【产品】4Mx36＆8Mx18＆16Mx9 bit四同步流水线突发SRAM,，采用高性能6T CMOS技术

时间： 2022-05-20 来源：NETSOL

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四同步流水线突发SRAM,S7T4436T2M,S7T4418T2M,S7T4409T2M

S7T4436T2M、S7T4418T2M和S7T4409T2M是NETSOL推出的150,994,944bit四同步流水线突发SRAM，S7T4436T2M为36位，4,194,304个字；S7T4418T2M，为18位，8,388,608个字；S7T4409T2M为9位，16,777,216个字。

在同一周期内通过独立的数据输出和输入端口支持DDR读写操作，可以实现四重操作。由于数据可以在K和K#的每个上升沿传送到SRAM中和从SRAM中传送出来，存储器的带宽得到了最大限度的提高，完全独立的读写端口消除了对高速总线周转的需要。读写地址在输入时钟K的交替上升沿锁存。数据输入和输出以及所有控制信号与输入时钟（K或K#）同步。读取数据参考回显时钟（CQ或CQ#）输出。

S7T4436T2M、S7T4418T2M和S7T4409T2M支持数据输入、输入时钟（K、K#）和BWx#的芯片端接(ODT)。芯片端接可以减少系统板上的电阻元件数量和复杂布线。因此，系统设计可以更简单且成本更低。公共地址总线用于访问地址以进行读写操作。对于读取和写入操作，内部突发计数器固定为2位。

同步流水线读取和提前写入可实现高速操作。通过使用R#和W#进行端口选择来完成简单的深度扩展。x18(x36)器件的BW0#和BW1#（BW2#和BW3#）引脚支持字节写操作，x9器件仅支持BW#引脚。

IEEE1149.1串行边界扫描(JTAG)简化了监控封装焊盘与系统的连接状态。

S7T4436T2M、S7T4418T2M和S7T4409T2M采用Netsol的高性能6T CMOS技术实现，并提供165pin的FBGA封装。多个电源和接地引脚可最大限度地减少地弹效应。

特性

• 采用1.8V+0.1V/-0.1V电源

• 用于宽输出数据有效窗口和频率扩展的DLL电路

• I/O 供电电压 1.5V+0.1V/-0.1V for 1.5V I/O, 1.8V+0.1V/ -0.1V for 1.8V I/O

• 独立的读写数据端口，可并发读写操作

• HSTL类型IO接口

• 完整的数据一致性，保证提供最新数据

• 同步流水线读取和自定时的提前写入机制

• 读延迟：2 个时钟周期

• 具有寄存器地址、控制和数据输入/输出

• 读写端口采用双数据率（DDR）接口

• 固定的2位突发读写操作

• 时钟可停止，可以减少电流

• 两个仅用于时钟上升沿的精确DDR时序输入时钟（K 和K#）

• 两个回显时钟（CQ 和CQ#），增强输出数据的可追溯性

• 支持数据有效引脚(QVLD)

• 数据输入，K、K 和 BWx 具有片上端接 (ODT)

• 单地址总线

• 具有字节写入（x9、x18、x36）功能

• 独立的读/写控制引脚（R 和 W）

• 简单的深度扩展，无数据竞争

• 可编程输出阻抗(ZQ)

• JTAG 1149.1 兼容的测试端口

• 165FBGA（11x15 球栅阵列 FBGA），封装尺寸为 13x15mm，无铅

关键参数

* -E(F)C(I)

E(F) [封装类型]: E-Pb Free, F-Pb

C(I) [工作温度]：C-商用，I-工业

逻辑框图

4Mx36

8Mx18

16Mx9

典型应用电路

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【产品】S6R16xxx1M系列16位异步快速SRAM，采用先进CMOS工艺，存储容量16M

NETSOL推出的S6R1616(V/C/W)1M和S6R1608(V/C/W)1M是一款存储容量按16(8)位组织为1M(2M)字，16,789,216位的高速静态随机存取存储器。

