【产品】-30V/-9.1A的P沟道增强型功率MOSFET RM4435，采用SOP-8封装
丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。
RM4435是丽正国际推出的一款采用SOP-8封装的P沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷和低栅极电压，栅极电压低至4.5V，广适用于多种应用。
在TA=25°C时，RM4435可以承受的漏源电压最大额定值为-30V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为-9.1A，漏极脉冲电流最大额定值为-50A，最大功率耗散为3.1W，结温和储存温度范围为-55~150℃，结到环境热阻典型值为40℃/W。
产品特性
•VDS =-30V,ID =-9.1A
RDS(ON) <35mΩ @ VGS=-4.5V
RDS(ON) <20mΩ @ VGS=-10V
•高功率和优秀的电流处理能力
•无铅产品
•表面贴装
应用领域
l 电源开关
l 负载开关
l 电源管理
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