【产品】-30V/-9.1A的P沟道增强型功率MOSFET RM4435，采用SOP-8封装

时间： 2019-11-11 来源：丽正国际

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丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。

RM4435是丽正国际推出的一款采用SOP-8封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻R_DS(ON)、低栅极电荷和低栅极电压，栅极电压低至4.5V，广适用于多种应用。

在T_A=25°C时，RM4435可以承受的漏源电压最大额定值为-30V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为-9.1A，漏极脉冲电流最大额定值为-50A，最大功率耗散为3.1W，结温和储存温度范围为-55~150℃，结到环境热阻典型值为40℃/W。

产品特性
•V_DS =-30V,I_D =-9.1A

R_DS(ON)<35mΩ @ V_GS=-4.5V

R_DS(ON) <20mΩ @ V_GS=-10V

•高功率和优秀的电流处理能力

•无铅产品

•表面贴装

应用领域

l 电源开关

l 负载开关

l 电源管理

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HelloSEKORM Lv7. 资深专家 2019-11-12

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sxy4517 Lv5. 技术专家 2019-11-12

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