2022-07-23 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】4Mb异步快速SRAM存储器S6R40xxx1A系列，采用先进的CMOS工艺和6-TR的单元技术

NETSOL S6R4016(V/C/W)1A和S6R4008(V/C/W))1A是一款存储容量为4,194,304位的异步快速SRAM存储器，存储结构是由16(8)位组成256K(512K)字。S6R4016(V/C/W)1A(S6R4008(V/C/W)1A)使用16(8)条公共输入和输出线，并具有一个输出使能引脚，该引脚的运行速度比读取周期中的地址访问时间快。

2022-08-16 - 新产品代理服务技术支持采购服务

Netsol总部位于韩国，成立于2010年，是全球领先的非商品存储提供商。Netsol的Wafer由SK HYNIX ＆ SAMSUNG提供，封测服务则由专业的封测厂家SFA 提供，保证一流的品质。Netsol以高速、低延迟和低功耗内存设计技术而闻名。

异步快速存储芯片异步低功耗存储芯片同步存储芯片四重速率同步存储芯片双倍速率同步存储芯片单电子非易失闪存

代理服务线上商城技术资料

NETSOL SRAM产品选型指南

目录- Asynchronous Low Power SRAM Asynchronous FAST SRAM Synchronous SRAM DDR SRAM QDR SRAM

型号- S7K1618U2M,S6L8016W2M,S6R8008C1A,S6LXXXXXXX-PTSS,S7R320982M,S7K6418U2M,S6RXXXXXXX-PTSS,S7B163635M,S7M323635M,S6R3216W1M,S7R161882M,S6R2008C1A,S6R1608W1M,S7S6418U4M,S6L8016W1M,S7A641830M,S7M803635M,S7L3218U2M,S7S1618U4M,S7Q163664M,S7R163682M,S6L2016W1M,S7N321831M,S7R641884M,S6R1616C1M,S7S6436U4M,S6R1016C1A,S7M401835M,S7R320984M,S6L8008C2M,S6R8016W1A,S7Q161864M,S7R161884M,S7M801835M,S7S1636U4M,S7A161830M,S7S4436T4M,S7K6418T2M,S7N801831M,S7K1636U2M,S7I321882M,S6L1008C2M,S7J161882M,S6L2016W2M,S7S6418T4M,S7B643635M,S7A403630M,S6L2008C2M,S6R4008V1A,S7K6436U2M,S7S6436U2M,S7J641882M,S7S1618T4M,S7Q163662M,S7R641882M,S6L4016C2M,S7I643684M,S7T6436T4M,S7R441884M,S7L3236T2M,S7T1636T4M,S7S4436U4M,S7K3236T2M,S7N323631M,S6L1016W1M,S7I161884M,S7Q161862M,S7S3236T4M,S7T3236U4M,S7S4418T4M,S6R1008W1A,S6R2016C1A,S7M641835M,S7T3218T4M,S7M161835M,S7J323682M,S7I163684M,S6R4008W1A,S7R323682M,S7XXXXXXXX-ETSS,S7I643682M,S6L4008W1M,S7B641835M,S7K1618T2M,S7R441882M,S6R2008V1A,S6L8016C1M,S7L3236U2M,S7S4436U2M,S7XXXXXXXX-PTSS,S7S6418U2M,S6R1608V1M,S7A803630M,S7N803631M,S6R1008V1A,S7S4418U4M,S7B161835M,S7I641884M,S7A323630M,S6R4016C1A,S7L3218T2M,S7T3218U4M,S7R323684M,S7I163682M,S7B323635M,S6R2008W1A,S7B803635M,S7N403631M,S7L6418U2M,S6R1616V1M,S6R8008W1A,S7R321882M,S7S3236U2M,S7S4418U2M,S7R640982M,S6L8016C2M,S6R3208W1M,S7M643635M,S6R1608C1M,S7A801830M,S7L6436U2M,S7I641882M,S7S3218U4M,S7L1618U2M,S7A321830M,S7T6436T2M,S7T6436U4M,S7J321882M,S6R1016W1A,S7K3236U2M,S7T1636U4M,S6L2008W2M,S7T4436T4M,S6R8016C1A,S6R1616W1M,S7N641831M,S7R321884M,S7I161882M,S7B401835M,S7S3236U4M,S6L4016C1M,S7T3236T4M,S7M163635M,S6L1008W2M,S6L2008W1M,S6L8008W2M,S7L6436T2M,S7S3218T4M,S7N161831M,S6R1008C1A,S7S6436T4M,S7B403635M,S7R443682M,S7I321884M,S7M403635M,S7S1636T4M,S7T4436T2M,S7T4436U4M,S6R1016V1A,S6L4016W1M,S7R643684M,S7K1636T2M,S7N163631M,S7L1636T2M,S7T4418U4M,S7T6418T4M,S6R4008C1A,S7T4418T2M,S6R4016V1A,S6L4008C1M,S6L2016C1M,S7K6436T2M,S6L4016W2M,S7K3218T2M,S7I323684M,S7T1618T4M,S7J163682M,S6R2016W1A,S7J643682M,S7M321835M,S7R443684M,S7B801835M,S7L6418T2M,S7A643630M,S7A401830M,S7L1636U2M,S7R643682M,S7A163630M,S7T6418T2M,S7T4418T4M,S7T6418U4M,S7B321835M,S6L1016C1M,S6R4016W1A,S7N643631M,S7R163684M,S7T1618U4M,S7S3218U2M,S7N401831M,S7L1618T2M,S7K3218U2M,S7I323682M,S6R2016V1A,S7R440982M

