UnitedSiC拓展UF3C FAST系列产品，新增TO-247-4L 4引脚开尔文（Kelvin）封装器件

时间： 2019-11-16 来源：UnitedSiC

技术问答

2018年12月3日，碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC通过在TO-247-4L 4引脚开尔文（Kelvin）封装选项中，引入更多范围的650 V和1200 V高性能碳化硅（SiC）FET，来扩展了其UF3C FAST系列产品。基于高效的共源共栅配置，该新系列以能够实现高功耗的封装为设计人员提供了非常快速的开关，高功率器件。

开尔文（Kelvin）封装避免了栅极振铃和错误触发，从而可以避免降低开关速度，以管理3引线封装的大型公共源电感。 4引脚开尔文连接套件可提供175°C的最高工作温度，出色的反向恢复，低栅极电荷以及高达2倍的更低开关损耗。

在EV充电器，电信和服务器电源应用中使用的Totem Pole PFC级，LLC和移相全桥转换器的设计人员可以通过新的UF3C系列将开关速度，效率，易用性和功率密度提高到新的水平。

与其他宽带隙技术相比，SiC共源共栅器件提供标准的12V栅极驱动，并确保了雪崩防护等级（100％经过生产测试）。 4端子封装是UF3C FAST系列的一部分，提供易于螺钉或夹具安装，结到外壳的热阻非常低，在给定功耗或较高功率的情况下，可以利用较低的温升实现较高的功耗SiC的结温能力。

“采用4引线TO-247封装的扩展UF3C FAST系列共源共栅即使在更高的开关频率下也易于使用，” UnitedSiC工程副总裁Anup Bhalla说道。 “它们在大功率设计中提供了最高的效率和出色的散热性能。”

范围包括以下零件编号：UF3C120040K4S（1200 V / 40mΩ），UF3C120080K4S（1200 V / 80mΩ），UF3C065030K4S（650 V / 30mΩ），UF3C065040K4S（650 V / 40mΩ）和UF3C065040K4S（650 V 80mΩ）。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 17
| 转发至：

本文由无名指翻译自UnitedSiC，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（17）

Sky Lv7. 资深专家 2019-12-24

学习
流水 Lv7. 资深专家 2019-12-19

学习啦
加一 Lv7. 资深专家 2019-12-16

学习
先天二极管 Lv8. 研究员 2019-12-16

学习学习
小橙子 Lv7. 资深专家 2019-12-14

学习

Yang丿 Lv7. 资深专家 2019-12-11

支持
Arvin.Wang Lv8. 研究员 2019-12-09

学习
吊个天 Lv7. 资深专家 2019-12-06

学习
吊个天 Lv7. 资深专家 2019-12-06

学习
maomao Lv8. 研究员 2019-12-05

支持了~~~

展开更多评论

电动车对6英寸SiC晶圆需求广阔，兼容SiC和Si驱动的SiC FET制造商UnitedSiC提供完美解决方案

因为其领先的性能优势，电动汽车市场对 SiC 器件的需求与日俱增。据 TrendForce 集邦咨询研究显示，随着电动车渗透率不断升高，预估 2025 年全球电动车市场对6英寸SiC晶圆需求可达169万片。

行业资讯发布时间 : 2021-12-24

UnitedSiC推出UF3C FAST系列650V和1200V高性能碳化硅FET，采用标准TO-247- 3

2018年11月5日，碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC宣布推出其UF3C FAST系列650 V和1200 V高性能碳化硅FET，采用标准TO-247- 3L包装。与现有的UJC3系列相比，FAST系列提供了更高的开关速度和更高的效率水平。

行业资讯发布时间 : 2019-11-17

UnitedSiC低导通电阻SiC FET荣获“第十八届TOP10电源产品奖”

