【产品】1Mbit蓝碧石大容量FeRAM，实现业界最小级别10µA待机电流和0.1µA睡眠电流

时间： 2018-08-19 来源：ROHM

技术问答

ROHM集团旗下蓝碧石半导体面向需要高速高频率的日志数据获取和紧急时高速数据备份的智能仪表/计量设备/医疗设备/金融终端等，开发出1Mbit铁电存储器(以下简称"FeRAM")"MR45V100A / MR44V100A"。

"MR45V100A"作为SPI总线产品，在1.8V～3.6V的宽电源电压范围内均实现40MHz的高速工作。这使得该款产品作为大容量的1Mbit FeRAM，在诸如不稳定的电源环境下的电压急剧下降时也可高速稳定工作，其高速数据备份功能有助于提高配套应用的可靠性。而"MR44V100A"作为不同的串行总线I2C总线产品，则非常适用于不需要速度的应用。

另外，为了满足移动应用需求，改进了待机模式，同时还首次在蓝碧石FeRAM中搭载了睡眠(休眠)模式，以限制数据量增加导致的功耗増加。在1Mbit FeRAM中分别实现了业界最小级别的待机电流10µA(平均)和睡眠电流0.1µA(平均)，使产品还可用于重视电池驱动时间的支付终端和数据记录仪等手持终端和移动设备/终端。

蓝碧石大容量FeRAM MR45V100A / MR44V100A实物图

非易失性存储器FeRAM与EEPROM和FLASH存储器等非易失性存储器相比，具有"高速数据擦写""耐擦写性能优异""低功耗"等特点。

蓝碧石半导体凝聚ROHM的铁电存储器制造技术和蓝碧石的存储器开发技术优势，从2011年开始致力于各种容量和接口的FeRAM开发。产品已被需要非易失且高速高频率数据擦写的多功能打印机、汽车配件、FA(Factory Automation)设备等广为采用。

近年来，电子设备对于数据规模增加、更低功耗、移动应用、瞬间停电等紧急情况下的数据安全性提升要求越来越高。蓝碧石半导体为满足这些需求，致力于实现更大容量、更宽电源电压范围和高速工作兼备、更低功耗(包括待机/休眠时在内)的产品，并成功开发出有望应用到电池驱动的移动设备/终端等的FeRAM。

可在 1.8V～3.6V的更宽范围内40MHz工作

FeRAM与EEPROM、FLASH存储器等非易失存储器相比，可实现高速数据擦写并低电压工作，因而具有即使在写入过程中发生瞬间电压下降或停电，数据丢失风险也较低的特点。

"MR45V100A"作为SPI总线产品，与蓝碧石以往产品64Kbit FeRAM"MR45V064B"同样在1.8V～3.6V的整个电源电压范围内确保40MHz工作，性能同等，但容量更大，达1Mbit。因而在要求高安全性的应用中，可直接处理更大规模的数据。

2．作为大容量FeRAM，实现业界最小级别的待机/休眠电流

在电子设备中，低功耗要求越来越高，一般采用比如使系统运转过程中无需工作的部件转入低电流模式，以降低设备整体平均功耗等手法来实现低功耗。

在这种背景下，MR45V100A / MR44V100A通过以下特点来降低电子设备的系统功耗，抑制数据量增加导致的功耗増加。

① 改进待机模式，实现1Mbit FeRAM中业界最小级别的10µA待机电流

待机(Standby)模式时彻底关断无需工作的电路的电源，当工作恢复时仅所需部分快速初始化，从而有效抑制住电流消耗。由此实现了平均10μA的1Mbit FeRAM中业界最小级别※的待机电流。

② 搭载睡眠模式，实现业界最小级别的0.1µA睡眠电流和最短睡眠模式恢复时间

蓝碧石首家搭载了比传统待机(Standby)模式功耗低几个数量级的的睡眠(休眠)模式，而且睡眠模式下的平均消耗电流仅为0.1μA，属于业界最小级别。不仅如此，从睡眠模式的恢复时间仅为100μs，为业界最短，从而在希望休眠时间要短的应用中也可适用睡眠模式。

