【产品】100V/47A的N沟道场效应管BRCS120N10SZC,采用PDFN5*6封装,VDS值为100V
蓝箭电子推出的N沟道场效应管BRCS120N10SZC,采用PDFN5*6封装。其具有低电阻可最大地降低导电损耗;低栅极电荷,可实现快速切换;低热阻,是一种无卤产品。BRCS120N10SZC适用于用户、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。其VDS值为100V,ID值为47A,Tj和TSTG温度范围为-55~+150°C。
图 1
特征
●低电阻可最大地降低导电损耗
●低栅极电荷,可实现快速切换
●低热阻
●无卤产品
用途
适用于用户、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
极限参数
表 1
电性能参数
表 2
外形尺寸图
图 2
包装规格
表 3
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由三年不鸣转载自蓝箭电子,原文标题为:PDFN5*6封装N沟道场效应管BRCS120N10SZC,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【产品】60V/85A无卤低热阻N沟道场效应管BRCS035N06SZC,低栅极电荷可实现快速切换
蓝箭电子N沟道场效应管BRCS035N06SZC,采用PDFN5*6封装。低电阻可最大地降低导电损耗;低栅极电荷,可实现快速切换;低热阻,是一种无卤产品。VDS值为60V,ID值为85A,Tj和TSTG温度范围-55~+150°C。
产品 发布时间 : 2022-08-20
【产品】低输入电容的无卤N沟道MOS场效应管BRCS6570SC,适用于负荷开关及转换开关
蓝箭电子推出的BRCS6570SC是一款采用SOP-8塑封封装无卤N沟道MOS场效应管。具有低导通电阻,低输入电容,开关速度快的特征,适用于负荷开关,转换开关。
产品 发布时间 : 2022-04-15
【产品】N沟道MOS场效应管BRCS4N10TA,漏源击穿电压最小100V,漏源导通电阻<115mΩ
蓝箭电子推出的N沟道MOS场效应管BRCS4N10TA,采用SOT-89塑封封装。其VDS(V)值为100V,在VGS为10V时,ID=4A,RDS(ON)小于115mΩ。该产品适用于作负载开关或脉宽调制应用。
产品 发布时间 : 2022-07-14
【产品】蓝箭推出双N沟道MOS场效应管BRCS120N03YA,VDSS值30V,采用PDFN3×3-8L塑封封装
蓝箭电子推出的双N沟道MOS场效应管BRCS120N03YA,采用PDFN3×3-8L塑封封装。具有VDS(V)=30V,ID=24A(VGS =±20V),RDS(ON)@10V≤13mR(Typ.11mR),HFProduct的特征。
产品 发布时间 : 2022-11-14
【产品】蓝箭电子推出PDFN5×6封装N沟道场效应管BRCS060N08HZC,Tj温度范围-55~150℃
蓝箭电子推出PDFN5×6封装N沟道场效应管BRCS060N08HZC,具有低电阻可最大地降低导电损耗,低栅极电荷,可实现快速切换,低热阻的特征。其VDS值80V,ID值为85A,Tj和Tstg温度范围为-55~150℃。
产品 发布时间 : 2023-02-01
【产品】PDFN5×6封装的无卤N沟道场效应管BRCS060N04SZC,Tj温度范围-55~150℃
蓝箭电子推出的PDFN5×6封装N沟道场效应管BRCS060N04SZC,具有低电阻可最大地降低导电损耗、低栅极电荷、可实现快速切换,低热阻的特征。VDS值40V,ID值为30A,Tj和Tstg温度范围为-55~150℃,无卤。
产品 发布时间 : 2023-01-12
【产品】TO-220塑封封装N沟道场效应管BRCS18N20RA,具有低栅电荷、导通电阻低的特点
蓝箭电子推出的TO-220塑封封装N沟道场效应管BRCS18N20RA,具有低栅电荷,导通电阻低,快速切换应用的优化等特征。该器件适用于低压电路如:汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换。
产品 发布时间 : 2023-05-09
【产品】采用PDFN5×6封装的N沟道场效应管BRCS035N10SHZC,VDS值为100V
蓝箭电子推出的N沟道场效应管BRCS035N10SHZC,采用PDFN5×6封装。具有低电阻可最大地降低导电损耗,低栅极电荷,可实现快速切换,低热阻的特征。该产品可用于电池管理,联网直流-直流电力系统,负荷开关等。
产品 发布时间 : 2023-01-13
【产品】TO-220塑封封装N沟道场效应管BRCS3710BRA,适用于高效DC/DC转换和功率开关
蓝箭电子推出的TO-220塑封封装N沟道场效应管BRCS3710BRA,具有阻抗低,开关速度快的特征。该器件适用于高效DC/DC转换和功率开关,其VDSS值100V,ID(Tc=25℃)值为50A,Tj和Tstg温度范围为-55~150℃。
产品 发布时间 : 2023-04-01
【应用】虹美功率半导体单N沟道低压MOS场效应管有助于减少电子烟的重量和体积,降低生产成本
虹美功率半导体单N沟道低压MOS场效应管系列产品HM3400E和HM3400KR的优良性能,保证了电子烟的加热速度、稳定性和可靠性。该系列产品满足了用户的使用体验,是电子烟的理想选择。
应用方案 发布时间 : 2023-05-09
【产品】蓝箭电子推出的N沟道场效应管BRCS18N20DP,采用TO-252塑封封装,Tj温度范围为-55~150℃
蓝箭电子推出的采用TO-252塑封封装的N沟道场效应管BRCS18N20DP,具有低栅电荷,导通电阻低,快速切换应用的优化的特征。该器件适用于低压电路如:汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换。
产品 发布时间 : 2023-05-02
【产品】TO-220F塑封封装N沟道MOS场效应管BRCS65R190FAG,具有650V超结功率场效应管
蓝箭电子推出的TO-220F塑封封装N沟道MOS场效应管BRCS65R190FAG,具有650V超结功率场效应管,RDS(on)×Qg很低,100%雪崩测试的特征。该器件适用于开关电源、不间断电源、功率因数校正等,其VDSS值650V,ID值为20A。
产品 发布时间 : 2023-05-07
【产品】TO-252塑封封装N沟道场效应管BRCS016N03DP,门电荷低,适用于低压电路
蓝箭电子推出的TO-252塑封封装N沟道场效应管BRCS016N03DP,具有RDS(on)小,门电荷低,Crss小,开关速度快的特征。该器件适用于低压电路如:汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换。
产品 发布时间 : 2023-05-08
电子商城
现货市场
服务
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
可烧录IC封装SOP/MSOP/SSOP/TSOP/TSSOP/PLCC/QFP/QFN/MLP/MLF/BGA/CSP/SOT/DFN;IC包装Tray/Tube/Tape;IC厂商不限,交期1-3天。支持IC测试(FT/SLT),管装、托盘装、卷带装包装转换,IC打印标记加工。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论