UnitedSiC低RDS(on) SiC FET--UF3SC065007K4S和UF3SC120009K4S，荣获“第十八届TOP10电源产品奖”。

行业资讯发布时间 : 2020-11-13

【经验】SiC FET关断时VDS尖峰和振荡问题的解决方法

UnitedSiC的SiC FET能直接替代Si MOSFET，但其高开关速度也可能会使关断VDS电压产生尖峰和震荡，使系统的EMI变差。关断时的VDS尖峰和振荡产生的根本原因是高速开关过程中di/dt在杂散电感上产生了较高的感应电压。本文将给出并对比几种解决方案。

设计经验发布时间 : 2020-11-02

UnitedSiC SiC FET/SiC JFET/SiC肖特基二极管选型指南

目录- Product introduction SiC FETs SiC JFETs SiC Schottky Diodes

型号- UJ3D06506TS,UJ3D1220KSD,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UF3C065040B3,UJ4C075023K3S,UJ3D1210KS,UF3N090350,UF3C SERIES,UJ3C065080B3,UJ3C120040K3S,UJ3N1701K2,UF3N SERIES,UJ3N065025K3S,UJ3N065080K3S,UF3SC120016K3S,UF3C065080K3S,UJ4SC,UF3N170400,UF3C065030K4S,UF3N120140,UF3N065600,UF3N170400B7S,UJ3D06510TS,UJ3D06560KSD,SC SERIES,UJ3C065030B3,UJ3D1210K2,UF3SC065007K4S,UF3C120400K3S,UJ4SC SERIES,UF4C120053K4S,UJ3C120150K3S,UJ4C075060K4S,UJ3D1202TS,UF3C065080B7S,UJ3D1220K2,SC,UF3C065080T3S,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,UF3SC,UF4C120053K3S,UF3C120080K4S,UF3N090800,UJ4C075018K3S,UJ3D1210TS,UF3SC065030B7S,UJ4C075023K4S,UJ3D06530TS,UJ4C075060K3S,UJ3N SERIES,UJ3N120035,UF4C120070K3S,UF3SC120040B7S,UF3SC120016K4S,UJ4C SERIES,UJ4C075018K4S,UJ3C065080T3S,UF4SC120030K4S,UJ3N120035K3S,UJ3D06504TS,UJ3C065030K3S,UJ3D1205TS,UF3C065080B3,UJ3N065080,UJ4SC075009K4S,UJ3N120070K3S,UJ4C075033K3S,UF3SC SERIES,UF4C120070K4S,UF3C065030T3S,UJ3D06508TS,UJ3D1210KSD,UJ3D06516TS,UJ3D06512TS,UJ3D1250K2,UJ4SC075006K4S,UF3C120040K4S,UF3C065030B3,UF3C120150B7S,UJ3C SERIES,UF3C065040K4S,UJ4C075044K3S,UJ3C065030T3S,UJ4C,UJ3C120070K3S,UF3C065030K3S,UF4C,UJ3D1250K,UJ3D06520TS,UF3SC120009K4S,UF4C SERIES,UJ3N065025,UF3C120080B7S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,UJ3C065080K3S,UJ3D1725K2,UJ3N120065K3S,UJ3D,UJ4C075044K4S,UJ3C,UJ3D06520KSD,UF3N065300,UF3C,UF3N,UJ3N120070,UJ4SC075011K4S,UJ4C075033K4S,UJ3N,UF3C170400K3S,UF4SC120023K4S,UJ3D SERIES,UF3SC065040B7S,UF3C065080K4S

选型指南 - UNITEDSIC - 2022/4/22 PDF 英文下载

1200V Gen 4 SiC FETs with industry-best performance deliveroptimal SiC power solutions to high-voltage markets

型号- UF4SC120030K4S,UF4C120053K3S,UF4C120030K4S,UF4SC SERIES,UF3C120040K4S,UF4C SERIES,UF4C120070K3S,UF4C,UF4C120070K4S,UF4C120053K4S,UF4SC120023K4S,UF4SC

