【应用】60V N沟道增强型MOSFET PJW4N06A-AU用在汽车转向灯闪烁器中，有效提高电路效率和安全性
汽车转向灯系统一般由转向开关、闪光器、左右转向信号灯组成，其原理如图1所示。当驾驶员通过拨动转向灯控制杆向某一方向时，转向信号灯开关接通相应的信号灯回路，通过闪烁器的通断控制，转向信号灯以一定的频率明暗交替闪烁。国标规定信号灯频闪一般在60~120次/min。
图1. 汽车转向系统原理图
闪烁器的实现原理简单，常用方案是通过振荡器回路控制继电器或者功率管的交替通断来实现信号灯频闪效果，图2所示为一种汽车转向灯闪烁器的原理图。该方案采用运算放大器组成振荡电路来控制MOSFET的交替通断。当转向开关接通信号灯时，该电路开始工作，由于C2电容初始电压为0，运放引脚1输出高电平，MOSFET导通；同时引脚1通过R5对C2充电，C2电压不断升高，直到超过运放同相输入端的电压，此时运放引脚1输出翻转，MOSFET截至，然后不断的重复此过程。MOSFET在此处电路中起到电流开关的作用，在选型时可采用具有高脉冲电流、低导通阻抗的器件，以提高电路的可靠性和效率。针对此处的应用，PANJIT（强茂）推荐使用PJW4N06A-AU这款60V N沟道增强型MOSFET，该MOSFET导通电阻小于100mΩ（VGS=10V，ID=3A），最大脉冲漏极电流IDM可达8A，并通过了AEC-Q101认证，是一款高可靠的汽车级功率MOSFET。产品外观如图3所示。
图2. 转向灯闪烁器电路原理
图3. PJW4N06A-AU产品外观
PJW4N06A-AU最大漏源电压VDS为60V，最大连续漏极电流ID在TA=25℃为4A，TA=70℃为3.2A，最大脉冲电流IDM高达8A（脉宽小于等于300us, 占空比小于等于2%），符合转向灯闪烁器工作时电压电流要求（汽车转向灯通常21W，前后两只，部分车型配有5辅助灯，总共47W左右，工作时MOSFET漏极电流波形为3~4A脉冲波形(车载蓄电池为12V)）；同时，最大可承受耗散功率PD在TA=25℃时为3.7W，TA=70℃时为2.6W。栅极总电荷Qg为5.1nC(典型值)，具有超低的驱动损耗，有利于提高电路的转换效率。输出电容COSS为39pF(典型值)，低输出电容有利于优化MOSFET开通关断时的漏-源电压波形，降低损耗和EMI干扰。开通时间（td(on)+tr）为8.9ns，关断时间（td(off)+tf）为39ns，具有运行在高开关速度下的能力。该MOSFET采用绿色环保塑封并符合IEC 61249标准，通过了EU RoHS 2.0认证，是一款绿色环保的的功率器件。其封装为SOT-223，具有低矮的结构，稳固牢靠且节省空间。工作结温温度-55~175℃，达到军工温度等级水平，可在苛刻的环境下应用。
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产品型号
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品类
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Product Status
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AEC-Q101 Qualified
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Config.
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RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(7V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
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Ciss Typ.(pF)
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VGS(th) Max.(V)
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Qg Typ. (nC)(10V)
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Qg Typ. (nC)(4.5V)
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PSMQC060N06LS1-AU
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Medium Voltage MOSFET
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DFV5060-8L
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New Product
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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