2022/2/9 - NETSOL - 选型指南代理服务技术支持采购服务

Compatibility of MRAM? I'm using a memory now and how I can figure out my current memory is compatible with which Netsol's MRAM?

Netsol’s MRAM supports Serial Peripheral Interface and Parallel Peripheral Interface with package type of 8WSON, 8SOP, 48FBGA, 44TSOP2 and 54TSOP2. Netsol’s SPI MRAM is compatible with SPI FeRAM, SPI NOR flash, SPI nvSRAM and other vendors’ MRAM because of the same footprint with them. Netsol’s PPI MRAM with 48FBGA, 44TSOP2, and 54TSOP2 packages is compatible with PPI FeRAM, Low-power SRAM, and PPI nvSRAM.

2024-05-28 - 技术问答

NETSOL MRAM产品选型表

目录- MRAM产品

型号- S3A1004R0M-HI1A,S3A8004R0M-JI1A,S3R4016V1M-UI70,S3A4004V0M-HI1A,S3A2004V0M-AI1A,S3R1016V1M-XI70,S3A1604V0M-AI1A,S3A8004V0M-JI1A,S3A4004R0M-HI1A,S3A1004V0M-HI1A,S3A2004R0M-AI1A,S3A8004V0M-AI1A,S3A1004V0M-AI1A,S3A2004V0M-JI1A,S3R2016V1M-UI70,S3A1604V0M-HI1A,S3A1604R0M-AI1A,S3A1604R0M-HI1A,S3A1004R0M-AI1A,S3A2004R0M-JI1A,S3R1016V1M-UI70,S3A8004R0M-AI1A,S3R2016V1M-XI70,S3A8004R0M-HI1A,S3A1004R0M-JI1A,S3R1608V1M-UI70,S3R1616V1M-XI70,S3R4008V1M-XI70,S3A4004V0M-JI1A,S3A4004R0M-JI1A,S3R1616V1M-PI70,S3R8016V1M-XI70,S3R8008V1M-UI70,S3A1004V0M-JI1A,S3A8004V0M-HI1A,S3R8016V1M-PI70,S3A1604V0M-JI1A,S3R1608V1M-XI70,S3R4008V1M-UI70,S3R1008V1M-UI70,S3R4016V1M-XI70,S3A2004V0M-HI1A,S3R2008V1M-XI70,S3A2004R0M-HI1A,S3R8008V1M-XI70,S3A4004R0M-AI1A,S3R1008V1M-XI70,S3R2008V1M-UI70,S3A1604R0M-JI1A,S3A4004V0M-AI1A

2022/12/9 - NETSOL - 选型指南代理服务技术支持采购服务

Magnetic field environment? My product can be exposed to various magnetic field environment conditions. Where can I check with which condition Netsol's MRAM can be operated properly?