商品及供应商介绍 - UNITEDSIC - May 2022 PDF 英文下载

SiC FET User Guide

型号- UJ3C065080T3S,UJ4C075018K4S,UF4SC120030K4S,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UJ3C065030K3S,UF3C065040B3,UF3C065080B3,UJ4C075023K3S,UF4SC120053K4S,UJ4SC075009K4S,UJ4C075033K3S,UJ3C065080B3,UJ3C120040K3S,UF3C065030T3S,UF4SC,UF3SC120016K3S,UF3C065080K3S,UJ4SC,UF3C065030K4S,UJ3C065030B3,UF3CXXXYYYK3S,UJ4SC075006K4S,UF3SC065007K4S,UF3C120040K4S,UF3C065030B3,UF3C120400K3S,UJ4CXXXK3S,UF3C120150B7S,UF3C065040K4S,UJ4C075044K3S,UJ3C065030T3S,UJ4C,UJ3C120070K3S,UF3C065030K3S,UF4C,UJ3C120150K3S,UJ4C075060K4S,UF3C065080B7S,UF3C170400B7S,UF4SC120070K4S,UF3CXXXYYYK4S,UF3SC120009K4S,UF3C120080B7S,UF3C065080T3S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,UJ3C065080K3S,UF3SC,UF3C120080K4S,UJ4C075044K4S,UJ3C,UJ4C075018K3S,UF3C,UF3SC065030B7S,UJ4C075023K4S,UJ4C075060K3S,UJ3CXXXYYYK3S,UF4SC120053K3S,UF4SC120070K3S,UF SERIES,UJ4SC075011K4S,UJ4C075033K4S,UF3C120150K3S,UF3C170400K3S,UF4SC120023K4S,UF3SC120040B7S,UF3SC065040B7S,UF3SC120016K4S,UF3C065080K4S

用户指南 - UNITEDSIC - UnitedSiC_UG0001 - April 2022 PDF 英文下载

全球唯一一家拥有同时兼容SiC和Si驱动的SiC FET制造商——UnitedSiC（联合碳化硅）

UnitedSiC（联合碳化硅）开发出各种创新的碳化硅场效应晶体管（FET）、碳化硅结型场效应晶体管（JFET）和碳化硅肖特基二极管（Schottky Diode）等功率半导体器件，且可定制,为电动汽车充电器，DC-DC转换器，牵引变流器等。

品牌简介发布时间 : 2019-11-22

具有业界出众性能的1200V第四代SiC FET为高压市场提供优秀SiC功率解决方案

UnitedSiC扩充了1200V产品系列，将突破性的第四代SiC FET技术推广到电压更高的应用中。新UF4C/SC系列中的六款新产品的规格从23毫欧到70毫欧，现以TO247-4L（开尔文连接）封装提供，而1200V的53毫欧和70毫欧SiC FET还以TO247-3L封装提供。

