【产品】爱仕特推出的650V N沟道MOSFET，实现高耐压和简单驱动，最大结温为150℃
碳化硅（SiC）MOSFET使用了一种全新的技术。与硅MOSFET相比，该技术可提供优异的开关性能以及更高可靠性。此外，低导通电阻和小巧芯片可保证低电容和栅极电荷。因此，其系统优点包括效率最高、工作频率更快、提高功率密度、降低EMI并使系统尺寸变得更小。爱仕特推出的650V N沟道MOSFET（型号为ASR50N650D88），100%通过雪崩测试，最大结温为150℃，符合RoHS标准，应用范围广泛。
产品特性
·以低电容提供高速开关
·低漏源通态电阻，实现高耐压
·采用标准栅极驱动，实现简单驱动
·100%通过雪崩测试
·最大结温为150℃
·符合RoHS
产品应用
·电动汽车充电
·DC-AC逆变器
·高压DC/DC转换器
·开关式电源供应器
·功率因数校正模块
·电动机
订购信息
绝对额定最大值（Tc=25℃）
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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