : 2019-09-08
【产品】表贴封装的双增强型金属氧化物半导体场效应晶体管
HCT802系列是TT Electronics（TT）推出的双增强型金氧半场效应晶体管，具备N沟道以及P沟道两种类型可选，表面封装6个镀金增耗垫，漏源电压高达90V，漏源通态电阻小于5Ω。
新产品 发布时间 : 2018-03-20
【产品】采用SOT-23封装的N沟道场效应晶体管BSS138，内置了ESD保护二极管
辰达行推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET BSS138，内置了ESD保护二极管，采用高密度单元设计实现超低导通电阻。可应用于电池供电系统，固态继电器，驱动器。
新产品 发布时间 : 2021-12-07
【产品】采用SOT-23（TO-236）封装的N沟道增强型场效应晶体管MMFTP84，开启时间仅为3ns
Diotec（德欧泰克）致力于半导体二极管和整流器的研发生产，具备成套的专项技术，其推出的MMFTP84是N沟道增强型场效应晶体管，具有较好的阻燃特性，符合ROHS、REACH标准，是环境友好型器件，主要应用于信号处理、驱动器、逻辑电平转换器等应用领域。该N沟道增强型场效应晶体管重量非常轻，仅为0.01g，采用SOT-23（TO-236）封装方式，便于紧凑型安装。
新产品 发布时间 : 2019-09-10
【产品】50V/±20V的N沟道增强型场效应晶体管 MMFTN20，开启时间仅5ns
为了满足信号处理模块、驱动器和逻辑电平转换器等应用领域的需求，Diotec推出了N沟道增强型场效应晶体管MMFTN20，漏源电压为50V，栅源电压±20V，开启时间仅5ns，其符合ROHS、REACH标准，采用SOT-23封装。
新产品 发布时间 : 2019-10-16
【产品】60V/115mA的N沟道增强型场效应晶体管2N7002W，耗散功率为200mW
Diotec（德欧泰克）致力于半导体二极管和整流器的研发生产，具备成套的专项技术，其推出的采用SOT-323封装的N沟道增强型场效应晶体管2N7002W， 具有快速开关的特点，符合ROHS、REACH标准，是环境友好型器件。导通电阻RDS(ON)＜7.5Ω，输入电容典型值为50pF，输出电容典型值为25pF，反向传输电容典型值为5pF，结至环境热阻小于625 K/W。
新产品 发布时间 : 2020-10-03
【产品】采用SOT-23封装的N沟道增强型场效应晶体管MMFTN131，漏极-源极电压为240V
Diotec推出的N沟道增强型场效应晶体管（FET）MMFTN131，采用SOT-23（TO-236）封装，漏极-源极电压为240V，栅极-源极电压为±20V，漏极电流0.11A，体二极管的正向压降最大值为1.4V。
产品 发布时间 : 2022-03-16
电子商城
现货市场
服务
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址： 深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论