Netsol tested Netsol’s MRAM in a 300-Gauss environment to ensure that there is no abnormality in its operability.

2024-05-28 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

S6R4016WEB S6R4008WEB 4MB异步。快速SRAM B-Die异步快速SRAM，带ECC 1.65V~3.6V规格书

描述- 本资料为Netsol Corporation的4Mb异步快速SRAM（S6R40xxWEB）的技术规格书。文档提供了该产品的初步技术细节，包括引脚分配、电气特性、操作模式等。

型号- S6R4008WEB-UI10,S6R4016WEB-XI08,S6R4016WEB-UI10,S6R4008WEB-UI08,S6R40XXWEB,S6R4016WEB-XI10,S6R4008WEB,S6R4016WEB-UI08,S6R4016WEB

Jul. 2023 - NETSOL - 数据手册 - Rev. 0.0 代理服务技术支持采购服务

NETSOL公司简介

描述- 该资料主要介绍了NETSOL Co., Ltd.在半导体领域的业务和发展历程。公司成立于2010年，专注于 niche memory 市场和逻辑及系统解决方案。NETSOL拥有丰富的开发经验和销售渠道，产品包括SRAM、MRAM、SLC NAND等。资料详细描述了公司的供应链、分包商、产品开发以及长期产品路线图。

2022/2/9 - NETSOL - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

Applications of MRAM? I work in a specific field and it's not easy to match the given applications with mine. How can I check Netsol's MRAM is suitable for my application?

The given applications of Netsol’s homepage is just several examples verified by Netsol and Netsol’s customers. Netsol’s STT-MRAM has advantages of low power consumption, various density, fast read/write speed and price competitiveness. With those advantages, Netsol’s STT-MRAM can be applied to any applications with which other memories like MRAM/FeRAM/SRAM/NOR flash/nvSRAM are currently used.

2024-05-28 - 技术问答

S3A1004VOM S3A2004V0M S3A4004V0M S3-A8004VOM S3-A1604V0MS3-A1004R0MS3-A2004R0Ms3A4004ROMS3A8004ROMS3A1604R0m 1MB~16MB SPI MRAM

型号- S3A8004V0M-AI1AT00,S3A1604R0M-JI1AT00,S3A4004R0M-AC1AT00,S3A1004R0M-JC1AT00,S3A4004V0M-JI1A000,S3A1004R0M-JI1AT00,S3A8004V0M-AC1AT00,S3A1604V0M-JI1AT00,S3A1004V0M-JC1AT00,S3A1604V0M-JC1AT00,S3A4004V0M-AI1AT00,S3A1004V0M-JI1AT00,S3A4004V0M-JC1A000,S3A4004V0M-AC1AT00,S3A2004V0M-AI1AT00,S3A8004R0M-JC1A000,S3A2004R0M-JI1AT00,S3A1604R0M-JC1A000,S3A1604R0M-JI1A000,S3A2004R0M-JC1AT00,S3A8004V0M-JC1A000,S3A8004R0M-JI1A000,S3A8004V0M-JI1A000,S3A2004V0M-JC1AT00,S3A1004R0M-AC1AT00,S3A2004R0M-AI1AT00,S3A4004R0M-JC1A000,S3A4004R0M-JI1A000,S3A1004V0M-AI1AT00,S3A2004V0M-JI1AT00,S3A2004R0M-JC1A000,S3A1004V0M-AC1AT00,S3A8004R0M-JI1AT00,S3A1604V0M-AC1AT00,S3A2004R0M-JI1A000,S3A4004R0M,S3A8004V0M-JC1AT00,S3A1004R0M-AI1AT00,S3A1604V0M-AI1AT00,S3A2004V0M-JC1A000,S3A1604R0M-AI1AT00,S3A2004R0M-AC1AT00,S3A8004V0M-JI1AT00,S3A4004R0M-JC1AT00,S3A2004V0M-JI1A000,S3A1604V0M-JI1A000,S3A1004R0M-JI1A000,S3A1604R0M,S3A1004V0M,S3A4004V0M,S3A4004R0M-JI1AT00,S3A1604V0M,S3A8004R0M-JC1AT00,S3A1604R0M-AC1AT00,S3A1004R0M,S3A4004V0M-JC1AT00,S3A4004V0M-JI1AT00,S3A2004V0M-AC1AT00,S3A1004R0M-JC1A000,S3A2004V0M,S3A8004R0M-AI1AT00,S3A1604V0M-JC1A000,S3A8004R0M,S3A8004R0M-AC1AT00,S3A8004V0M,S3A2004R0M,S3A1004V0M-JC1A000,S3AXXXXXXX-XXXXXXX,S3A1604R0M-JC1AT00,S3A4004R0M-AI1AT00,S3A1004V0M-JI1A000

