【产品】采用TO-247封装的N沟道超结功率MOSFET NCE80T320T，导通电阻260mΩ

时间： 2022-12-17 来源：NCE

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NCE推出N沟道超结功率MOSFET NCE80T320T。该系列器件采用先进的沟槽栅极超级结技术，设计出具有低栅极电荷的出色的R_DS（ON）。这种超级结MOSFET符合PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的行业AC-DC SMPS要求。该产品具有低导通电阻和低传导损耗，符合RoHS标准。应用领域包括功率因素校正（PFC）、开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）。

特性：

低导通电阻和低传导损耗

小封装

超低栅极电荷降低了驱动要求

100%雪崩测试

符合RoHS标准

应用领域：

功率因素校正（PFC）

开关模式电源（SMPS）

不间断电源（UPS）

原理图：

包装丝印和订购信息：

表1 绝对最大额定值（T_C=25℃）

*受最高结温限制

表2 热特性

表3 电气特性（TA=25℃，除非另有说明）

注释1 重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制

注释2 Tj=25℃，VDD=50V，VG=10V，R_G=25Ω

典型电气特性和热特性（曲线图）

图1 安全工作区

图2 瞬态热阻抗

图3 源漏二极管正向电压

图4 输出特性

图5 传输特性

图6 静态漏源通态电阻

图7 R_DS(ON)vs 结温

图8 BV_DSS vs 结温

图9 电容

图10 栅极电荷波形

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