原厂动态发布时间 : 2022-06-29

UnitedSiC SiC FET User Guide

型号- UJ3C065080T3S,UJ4C075018K4S,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UF3SC065040D8S,UJ3C065030K3S,UF3SC065030D8S,C1808C681JGGAC7800,UF3C065040B3,UF3C065080B3,UJ4C075023K3S,UJ4SC075009K4S,CRCW201010R0JNEFHP,UJ4C075033K3S,UJ3C065080B3,UJ3C120040K3S,UF3C065030T3S,UF3SC120016K3S,UF3C065080K3S,UJ4SC,UF3C065030K4S,CRCW25124R70JNEGHP,UJ3C065030B3,UF3CXXXYYYK3S,UJ4SC075006K4S,C1206C680JGGAC7800,UF3SC065007K4S,UF3C120040K4S,UF3C065030B3,UF3C120400K3S,UJ4CXXXK3S,UF3C120150B7S,UF3C065040K4S,UJ4C075044K3S,C1206C151JGGAC7800,UJ3C065030T3S,UJ4C,UF3C065030K3S,UJ3C120150K3S,UF3C120400B7S,UJ4C075060K4S,CRCW20104R70JNEFHP,UF3C065080B7S,UF3C170400B7S,UF3CXXXYYYK4S,202R18N101JV4E,SR1206FR-7W4R7L,UF3SC120009K4S,UF3C120080B7S,KTR18EZPF10R0,UF3C065080T3S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,UJ3C065080K3S,UF3SC,KTR18EZPF4R70,UF3C120080K4S,UJ4C075044K4S,CRCW251210R0JNEGHP,UJ3C,UJ4C075018K3S,UF3C,UF3SC065030B7S,C1206C221JGGAC7800,C1210C331JGGACTU,SR1206FR-7W10RL,UJ4C075023K4S,UJ4C075060K3S,UJ3CXXXYYYK3S,UJ4C075033K4S,UJ4SC075011K4S,UF3C120150K3S,UF3C170400K3S,UF3SC120040B7S,UF3SC065040B7S,UF3SC120016K4S,UF3C065080K4S,202R18N470JV4E

用户指南 - UNITEDSIC - September 2021 PDF 英文下载查看更多版本

UnitedSiC SiC FET User Guide

型号- UJ3C065080T3S,UJ4C075018K4S,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UF3SC065040D8S,UJ3C065030K3S,UF3SC065030D8S,C1808C681JGGAC7800,UF3C065040B3,UF3C065080B3,UJ4C075023K3S,UJ4SC075009K4S,CRCW201010R0JNEFHP,UJ4C075033K3S,UJ3C065080B3,UJ3C120040K3S,C0G,UF3C065030T3S,UF3SC120016K3S,UF3C065080K3S,UF3C065030K4S,CRCW25124R70JNEGHP,UJ3C065030B3,UF3CXXXYYYK3S,UJ4SC075006K4S,C1206C680JGGAC7800,UF3SC065007K4S,UF3C120040K4S,UF3C065030B3,UF3C120400K3S,UJ4CXXXK3S,KTR18,UF3C120150B7S,UF3C065040K4S,UJ4C075044K3S,C1206C151JGGAC7800,UJ3C065030T3S,UJ4C,UF3C065030K3S,UJ3C120150K3S,UF3C120400B7S,UJ4C075060K4S,CRCW20104R70JNEFHP,UF3C065080B7S,UF3C170400B7S,UF3CXXXYYYK4S,202R18N101JV4E,SR1206FR-7W4R7L,UF3SC120009K4S,UF3C120080B7S,KTR18EZPF10R0,UF3C065080T3S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,UJ3C065080K3S,KTR18EZPF4R70,UF3C120080K4S,UJ4C075044K4S,CRCW251210R0JNEGHP,UJ4C075018K3S,UF3SC065030B7S,C1206C221JGGAC7800,C1210C331JGGACTU,UJ4C075023K4S,SR1206FR-7W10RL,UJ4C075060K3S,UJ3CXXXYYYK3S,UJ4SC075011K4S,UJ4C075033K4S,UF3C120150K3S,UF3C170400K3S,UF3SC120040B7S,SR1206,UF3SC065040B7S,UF3SC120016K4S,UF3C065080K4S,202R18N470JV4E