Jan. 2023 - NETSOL - 数据手册 - Revision 1.0 代理服务技术支持采购服务

【产品】存储容量32Mb的S6R32xxx1M系列异步快速SRAM，基于6-TR的单元技术制造

NETSOL推出的S6R3216W1M和S6R3208W1M是容量为33,578,432位的SRAM，采用先进的CMOS工艺、基于6-TR的单元技术制造，专为高速电路技术而设计，特别适用于高密度高速系统应用，采用行业标准的48FBGA和48TSOP1封装。

2022-06-28 - 产品代理服务技术支持采购服务

Magnetic shielding of MRAM? Does Netsol take measures such as shielding the MRAM chip or package? Do I have to consider any extra shielding in my product?

Netsol does nothing about the shielding because it’s not required. So you don’t have to take any extra effort for shielding issue.

2024-05-28 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

NETSOL product 停产通知

描述- NETSOL宣布停产多款Asynchronous Low Power SRAM和Asynchronous Fast SRAM产品，涉及多个型号，包括S6L2016W1M-UI55至S6R8016W1A-UI10等。

型号- S6R8016W1A-UI10,S6R1616W1M-XI10,S6R1016W1A-UI10,S6R1016V1A-UI10,S6L1016W1M-UI55,S6L4008C1M-LI55,S6R2016W1A-UI10,S6R4008W1A-UI10,S6R2016V1A-UI10,S6L8008C2M-UI55,S6R4008V1A-UI10,S6L8016W1M-UI55,S6R4016W1A-XI10,S6R1008V1A-LI10,S6R1616V1M-YI10,S6L4016W1M-UI55,S6R1616W1M-YI10,S6L2008W2M-LI55,S6L4008W1M-LI55,S6R4008C1A-UI10,S6L1008C2M-LI55,S6R3216W1M-XI10,S6R4016W1A-UI10,S6R4016V1A-UI10,S6R2008W1A-UI10,S6L2016W1M-UI55

2022/11/2 - NETSOL - 产品变更通知及停产信息代理服务技术支持采购服务

NETSOL STT-MRAM选型表

Netsol的Serial STT-MRAM具有非易失特性和几乎无限的耐用性。对于需要使用最少数量的引脚来快速存储、检索数据和程序的应用程序而言，是最为理想的存储器。适用于工业设备中的代码存储、数据记录、备份和工作存储器。可替代 Flash、FeRAM 、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。容量从1Mb~16Mb，电源供应：1.8V（1.71V～1.98V）或3.3V（2.7V～3.6V），具有SDR和DDR串行接口兼容性的单线、双线和四线SPI，数据保存期：10年，写入耐力 : 10的14次方，工业标准引脚及封装：8WSON、8SOP。