【选型】国产N沟道增强型场效应晶体管可与CSD17303Q5 P2P兼容互换,参数基本一致
在DC-DC转换器、电源管理等应用上常用到功率MOS管来做开关作用,YJG105N03A是扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管,采用沟槽功率中压MOSFET技术,具有出色散热能力的封装,与TI 的CSD17303Q5在应用上可以Pin to Pin互相替换。
两者主要参数对比如下:
从主要参数对比上可以看到:
1、两者的耐压一致,该参数可以为选型应用时直接匹配;
2、在额定电流上,扬杰科技MOS管YJG105N03A做到105A,完美匹配TI 的CSD17303Q5的100A;
3、此外扬杰科技YJG105N03A具有非常低的低RDS(ON),最大不超过3.0mΩ(@VGS= 10V, ID=20A),极低的导通电阻可有效降低开关损耗,可以看到,TI 的CSD17303Q5的最大导通阻抗为2.7mohm,两者相差不大,可以替换使用;
4、TI 的CSD17303Q5的封装为SON,扬杰科技YJG105N03A的封装为PDFN,两者相差不大,且两者尺寸一样,并且Pin 脚一一对应,可以做到Pin to Pin互换。
两者的封装信息如下:
从以上参数和封装可以看出,扬杰科技的YJG105N03A可与TI的CSD17303Q5 P2P兼容互换。可应用于DC-DC转换器、电源管理功能、背光源等领域。
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扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品,漏源电压VDSS(V):-100V~900V,漏极电流ID(A):-115~300,耗散功率PD(W):-0.83W~375W;
产品型号
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品类
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Package
|
Status
|
ESD
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Configuration
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Type
|
VDSS(V)
|
ID(A)
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PD(W)
|
VGS(V)
|
Tj(℃)
|
Vth_Typ(V)
|
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Coss_Typ(pF)
|
Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
Grade
|
2N7002
|
MOSFET
|
SOT-23
|
Active
|
No
|
Single
|
N
|
60
|
0.34
|
0.35
|
±20
|
150
|
1.5
|
1200
|
2500
|
1300
|
3000
|
27.5
|
2.75
|
1.9
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1.6
|
Standard
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选型表 - 扬杰科技 立即选型
【产品】60V/5A的N沟道增强型场效应晶体管YJS05N06A,采用沟槽功率低压MOSFET技术
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