用户指南 - UNITEDSIC - September 2021 PDF 英文下载

UnitedSiC SiC FET User Guide

型号- UJ3C065080T3S,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UJ3C065030K3S,C1808C681JGGAC7800,UF3C065040B3,UF3C065080B3,CRCW201010R0JNEFHP,UJ3C065080B3,UF3SC065030D8,UJ3C120040K3S,UF3C065030T3S,UF3SC120016K3S,UF3C065080K3S,UF3C065030K4S,CRCW25124R70JNEGHP,UJ3C065030B3,UF3CXXXYYYK3S,C1206C680JGGAC7800,UF3SC065007K4S,UF3C120040K4S,UF3C065030B3,UF3C120150B7S,UF3C065040K4S,C1206C151JGGAC7800,UJ3C065030T3S,UF3C065030K3S,UJ3C120150K3S,CRCW20104R70JNEFHP,UF3C065080B7S,UF3CXXXYYYK4S,202R18N101JV4E,SR1206FR-7W4R7L,UF3SC120009K4S,UF3C120080B7S,KTR18EZPF10R0,UF3C065080T3S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,UJ3C065080K3S,KTR18EZPF4R70,UF3C120080K4S,CRCW251210R0JNEGHP,UF3SC065030B7S,C1206C221JGGAC7800,C1210C331JGGACTU,SR1206FR-7W10RL,UF3SC065040D8,UF3C120150K3S,UF3SC120040B7S,UF3SC065040B7S,UF3SC120016K4S,UF3C065080K4S,202R18N470JV4E

用户指南 - UNITEDSIC - December 2019 PDF 英文下载

UnitedSiC SiC FET User Guide

型号- UJ3C065080T3S,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UJ3C065030K3S,C1808C681JGGAC7800,UF3C065040B3,UF3C065080B3,CRCW201010R0JNEFHP,UFK3S,UJ3C065080B3,UF3SC065030D8,UJ3C120040K3S,UF3C065030T3S,UFS3C120040B7S,UF3C065080K3S,UF3C065030K4S,CRCW25124R70JNEGHP,UJ3C065030B3,UF3CXXXYYYK3S,C1206C680JGGAC7800,UF3C120040K4S,UF3C065030B3,KTR18,UF3C120150B7S,UF3C065040K4S,C1206C151JGGAC7800,UJ3C065030T3S,UF3C065030K3S,UJ3C120150K3S,CRCW20104R70JNEFHP,UF3C065080B7S,UF3CXXXYYYK4S,202R18N101JV4E,SR1206FR-7W4R7L,UF3C120080B7S,KTR18EZPF10R0,UF3C065080T3S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,UJ3C065080K3S,KTR18EZPF4R70,UF3C120080K4S,CRCW251210R0JNEGHP,UF3SC065030B7S,C1206C221JGGAC7800,C1210C331JGGACTU,SR1206FR-7W10RL,UF3SC065040D8,UF3C120150K3S,SR1206,UF3SC065040B7S,UF3C065080K4S,202R18N470JV4E

用户指南 - UNITEDSIC - version 4.0 - December 2018 PDF 英文下载收起

SiC FET的起源和发展—与SiC MOS及其他替代技术的性能比较

使用宽带隙半导体作为高频开关为实现更高的功率转换效率提供了有力支持。一个示例是，碳化硅开关可以实施为SiC MOSFET或以共源共栅结构实施为SiC FET。本文追溯了SiC FET的起源和发展，直至最新一代产品，并将其性能与替代技术进行了比较。

原厂动态发布时间 : 2022-06-21

【产品】UnitedSiC推出新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET 非常适合主流的800V总线结构

UnitedSiC宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）系列，这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适合主流的800V总线结构，这种结构常见于电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、直流太阳能逆变器、焊机、不间断电源等应用。

新产品发布时间 : 2022-05-21

UnitedSiC‘s FET-Jet Calculator Taking The Guesswork out of SiC FET Selection

UnitedSiC‘s new FET-Jet CalculatorTM is free-to-use without any registration and enables a designer to select an application, topology, electrical design parameters and ambient temperature, and quickly try a device from UnitedSiC‘s range of SiC FETs and diodes with a chosen heatsink rating. Critical performance results are instantly calculated, including overall efficiency, with component losses separated out into dynamic and conduction contributions, along with junction temperatures and current stress levels. If a resulting voltage is above the rating of the selected part, a warning is given.

原厂动态发布时间 : 2021-07-11