蓝碧石大容量FeRAM MR45V100A / MR44V100A规格概要：

蓝碧石大容量FeRAM MR45V100A / MR44V100A应用领域：

OA设备、工业设备、广播设备、汽车配件、医疗设备、电池驱动设备

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全部评论（5）

jishizhong Lv9 2018-11-02

10ua厉害了
射频 Lv7. 资深专家 2018-10-26

学习
每天学习一点点儿 Lv9. 科学家 2018-10-12

不错
闲云 Lv7. 资深专家 2018-10-11

好东西
luosai Lv8. 研究员 2018-08-19

学习了！

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型号- BD7673AG,SMLEN3BC8T,BA4560RFVM,RBQ20NS65A,RFN20NS6S,BM2LB300FJ-C,BA4560RFVT,RASMID,BD7602GUL,RFUH20NS3S,BD82001FVJ-LB,SMF26V,MD56V72161C-XXTAP,RB058LAM150,SDR,BD50FA1MG-M,BD9109FVM-LB,RB088LAM-60,RB238NS150,SML-D12Y8W,BR25H128,SML-P11DT,VS17VUA1LAM,GMR50/5025,RFUH20NS4S,RGTH40TK65,STM 431J,SCT2280KE,BA82904YFVM-C,CSL1301R2T,ECO 200,BA2902YF-LB,BA4560YFV-M,RB298T100,BD46EXX1G-M,SMF24V,BU7250G,SML-D12U1W,BD71L4LG-1,BR25H160,SFR,BR25A512,RGCL80TK60,RGPR20BM36HR,BD12732FVM,BD12732FVJ,PTM 330,BU7251SG,BA2901YFV-M,BU21181FS,BU7251G,BD87A34FVM,BU7462FVM,BD12732FVT,BD52XXG-2C,LM2903F,RBR30NS30A,BU7291G,MD56V62161M-XXTAL42X,GSSSMR320,LM339F,MD56V72161C-XXTAL42X,BA2901YFV-C,BR93AXX-WM,BA2902SF,SMF22V,SML-D12Y3W,ML610400,BD2066FJ-LB,SCT2160KE,BAXXDD0T,SCM-013RT,LM2904F,BAXXDD0W,BU9829GUL-W,PTM 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选型指南 - ROHM - Ver.2.0 - 2019年03月 PDF 中文下载

铁电存储器供应商舜铭存储授权世强硬创，深耕工业控制/电力仪表领域

舜铭存储实现了第一颗国产铁电存储器的量产，也是全球唯一的新型铁电存储器产品的供应商。

签约新闻发布时间 : 2023-08-10

ROHM（罗姆）工业设备用产品选型指南（英文）

目录- Company Profile and Industrial Products Introduction Industrial Device Featured Products ICs Products Discretes Device /Modules Products Industrial Products Part Number Index

型号- BD7673AG,SMLEN3BC8T,BA4560RFVM,VREF25,RBQ20NS65A,RFN20NS6S,BM2LB300FJ-C,BA4560RFVT,BA4558YF-M/YFV-M/YFVM-M,GMR6432,BD7602GUL,RFUH20NS3S,BD82001FVJ-LB,SMF26V,MD56V72161C-XXTAP,RB058LAM150,BD50FA1MG-M,BD9109FVM-LB,RB088LAM-60,RB238NS150,SML-D12Y8W,VREF15,BR25H128,SML-P11DT,VS17VUA1LAM,SML-P11DR,RFUH20NS4S,RGTH40TK65,STM 431J,SCT2280KE,BA82904YFVM-C,CSL1301R2T,ECO 200,BA2902YF-LB,BA4560YFV-M,RB298T100,BD46EXX1G-M,SMF24V,BU7250G,SML-D12U1W,BD71L4LG-1,BR25H160,BR25A512,RGCL80TK60,RGPR20BM36HR,BD12732FVM,BA2903F/FV/FVM,BD12732FVJ,PTM 330,BU7251SG,BA2901YFV-M,BU21181FS,BU7251G,BD87A34FVM,LF-3011VA/VK,BU7462FVM,BD12732FVT,BD52XXG-2C,LM2903F,RBR30NS30A,BU7291G,MD56V62161M-XXTAL42X,LM339F,MD56V72161C-XXTAL42X,BA2901YFV-C,BA2902SF,SMF22V,SML-D12Y3W,LAP-601DB/DL,LAP-301DB/DL,BD2066FJ-LB,SCT2160KE,BAXXDD0T,SCM-013RT,LM2904F,BAXXDD0W,BU9829GUL-W,PTM 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选型指南 - ROHM - Ver.2.0 - 10.2018 PDF 英文下载

【选型】多种存储容量可选的三种总线接口FeRAM，无需使用电池备份

罗姆(ROHM)株式会社是全球最知名的半导体厂商之一，其旗下的蓝碧石半导体（Lapis）推出的FeRAM是通过铁电工程与硅栅极技术所开发的32kbit-256kbit的范围构成的铁电随机存取存储器。该产品无需使用电池的备份、可以高速度地随机读写、有高读写寿命- 保障约1兆次、低功耗工作等特性，可适用于汽车导航、车载音响、PLC、仪器仪表、打印机等领域。

器件选型发布时间 : 2018-10-23

【产品】罗姆非易失性8,192字节x 8位的铁电随机存取存储器（FeRAM）MR44V064！数据保留时间长达10年！

罗姆推出了MR44V064A高性能FERAM存储器产品，MR44V064A是一种采用铁电工艺和硅栅CMOS技术开发的非易失性8,192字节x 8位的铁电随机存取存储器（FeRAM），可以使用双线串行接口（I2C总线）访问MR44V064A。与SRAM不同的是，该器件具有单元非易失性，不需要保持数据所需的备用电池。

新产品发布时间 : 2018-09-12

【产品】ROHM推出非易失性32,768字x 8位的铁电随机存取存储器MR45V256A，使用SPI进行通讯！

罗姆推出了MR45V256A高性能FERAM存储器产品，MR45V256A是一种采用铁电工艺和硅栅CMOS技术开发的非易失性32,768字x 8位的铁电随机存取存储器（FeRAM），可以使用串行外设接口（SPI）访问。与SRAM不同的是，该器件具有单元非易失性，不需要保持数据所需的备用电池。该器件没有擦除和编程存储器单元的机制，例如用于各种EEPROM的存储器单元。

新产品发布时间 : 2018-09-15