【应用】P沟道增强型MOS YJG15GP10A助力电机驱动项目功率模块,采用SGT工艺和奋力栅沟技术
随着社会的发展,我们的生活、工作中越来越自动化产品。电机驱动系统作为自动化控制中的重要组成部分在工业控制及航天、航空中应用越来越多。客户在电机驱动项目的功率模块国产化方案中需要一颗100V耐压,15A的低导通电阻的P沟通增强型MOS,给其推荐了扬杰的YJG15GP10A,是了国内首款采用SGT工艺的P-100V产品,目前经过大量的市场验证,具有较好的稳定性。
功率驱动单元基本框图如下:
图1:功率模块单元的基本原理框图
在电机驱动项目功率模块单元使用YJG15GP10A会带来如下优势:
1、开关特效好:VDS为-100V,是国内第一颗采用奋力栅沟技术的P-MOSFET产品,较常规工艺具有更好的电容特效,开关特性更好。
2、导通内阻小:在R-DS(开)(V-GS=-10V时):导通内阻小于90毫欧,在R-DS(开)(V-GS=-4.5V时):导通内阻小于110毫欧。
3、封装小,形式多,有PDFN5*5、DFN3.3*3.3封装。
4、应用简单,其典型应用电路如:
图2:YJG15GP10A的典型应用电路
综上所述,电机驱动项目功率模块单元使用YJG15GP10A,其导通内阻小、开关特性更好、效率高、封装小、应用兼容性高,可较好的应用于客户电机驱动项目中,极快实现项目国产化。
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扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品,漏源电压VDSS(V):-100V~900V,漏极电流ID(A):-115~300,耗散功率PD(W):-0.83W~375W;
产品型号
|
品类
|
Package
|
Status
|
ESD
|
Configuration
|
Type
|
VDSS(V)
|
ID(A)
|
PD(W)
|
VGS(V)
|
Tj(℃)
|
Vth_Typ(V)
|
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Coss_Typ(pF)
|
Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
Grade
|
2N7002
|
MOSFET
|
SOT-23
|
Active
|
No
|
Single
|
N
|
60
|
0.34
|
0.35
|
±20
|
150
|
1.5
|
1200
|
2500
|
1300
|
3000
|
27.5
|
2.75
|
1.9
|
1.6
|
Standard
|
选型表 - 扬杰科技 立即选型
YJG15GP10A P沟道增强型场效应晶体管
本资料介绍了YJG15GP10A型场效应晶体管(MOSFET)的产品规格和应用。该器件采用分割栅槽式沟道技术,具有高密度单元设计以实现低导通电阻,适用于直流-直流转换器和电源管理功能。
扬杰科技 - P沟道增强型场效应晶体管,P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,YJG15GP10A,DC-DC CONVERTERS,POWER MANAGEMENT FUNCTIONS,电源管理功能,DC-DC转换器
扬杰科技的SGT工艺P-Channel MOSFET产品系列
扬杰科技采用先进的SGT工艺,具有较为完善的P-Channel MOSFET产品系列,包含电压范围-15V~-100V,TO系列、DFN系列、SOP系列、SOT系列等多种封装形式;可以简化高端(High-side)MOSFET应用的驱动电路,如负载开关、DC-DC、电机驱动等。
请帮忙推荐Vishay SI7465DP-T1-GE3和BYG23T-M3/TR SI7848BDP-T1-GE3 和 SI2318DS-T1-E3 4颗替代物料?
目前世强代理的扬杰科技的YJG15GP10A可以替代SI7465DP-T1-GE3,电流稍大,因P沟道的规格较少,该规格书参考:YJG15GP10A P-Channel Enhancement Mode Field Effect (sekorm.com),扬杰科技的BY133G,替代BYG23T-M3/TR,规格书链接:BY133G General Purpose Rectifier (sekorm.com),YJG70G06A替代SI7848BDP-T1-GE3,规格书链接:YJG70G06A N-Channel Enhancement Mode Field Effect (sekorm.com),YJL03N06A替代SI2318DS-T1-E3,规格书链接:YJL03N06A N-Channel Enhancement Mode Field Effect (sekorm.com)
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整流桥 Rectifier Bridge 整流二极管 Rectifier Diode 快恢复二极管 Quick-recovery Diode 超高效整流二极管 Ultra High Efficiency Rectifier Diode 肖特基二极管 Schottky Diode 光伏二极管 Photovoltaic Diode 瞬态抑制二极管 Transient Voltage Suppressor 稳压二极管 Zener Diode 放电管 Discharge Tube 静电放电 ESD 小信号开关二极管 Small Signal Switching Diode 小信号肖特基二极管 Small Signal Schottky Diode 小信号三极管 Small Signal Triode 小信号数字晶体管 Small Signal Digital Transistor 晶闸管/整流二极管/三相整流桥模块 THYRISTOR/RECTIFIER/ THREE PHASE RECTIFIE DIODE MODULE IGBT模块 IGBT MODULES 肖特基模块/碳化硅肖特基模块 SCHOTTKY MODULES/SIC SCHOTTKY MODULE 快恢复二极管模块 FRD DIODE MODULES 中低压MOS管 Medium and Low Voltage MOS Tube
扬杰科技 - 晶闸管/三相整流桥模块,小信号三极管 SMALL SIGNAL TRIODE,SMALL SIGNAL DIGITAL TRANSISTOR,瞬态抑制二极管,THYRISTOR,晶闸管,碳化硅肖特基模块,ZENER DIODE,小信号三极管,静电放电,中低压 TRENCH MOS,稳压二极管,IGBT MODULES,肖特基二极管,SGT MOS,ULTRA HIGH EFFICIENCY RECTIFIER DIODE,肖特基模块,TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR,快恢复二极管模块,整流桥,超快恢复二极管,小信号开关二极管,SIC SCHOTTKY MODULE,DISCHARGE TUBE,快恢复二极管,RECTIFIER BRIDGE,超高效整流二极管,光伏二极管,放电管,三相整流桥模块,THREE PHASE RECTIFIER MODULE,SCHOTTKY MODULES,FRD DIODE MODULES,SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE,晶闸管模块,QUICK-RECOVERY DIODE,功率模块,小信号数字晶体管,ESD,整流二极管模块,整流二极管,中低压MOS管,SCHOTTKY DIODE,THREE PHASE RECTIFIE DIODE MODULE,小信号肖特基二极管,IGBT模块,三相整流桥模,MEDIUM AND LOW VOLTAGE MOS TUBE,PHOTOVOLTAIC DIODE,SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE,RECTIFIER DIODE 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