在线慕尼黑展：电力，电源及功率半导体展区
【New】CALY 1200V/1.5Ω双碳化硅（SiC）限流器，可承受高达1200V的浪涌瞬变
●正向模式下的击穿电压高于1200V；
●出色的电流钳制能力
【New】耐压高达3300V碳化硅（SiC）二极管，具有极低的待机和开关功率损耗
●工作温度范围、存储温度范围均为-55~+175°C
●可快速切换且与温度无关，提供零反向和正向恢复
【New】最大Vc电压达219V的二极管，集成了TVS，大幅降低EMI干扰
●700V快恢复二极管+600W双向TVS二合一
●电路有效吸收MOSFET关断尖峰，降低EMI干扰"
【选型】Diotec（德欧泰克）具有轴向引线的二极管/整流器选型指南
漏电流小于10uA，节电率可达20~60%的整流器件
●最大重复峰值反向电压VRRM从50~1600V，最大交流输入电压有35~1000V
●最大可承受正向峰值浪涌电流IFSM达450A，可有效的应对变频器开机启动时浪涌电流的冲击。"
【New】吸收反向峰压达150V，trr小于300ns的二极管系列
●反向峰值电压高达200V；
●抗浪涌电流高达700A
●反向漏电流低至30uA"
【选型】Diotec（德欧泰克）具有轴向引线的二极管/整流器选型指南
结温高达175℃，反向恢复仅40ns的快速软恢复二极管
●600V/40A反向恢复时间典型值仅为40ns（TVJ = 25℃）
●结壳热阻为1.1K/W，损耗低
【选型】Littelfuse（力特）IXYS功率半导体选型指南
集电极发射极电压最大为1700V的高电压IGBT模块
●miniBLOC，采用氮化铝隔离
●隔离电压为3000V（IISOL ≤1mA，t=1s）
【选型】Littelfuse（力特）IXYS功率半导体选型指南
双路共源GaN晶体管超低RDS(on)=80mΩ，Qg仅0.8nC
●RDS(on)的典型值仅为80mΩ，VDS =60V、VGS =5V、ID=4A时总闸极电荷的典型值极低，仅为0.8nC
●BGA封装1.3x1.3mm超小尺寸
【选型】EPC（宜普）硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管选型指南
EPC LGA封装Qrr=0，适用于高频开关的40V增强型氮化镓晶体管
●VDS=100V，Rds（on）=16mΩ，
●零反向恢复损耗
【选型】EPC（宜普）硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管选型指南
【New】面积仅1.1mm²的100V/25mΩ氮化镓晶体管，比等效硅MOSFET小30倍
●工作在50 V–12 V降压转换器、500 kHz开关及4 A输出电流时可实现97%效率
●有对应开发板EPC9091可供评估
【选型】EPC（宜普）硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管选型指南
【New】1200V超低导通阻抗80mΩ&160mΩ的标准SiC MOSFET
●通用TO-247-3L封装， Rds(on)随着温度变化差异小，损耗低
●可完全替代cree且成本低20%
【产品介绍】Littelfuse SiC MOSFETs Gate Drive Requirements
【商城】LSIC1MO120E0080，LSIC1MO120E0160现货及样品
Qg典型值仅为4.3nC的增强型N沟道650V MOSFET
●X2级别，具有N通道增强模式
●当VGS=10V、VDS =0.5•VDSS、ID=0.5•ID25时，产品的QG（on）典型值仅为4.3nC
【数据手册】IXTY2N65X2 IXTP2N65X2 X2-ClassPower MOSFET 数据手册
Igt=50mA、Vgt<1.5V的40A/1200V高效低损耗UPS用可控硅
●控制门极电流低至50mA
●导通损耗低至23W
【数据手册】CLE40E1200HB High Efficiency Thyristor 数据手册
峰值驱动电流9A，可应用于SiC MOSFET的高频驱动器
●4.5-35V宽工作电压，上升延迟和下降延迟时间小于45ns
●符合汽车级AEC-Q100认证
【数据手册】IXD_609SI Automotive Grade 9-Ampere, Low-Side, Ultrafast MOSFET Drivers
110℃时集电极输出电流达140A的IGBT单管助力电驱逆变设计 IGBT
●单管四个并联使用，集电极总输出电流达640A
●低饱和压降VCEsat，导通损耗低
【选型】Littelfuse（力特）IXYS功率半导体选型指南
内置多重保护的2.5A驱动光耦，共模瞬态抑制可达到25kV/μs
●内置Miller钳位保护功能
●高速开关速度，高低电平的最大切换时间仅为200ns
●安全可靠，8mm的爬电距离
【数据手册】Renesas（瑞萨电子） PS9402 IGBT驱动光耦数据手册
绝缘电压达5KV的IGBT驱动光耦，1%采样精度，2.5A驱动电流
●输出电流2.5A，方便直接驱动IGBT
●抗干扰能力更强，共模抑制比CMTI达50KV/us
【数据手册】Renesas（瑞萨电子） PS9031 IGBT驱动光耦数据手册
