【选型】国产车规级P沟道增强型MOSFET可PTP替代NX2301P，其连续漏极电流为-3.1A
由于最近NEXPERIA最近供货紧张，不少客户寻求国产替代方案，在满足性能的同时硬件也要求兼容，从而满足直接替换而不需要改板的要求。
PANJIT（强茂）推出的PJA3411-AU为P沟道增强型MOSFET。采用SOT-23封装，其中漏-源电压最大额定值为-20V，连续漏极电流最大额定值为-3.1A。本文主要介绍国产车规级P沟道增强型PJA3411-AU 替代NEXPERIA的NX2301P的可行性。
国产车规级P沟道增强型PJA3411-AU可替代NX2301P性能参数对比，从上表中不难看出，P沟道增强型PJA3411-AU连续漏源电流略好，功耗略低，其他参数基本一致，可替代NX2301P。
PJA3411-AU&NX2301P脚定义对比，不难看出IO口的定义相同，都是采用SOT-23封装。从PIN脚定义上来看二者完全兼容。从封装尺寸上来看，二者的焊盘完全兼容。综上所述，PJA3411-AU&NX2301P PIN TO PIN兼容。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由alix提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【选型】P沟道增强型MOSFET PJL9415可pin-to-pin替代ONSEMI FDS6675BZ
最近有客户选用ONSEMI的FDS6675BZ，因交期和价格问题需要一款国产的替代物料，本文主要介绍PANJIT的P沟道增强型MOSFET——PJL9415替代ONSEMI的FDS6675BZ。PJL9415的各参数都基本匹配FDS6675BZ的性能需求，同时功耗更低。
【选型】满足100G光模块缓启电路设计所需的双P沟道增强型MOSFET PJS6815
考虑到成本及电路设计的灵活性，100G光模块的缓启电路目前主要还是用MOSFET来实现，此处MOSFET作为开关，要求dual P的MOS管，漏源极电压20V，MOS管导通电阻不超过100毫欧。强茂公司的PJS6815为双P沟道增强型MOSFET， VDS=20V，VGS=12V，ID=3.6A，电气参数完全满足100G光模块缓启动电路应用需求。
【选型】国产车规级P沟道增强型MOSFET可替代Si2319CDS-T1-GE3，漏-源电压最大额定值为-40V
PANJIT推出的PJA3441为P沟道增强型MOSFET。采用SOT-23封装，其中漏-源电压最大额定值为-40V，连续漏极电流最大额定值为-3.1A。本文主要介绍车规级P沟道增强型MOSFET PJA3441替代Si2319CDS-T1-GE3的可行性。
【产品】采用DFN3333-8L封装的P沟道增强型MOSFETPJQ4407P，符合IEC 61249标准
PANJIT（强茂）推出了PJQ4407P为P沟道增强型MOSFET。采用DFN3333-8L封装，其中漏-源电压最大额定值为-30V，连续漏极电流最大额定值为-30A。
【产品】-40V/-3.1A SOT-23封装P沟道增强型MOSFET PJA3441-AU
PANJIT（强茂）推出的PJA3441-AU 为P沟道增强型MOSFET。采用SOT-23封装，其中漏-源电压最大额定值为-40V，连续漏极电流最大额定值为-3.1A。
【产品】-40V/-14A P沟道增强型MOSFET PJQ4453P-AU，采用DFN3333-8L封装
PANJIT作为全球领先的半导体分离器件制造商，拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势，致力于整流二极管、功率半导体、突波抑制器等分离式组件产品的研发生产。PJQ4453P-AU是PANJIT公司推出的一款采用DFN3333-8L封装的P沟道增强型MOSFET（-40V/-14A）。
强茂（PANJIT）Low Voltage MOSFET选型表
强茂（PANJIT）提供以下参数选型：VDS(V)：-40~40,VGS(±V)：8-20,ID(A)：-100~136,RDS(on) Max. (Ω)(10V)：1.6~160等。强茂开发一系列不同封装的低压MOSFET产品，适用于笔记型电脑,平板电脑,主机板等3C产品均会使用到此类型产品；采沟槽式(Trench)结构与封装技术相结合实现低导通电阻提升产品性能。
|
产品型号
|
品类
|
Package
|
Product Status
|
Replacement Part
|
AEC-Q101 Qualified
|
ESD
|
Polarity
|
Config.
|
VDS(V)
|
VGS(±V)
|
ID(A)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)
|
Ciss Typ.(pF)
|
VGS(th) Max.(V)
|
Qg Typ. (nC)(10V)
|
Qg Typ. (nC)(4.5V)
|
|
PJQ5542V-AU
|
Low Voltage MOSFET
|
DFN5060-8L
|
New Product
|
-
|
AEC-Q101 Qualified
|
-
|
N
|
Single
|
40
|
20
|
136
|
3
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
3050
|
3.5
|
43
|
-
|
选型表 - PANJIT 立即选型
【产品】采用TO-252AA封装的-40V/-50A P沟道增强型MOSFET-PJD50P04，反向传输电容139pF
PANJIT（强茂）推出了PJD50P04为P沟道增强型MOSFET。采用TO-252AA封装，其中漏-源电压最大额定值为-40V，连续漏极电流最大额定值为-50A。具有开关速度快、栅极电荷低的特点，绿色环保塑封，符合IEC 61249标准。
PJA3411-AU 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
型号- PJA3411-AU_R2_000A1,PJA3411-AU,PJA3411-AU_R1_000A1
【经验】 P沟道增强型MOSFET PJD16P06A-AU在电源开关中的设计使用
电源开关一般可分为机械式和电子，由于MOS FET可允许通过大电流，而且控制简单成本较低广泛应用于电子开关中。笔者公司开发的一款产品A在电源输入端的控制就选用了强茂PANJIT的P沟道增强型MOSFET PJD16P06A-AU。本文主要介绍一些在使用的过程中的设计使用经验。
电子商城
品牌：PANJIT
品类：Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.3210
现货： 5,965
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥1.5820
现货： 3,000
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.5650
现货： 2,980
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.5312
现货： 2,446
品牌：PANJIT
品类：ESD Protected P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.5424
现货： 1,950
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥1.4464
现货： 1,600
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥1.1752
现货： 188
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥1.0396
现货： 100
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥1.7628
现货： 100
现货市场
品牌：PANJIT
品类：Ultra Low Capacitance TVS/ESD Protection
价格：￥0.1994
现货：181,927
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制内充多极外充多极，平面多极和内外螺旋型各类充磁产品，多级充磁最多可做256极，通过环氧树脂加入稀土，模具压制支持多尺寸定制，
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论