【产品】flow0封装IGBT功率模块，Vincotech压接技术、帮助缩短PCB组装时间

时间： 2017-01-03 来源：世强

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IGBT功率模块,10-FZ06BIA083FI-P896E,flow0,10-PZ07BIA030SM01-P894E68Y

——采用VINCOTECH全新压接技术，显著缩短PCB组装时间，节省人工和成本

10-FZ06BIA083FI-P896E、10-*Z07BIA030SM02-P894E58*以及10-*Z07BIA030SM01-P894E68*都是致力于开发生产高质量电子功率组件的Vincotech公司推出的功率模块系列产品。这些系列功率模块采用1~solar拓扑结构以及紧凑型、低电感的flow0封装，高度为12mm或17mm。

10-FZ06BIA083FI-P896E功率模块的工作电压可达600V，工作电流为30A。它是一款集成了SIC MOSFET 和SIC二极管的功率模块，具有高频率特性，开关频率可以大于100KHZ，用于高频系统中，可明显减少产品整体体积。内部集成的SiC MOSFET 和SiC二极管，可以直接用于DC转AC逆变电路，减少了硬件数量，并且可以大幅度减小电感电容体积，显著提高系统效率，减小成本。10-FZ06BIA083FI-P896E可以应用在更高的驱动频率，低内阻，且SiC二极管几乎没有反相回复尖峰，有利于效率提高，并且降低产品散热片的体积，改善EMC性能。

该系列的另外一位成员10-*Z07BIA030SM02-P894E58*则采用了Infineon公司先进的IGBT H5技术进行设计，通过降低组件的寄生电容，从而保证器件具备极高的工作速度，同时具有低饱和电压和优秀的开关切换性能。IGBT H5芯片与H3代相比，具备诸多优越特性，包括提高了耐压值达650V。10-*Z07BIA030SM02-P894E58*静态饱和压降Vce由1.95V降低到1.63V，大幅度降低导通损耗；门极电荷Qg由223vC降低到70vC，有效提升开关速度；另外开关损耗由0.89mJ降到0.43mJ。总之，采用英飞凌650V TRENCHSTOP™ 5 技术的Vincotech IGBT为硬开关应用提供了无与伦比的效率。

10-*Z07BIA030SM01-P894E68*模块将Boost电路和全桥逆变器集成在一起，其中Boost电路的MOSFET还采用了SiC二极管器件，使得变换器能达到较高的开关频率，并具有更高的效率和更低的损耗。该模块的额定电压为650V，额定电流为30A，可以满足太阳能逆变器的设计需求。它的体积仅有约28cm³，可以满足高功率密度的要求，同时模块内部还集成了热敏电阻，为温度保护提供了便利。采用该模块还可以减少布线带来的电磁干扰，使变换器具有更好的可靠性和稳定性。并且通过在板上使用最先进的IGBT H5芯片技术，该模块可支持超高速切换，传导和切换损耗均非常低。

该系列功率模块采用了Vincotech全新的压接技术，能够显著缩短PCB组装时间，节省人工和成本。通过该技术能够将功率模块便捷可靠地安装在PCB上，由于功率模块通过机械方式按压安装，因此不再需要任何焊接操作。预涂相变材料的使用使得该系列功率模块可以有效的提升客户生产效率，同时又能有效的降低由于导热材料涂抹不均匀带来的散热性能降低带来的风险。

产品应用：

1）10-FZ06BIA083FI-P896E

• 电源

• 焊接

• 太阳能逆变器

2）10-*Z07BIA030SM02-P894E58*

• 太阳能逆变器

3）10-*Z07BIA030SM01-P894E68*

• 太阳能逆变器

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产品型号	品类	产品状态	拓扑	电压(V)	电流(A)	模块高度 (mm)	晶圆工艺	封装
10-0B06PPA004RC-L022A09	SiC功率模块	Series production	PIM+PFC(CIP)	600V	4A	17mm	IGBT RC	flow 0B

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产品型号	品类	SUB-TOPOLOGY	PRODUCT LINE	VOLTAGEIN（V）	CURRENTIN(A)	MAIN CHIP TECHNOLOGY	HOUSING FAMILY	HEIGHTIN（mm）	ISOLATION
V23990-K429-A40-PM	IGBT功率模块	CIB-KE-NTC	MiniSKiiP® PIM 3	1200	75	IGBT4	MiniSKiiP® 3	16	Al2O3