【选型】国产N沟道增强型场效应晶体管可与CSD17303Q5 P2P兼容互换，参数基本一致

时间： 2021-10-01 来源：世强

代理服务

技术支持

采购服务

在DC-DC转换器、电源管理等应用上常用到功率MOS管来做开关作用，YJG105N03A是扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管，采用沟槽功率中压MOSFET技术，具有出色散热能力的封装，与TI 的CSD17303Q5在应用上可以Pin to Pin互相替换。

两者主要参数对比如下：

从主要参数对比上可以看到：

1、两者的耐压一致，该参数可以为选型应用时直接匹配；

2、在额定电流上，扬杰科技MOS管YJG105N03A做到105A，完美匹配TI 的CSD17303Q5的100A；

3、此外扬杰科技YJG105N03A具有非常低的低RDS（ON），最大不超过3.0mΩ（@VGS= 10V, ID=20A），极低的导通电阻可有效降低开关损耗，可以看到，TI 的CSD17303Q5的最大导通阻抗为2.7mohm，两者相差不大，可以替换使用；

4、TI 的CSD17303Q5的封装为SON，扬杰科技YJG105N03A的封装为PDFN，两者相差不大，且两者尺寸一样，并且Pin 脚一一对应，可以做到Pin to Pin互换。

两者的封装信息如下：

从以上参数和封装可以看出，扬杰科技的YJG105N03A可与TI的CSD17303Q5 P2P兼容互换。可应用于DC-DC转换器、电源管理功能、背光源等领域。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由HeiShl提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

平台合作

提交评论

全部评论（0）

暂无评论

【选型】可PTP替代NCE30H11BG的30V/105A N沟道增强型场效应晶体管，管脚定义一致

YJG105N03A是扬杰科技推出的30V/105A N沟道增强型场效应晶体管，已100%通过UIS和▽VDS测试，采用沟槽功率中压MOSFET技术，以及具有出色散热能力的封装，可PIN-TO-PIN替代NCE30H11BG。

2021-09-24 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

扬杰科技MOSFET选型表

扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；

Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)

Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)

选型表 - 扬杰科技立即选型

【产品】60V/5A的N沟道增强型场效应晶体管YJS05N06A，采用沟槽功率低压MOSFET技术

扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJS05N06A，SOP-8封装。采用沟槽栅低压功率MOSFET技术和低RDS(ON)的高密度单元设计，可用于高速开关。

2020-12-19 - 新产品代理服务技术支持采购服务

YJG2D0G04AQ N沟道增强型场效应晶体管

本资料详细介绍了YJG2D0G04AQ型号的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、应用领域和电气特性。该产品采用分割栅槽MOSFET技术，具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的散热性能，适用于电源开关应用、不间断电源和DC-DC转换器等领域。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJG2D0G04AQ,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR

19-Oct-24 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

YJH03N10A N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJH03N10A型号的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用 trench power MV MOSFET技术，具有低导通电阻和高热散耗能力。适用于直流-直流转换器和电源管理功能。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJH03N10A,DC-DC CONVERTERS,POWER MANAGEMENT FUNCTIONS,电源管理功能,DC-DC转换器

3-Nov-22 - 数据手册 - Rev.3.1 代理服务技术支持采购服务

YJL03N06B N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJL03N06B型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用 trench power LV MOSFET技术，具有低导通电阻和高速度开关特性，适用于电池保护、负载切换和电源管理等应用。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJL03N06B,BATTERY PROTECTION,POWER MANAGEMENT,电源管理,电池保护,LOAD SWITCH,负载开关

28-Oct-20 - 数据手册 - Rev.3.0 代理服务技术支持采购服务

YJW018C60CF N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJW018C60CF型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、特性参数和应用领域。该器件具有600V的漏源电压、102A的连续漏极电流和小于18.5毫欧姆的导通电阻，适用于电动汽车充电器和AC-DC电源管理等领域。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJW018C60CF,SEVER,TELECOM,割断,电信,EV充电器,EV CHARGER,AC-DC POWER MANAGEMENT,PC电源,AC-DC电源管理,PC POWER

