【产品】1800V超高集射极电压的绝缘栅双极型晶体管RGC80TSX8R，结壳热阻仅0.28℃/W
罗姆(ROHM)是半导体、电子零部件的等应用的主要供应商之一。RGC80TSX8R（40A/1800V）绝缘栅双极型晶体管（IGBT）一款利用ROHM的沟槽栅、薄晶圆技术（Field Stop Trench）实现了高效化和节能化的产品，晶体管具有高速开关、低集电极-发射极饱和电压、低开关损耗和软开关等特点，同时具有低正向电压的单片体二极管，采用了TO-247N的封装方式，达到无铅标准和RoHS认证，是一款绿色环保器件，可以为高电压、大电流的应用提供解决方案，是IH和电压 - 谐振逆变器等领域的理想选择。
图1 RGC80TSX8R绝缘栅双极型晶体管的封装及其电气原理图
RGC80TSX8R绝缘栅双极型晶体管的集电极-发射极电压VCES额定值为1800V，集电极-射极饱和压降VCE（sat）的典型值为2.2V，使产品更容易驱动。集电极电流IC额定值分别80A（25℃）和40A（100℃），功耗PD分别为535W（25℃）和267W（100℃）。另外，RGC80TSX8R绝缘栅双极型晶体管的存储温度范围在-55℃~175℃，工作结温范围为-40℃~175℃，可以在温度苛刻的环境下长时间工作，具有高电气可靠性和安全性。该晶体管的结壳热阻Rθ(j-c)仅为0.28℃/W，器件热传导性能极好，可为大幅度降低系统冷却成本。
RGC80TSX8R绝缘栅双极型晶体管的开通延迟时间td(on)典型值为80ns，上升时间tr典型值为53ns，关断延迟时间td(off)典型值为565ns，下降时间tf典型值为55ns，开通能量损耗Eon典型值仅为1.85mJ，关断能量损耗Eoff典型值为1.60mJ（以上是在IC=40A，VCC=600V，VGE=15V，RG=10Ω，Tj=25℃条件下）。另外，RGC80TSX8R绝缘栅双极型晶体管的栅极电荷总量Qg典型值为468nC，栅极-发射极电荷Qge典型值为93nC，栅极-集电极电荷Qgc典型值为155nC。
RGC80TSX8R绝缘栅双极型晶体管的特点：
·Field Stop Trench技术
·高速开关
·更低的集电极 - 发射极饱和压降
·低开关损耗&软开关
·具有低正向电压的单片体二极管
·达到无铅标准，通过了RoHS认证
RGC80TSX8R绝缘栅双极型晶体管应用：
·IH
·电压 - 谐振逆变器
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产品型号
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品类
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电压（V）
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电流(A)
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封装
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器件等级
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RGS30TSX2GC11
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Field Stop Trench IGBT
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1200V
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15A
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TO-247N
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Industrial Grade
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选型表 - ROHM 立即选型
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