【产品】N沟道增强型场效应晶体管2N7002、2N7002A，耗散功率为350mW

时间： 2019-09-07 来源：Diotec

代理服务

技术支持

现货查询

批量订货

DIOTEC（德欧泰克）致力于半导体二极管和整流器的研发生产，具备成套的专项技术，其推出的2N7002、2N7002A两款N沟道增强型场效应晶体管，具有较好的阻燃特性，符合ROHS、REACH标准，是环境友好型器件，主要应用于信号处理、驱动器、逻辑电平转换器等应用领域。两款N沟道增强型场效应晶体管重量非常轻，仅为0.01g，采用SOT-23（TO-236）封装方式，便于紧凑型安装。

图1 尺寸图

2N7002、2N7002A的耗散功率较低，均仅为350mW。两款产品的结温为+150℃，存储温度范围均为-55℃~150℃，具有高可靠性和高稳定性，为恶劣环境下工作提供了可靠保障。

图2 电气参数图

N沟道增强型场效应晶体管主要特性：

•两个漏源导通电阻版本

•低导通电阻

•快速切换时间

•符合ROHS、REACH标准

•重量轻：0.01g

•阻燃等级：UL 94V-0

•焊接和组装条件：260℃/10s MSL=1

N沟道增强型场效应晶体管主要应用领域：

•信号处理

•驱动器

•逻辑电平转换器

•型号后缀-Q的器件符合AEC-Q101标准

•型号后缀-AQ的器件通过AEC-Q101认证

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由等你翻译自Diotec，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】N沟道增强型场效应晶体管 MMFTN170，漏极电流高达500mA

Diotec公司推出的N沟道增强型场效应晶体管---MMFTN170，漏源电压和漏栅电压均为60V，漏极电流高达500mA，耗散功率为300mW。重量约为0.01g，具有较好的阻燃特性，阻燃等级为UL 94V-0，符合ROHS、REACH标准，采用SOT-23封装形式，焊接和组装条件为260℃/10s MSL=1。可应用在信号处理、驱动器、逻辑电平转换器等应用领域。

2019-10-15 - 新产品代理服务技术支持批量订货

【产品】采用SOT-23封装的N沟道场效应晶体管BSS138，内置了ESD保护二极管

辰达行推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET BSS138，内置了ESD保护二极管，采用高密度单元设计实现超低导通电阻。可应用于电池供电系统，固态继电器，驱动器。

2021-12-07 - 新产品代理服务技术支持批量订货

【产品】60V/53A的N沟道增强型场效应晶体管YJQ53G06A，采用DFN3.3X3.3封装

扬杰科技推出的一款型号为YJQ53G06A的N沟道增强型场效应晶体管，漏源电压60V，漏极电流（T=25℃）为53A，总耗散功率为45W，采用DFN3.3X3.3封装，应用于DC-DC转换器、电源管理功能、工业和电机驱动应用。

2020-02-24 - 新产品代理服务技术支持批量订货

DIOTEC MOSFETs选型表

DIOTEC提供以下参数选型： Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]：-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]：150~175、Power Dissipation Ptot [W]：0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]：-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]：-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]：0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]：-10~10、Turn-OnTime ton[ns]：3~1206、Turn-Off Time toff[ns]：7~991

Drain Source Voltage VDS[V]

Drain Current ID[A]

Junction Temperature Tjmax[℃]

Polarity pol

Power Dissipation Ptot [W]

Peak Drain Current IDM [A]

Threshold Voltage VGSth[V]

On-Resistance RDSon[Ω]