28-Aug-24 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

YJG110G10B N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJG110G10B型号的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有高电流承载能力、低导通电阻和良好的热散性能。它适用于电源开关应用，如不间断电源和DC-DC转换器。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJG110G10B,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR

24-Oct-23 - 数据手册 - Rev.1.1 代理服务技术支持采购服务

【产品】内置两个MOS管的DFN5060-8L封装N沟道增强型场效应晶体管YJGD20G10A，采用高密度单元设计

扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJGD20G10A，内置两个MOS管，MOS管的漏源电压均为100V，漏电流均为20A（@TC=25°C）。采用高密度单元设计，具有较低RDS（ON），最大不超过22mΩ（@VGS= 10V, ID=15A），较低的导通电阻可降低开关损耗。

2020-11-24 - 新产品代理服务技术支持采购服务

YJQ8D0G04AJ N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJQ8D0G04AJ型号的N-Channel增强型场效应晶体管（MOSFET）。该产品具有40V的漏源电压、45A的连续漏极电流和小于8mΩ的导通电阻，适用于电源管理、背光和DC-DC转换器等应用。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJQ8D0G04AJ,DC-DC CONVERTERS,背光,POWER MANAGEMENT,电源管理,BACKLIGHTING,DC-DC转换器

03-Jul-24 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

YJG20N06A N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJG20N06A N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、电气参数和应用领域。该器件采用 trench power MV MOSFET技术，具有低导通电阻、高热散耗能力和良好的封装设计，适用于直流转换器、电源管理和背光等应用。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJG20N06A,DC-DC CONVERTERS,背光,POWER MANAGEMENT FUNCTIONS,BACKLIGHTING,电源管理功能,DC-DC转换器

24-Oct-23 - 数据手册 - Rev.3.3 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

YJG20N06A N沟道增强型场效应晶体管

该资料介绍了YJG20N06A N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品规格和应用。产品采用 trench power MV MOSFET技术，具有高密度单元格设计以实现低RDS(ON)，适用于直流-直流转换器、电源管理功能和背光等应用。

06-Nov-20 - 数据手册 - Rev.3.2 代理服务技术支持采购服务

YJG20N06A N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJG20N06A N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用 trench power MV MOSFET技术，具有低导通电阻和高热散耗能力，适用于直流转换器、电源管理功能和背光等应用。

12-Oct-20 - 数据手册 - Rev.3.1 代理服务技术支持采购服务

YJL2302A N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJL2302A型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、技术规格、电气特性及应用领域。该器件采用 trench power lv mosfet 技术，具有低导通电阻和高速度开关特性，适用于电池保护、负载切换和电源管理等应用。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJL2302A,BATTERY PROTECTION,POWER MANAGEMENT,电源管理,电池保护,LOAD SWITCH,负载开关

11-Nov-20 - 数据手册 - Rev.3.0 代理服务技术支持采购服务

YJQ4D8G04HQ N沟道增强型场效应晶体管

本资料详细介绍了YJQ4D8G04HQ型号的N-Channel增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、电气参数、应用领域和封装信息。该产品适用于电机驱动、DC-DC转换器和电池保护等应用，具有高密度设计、低导通电阻和良好的散热性能。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJQ4D8G04HQ,DC-DC CONVERTERS,MOTOR DRIVE,BATTERY PROTECTION,电池保护,DC-DC转换器,电动机驱动

28-Jun-24 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

YJD180N03A N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJD180N03A N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品规格和应用。该器件采用 trench power MV MOSFET技术，具有低导通电阻、良好的散热性能和高密度设计等特点。适用于直流-直流转换器、电源管理功能和背光等应用。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJD180N03A,DC-DC CONVERTERS,背光,POWER MANAGEMENT FUNCTIONS,BACKLIGHTING,电源管理功能,DC-DC转换器

28-Apr-22 - 数据手册 - Rev.3.1 代理服务技术支持采购服务