【New】反向传输电容Cres比上一代降低80%的IGBT，助力IGBT并联均流实现
●高速开关速度，最高可达100KHZ
●TO-247plus离散封装类型中首个带内置二极管的IGBT，减少整体发热
【New】业界最低RDS(on)7mΩ的碳化硅FET，更高效率，更低损耗
●业界最低RDS(on)，逆变器设计中可实现超过99％的效率
●4引脚开尔文封装，有更优的驱动特性"
【选型】UnitedSiC SiC FET/SiC JFET/SiC肖特基二极管选型指南
【New】新出超低RDS(on)的SiC FET，DFN 8×8封装，可取代已有Si器件
●扁平型DFN 8×8表面贴装封装
●额定电流均为18A，最高工作温度为150℃
●内置的ESD保护，防护等级为MSL3
【选型】UnitedSiC SiC FET/SiC JFET/SiC肖特基二极管选型指南
【商城】UnitedSiC SiC FET/SiC JFET/SiC肖特基二极管系列现货及样品
比IGBT模块开关损耗降低了64%，水冷散热器的体积减少88%的SIC模块
●开关损耗大幅降低，有助于设备节能
●与同等额定电流的IGBT模块相比，相同开关频率的损耗5kHz驱动时降低30％、20kHz驱动时降低55％，综合损耗显著减少"
【New】AEC-Q101第三代SiC MOSFET，较第二代导通电阻降低约50%，输入电容降低约35%
●工作温度范围-55℃～+175℃、TO-247N封装、支持AEC-Q101
●第三代沟槽栅结构，面向xEV车载充电器和DC/DC转换器
【New】低导通电阻，高速开关超级结MOS,可替换coolMOS，减少应用损耗
●通过调整芯片内部的极结构，实现低噪声性能，并且可以抑制因噪声引起的损耗
●改良低噪声内部MOSFET结构，极大地改善了影响开关速度的GateCharge特性
●第3代PrestoMOS具有快速反向恢复时间，反向恢复时不易引起振荡
【New】1200V耐压汽车级IGBT单管，导通损耗（Vcesat）低至1.7V
●短路承受时间为10us，满足车载产品高可靠性的要求
●导通损耗（Vcesat）低至1.7V，与竞争对手同类产品（1200V/40A）相比，导通损耗降低了10%~15%。"
【New】集成度高，具有丰富保护功能的第二代IPM，实现高性能电机控制
●将IGBT、FWD、自举二极管、栅极驱动器封装一体化，集成度高
●具有丰富的保护功能，包括短路电流保护、电源欠压保护、过热保护以及过流保护
【选型】ROHM（罗姆）IPM（智能功率模块）选型指南（中文）
第三代650V IGBT，晶圆厚度相对于前一代减小15％，降低动态损耗
●用于快速开关的RGTV系列，其短路耐受时间（SCWT）为2 μs
●用于更快速开关的RGW系列，主要针对SCWT不做要求的应用
●相对于第2代产品，在小功率条件时效率相对提高了1.4％，而中高功率条件下的改善为0.4％
【商城】650V IGBT RGTV系列、650V IGBT RGW系列现货及样品
正向压降低至0.35V的小信号肖特基势垒二极管，用于小型开关电源
●采用SOD-523封装，尺寸小，功率密度高
●具有较低的正向压降VF，可降低电路中所需电压的条件，有利于电路设计，同时可降低导通时的功率损耗
供货稳定双通道P沟道MOSFET,最大仅0.5Ω的低导通电阻
●最大仅0.5欧姆低导通电阻使它具有低的导通损耗，从而取得高效率
●ESD防护电压2kV，具备完整的瞬态保护。
【选型】Central Semiconductor（中央半导体）场效应管(MOSFETs)选型指南
主流Econo封装，使用新型SLC和IMB技术的IGBT模块，满足中功率段需求
●低损耗，高效率第七代晶圆
●新型SLC及绝缘金属基板（IMB）技术
【应用方案】Vincotech（威科）VINco E3满足中功率段需求的新封装应用方案
【商城】VINcoDUAL E3 (VINco E3s)、VINcoPACK E3 (VINco E3)系列现货及样品
主流Easy封装，搭配三菱M7晶圆的IGBT模块，用于低功率运动控制
●采用三菱第七代晶圆，损耗更低，效率更高
●与业内同类产品相比热阻[Rth[j-s]]减少了20%，延长了寿命，具有更大功率和更高的可靠性"
【应用方案】Vincotech（威科）用于低功率运动控制，搭配IGBT M7的E1/E2应用方案
【商城】Vincotech flow E1/E2系列现货及样品
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小英子 Lv5. 技术专家 2020-10-11学习 -
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陆二舒 Lv5. 技术专家 2020-07-27好 -
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邀星53174287 Lv7. 资深专家 2020-07-10学习 -
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水缸里的鲤鱼 Lv7. 资深专家 2020-07-03参加活动
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