【经验】EPC eGaN FET和eGaN IC PCB封装设计指南

2020-09-23 EPC
eGaN FET,eGaN IC,EPC2045,EPC2016C eGaN FET,eGaN IC,EPC2045,EPC2016C eGaN FET,eGaN IC,EPC2045,EPC2016C eGaN FET,eGaN IC,EPC2045,EPC2016C

EPC晶圆级芯片规模的封装,如图1所示的LGA和BGA封装,已经在功率转换方面将性能提升了一个新水平。这些部件中许多都使用低至400μm的细间距,这就意味着一个良好的PCB封装设计对于GaN器件的一致性和可靠性是很重要的。本文是根据数据手册为EPC器件设计正确封装的指导原则——以EPC2016CEPC2045为例,分别从LGA和BGA封装来完成介绍,其中涉及的铜层紧贴在器件,阻焊开窗,适当的丝网层和锡膏之下。

    

需要注意的是,EPC建议使用防焊限定(SMD)焊盘而不是非防焊限定(NSMD)焊盘。SMD封装方式电感值更低,并能够改善回流焊中的对齐性;NSMD封装方式在回流焊过程中有较高的错位率,从而导致了铜皮的有效接触面积,进而降低了焊点质量和器件的载流能力。


铜焊盘和阻焊层设计

在每个EPC器件手册中都能找到定义了阻焊层的完整SMD设计,没有定义的是铜焊盘。良好的SMD焊盘设计要求在x和y方向上的物理尺寸都比较大,其中包括了制作过程中的公差,这将能解决阻焊层和铜皮之间的误差问题。EPC建议在使用其器件时采用±2mils或者±50μm的公差。对于阻焊层厚度,EPC建议采用的最大值为25um。

       

建议的阻焊层开窗可能只由PCB厂商根据自己的具体工艺进行调整,但是最终结果必须和手册中的建议保持一致。推荐铜添加值可以在接下来几页的图表中找到。

EPC2016C LGA例:

  • 手册中展示了一个LGA封装的焊盘,大小为1362um*180μm

  • ±45um的单向公差=90μm总公差

  • 铜焊盘最小设计=1453*270μm

图2 接地焊盘对比:NSMD(不建议)和SMD(建议)

EPC2045 BGA实例:

  • 手册中展示的BGA封装焊盘设计直径为230um

  • ±50um的单向公差=100um总公差

  • 铜焊盘最小尺寸=230+100=330um

  • 同一节点的铜焊盘可以保持一致


丝印层开放设计

EPC器件的丝印层设计有以下两个目的:

1)冲模定位位置和方向;

2)冲模限位位置要求丝印层满足铜层建议公差值。

EPC建议丝印层设计应该包含:

  • 4角的限制表示标注器件形状

  • 用窄虚线画的框线

  • 一个标识符对应一个引脚

建议丝印层的模板设计如图3、4所示。

图3 丝印设计对比开路(建议),封闭(不建议)

图4 合适的丝印层设计


实线矩形框包围部分的设计,可以阻挡回流焊中的焊剂流出,可以在底部为其创建一个通路。用来除去焊剂和清洗PCB的冲洗过程也许不能完全的清理EPC器件增加树突形成的可能性。


表1 LGA封装器件推荐铜层尺寸


EPC2016C LGA实例

以下是手册中建议阻焊层开窗大小。阻焊层开窗如下图所示:

阻焊层厚度建议值25um(1mil)或者更少。


EPC2016C 铜接地焊盘

如表1,一个180um宽度的阻焊层开窗,铜接地焊盘应该扩展90um从而总尺寸达到270um。类似的,一个1362um长度的阻焊层开窗,铜接地焊盘应该扩展95um从而总长度达到1457um。不同电气节点之间的最小的铜皮空间应该在130um。铜接地焊盘大小如下图所示:

表2 BGA封装推荐铜层尺寸


EPC2045 BGA尺寸

以下是手册中阻焊层开窗建议大小。

阻焊层开窗如下图所示

建议阻焊层厚度在25um(1mil)或者更少。


EPC2045铜接地焊盘

如表2所示,一个阻焊层开窗大小为230um,其铜接地焊盘应该扩展90um从而总尺寸达到320um。铜接地焊盘大小如下图所示:

结论

本文成功设计一款EPC PCB封装提供了设计步骤和其它重要信息。好的封装将为工作在5V或者更高电压下的器件提供更高的成品率和可靠性。


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 1

本文由Win翻译自EPC,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。

相关研发服务和供应服务

评论

   |   

提交评论

全部评论(1

  • lgg Lv7. 资深专家 2020-10-09
    学习
没有更多评论了

相关推荐

【经验】EPC推出的用于氮化镓器件的LGA和BGA封装寄生电感低、尺寸小和热性能出色,应用时需考虑相关制造和设计事项

LGA和BGA封装提供了充分利用eGaN技术能力所必需的低寄生电感、小尺寸和出色的热性能。通过适当的制造技术,使用eGaN器件的组件将具有高产量和长而可靠的工作寿命。本文EPC将就LGA和BGA器件封装、正确的焊点大小和回流曲线等展开叙述,这些都是关键的设计考量因素。

2022-08-06 -  设计经验 代理服务 技术支持 批量订货

How2GaN | 如何设计具有最佳布局的eGaN® FET功率级

eGaN FET的开关速度比硅基MOSFET更快,因此需要更仔细地考虑印刷电路板(PCB)布局设计以最小化寄生电感。寄生电感会导致过冲电压更高,同时减慢开关速度。本篇笔记将会探讨使用eGaN FET设计最佳功率级布局的关键步骤,来避免上述不良影响并最大化转换器性能。

2024-10-24 -  设计经验 代理服务 技术支持 批量订货

【经验】eGaN FET EPC2016C开发板EPC9126的调试技巧分享

EPC9126是EPC公司推出的针对eGaN FET EPC2016C的demo板,在调试过程中经常会碰到各种问题,本文就调试步骤做一下总结。1、确认5V电源是否正确。2、确认信号发生器PWM信号是否正确,符合要求的应该是5V幅值,占空比为50%的输入信号。3、J8端信号确认,主要是确认开发板U3/U5芯片没有损坏。

2020-02-05 -  设计经验 代理服务 技术支持 批量订货

EPC eGaN®FET/晶体管选型表

EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V

产品型号
品类
Configuration
VDSmax(V)
VGSmax(V)
Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
QG typ(nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
QRR(nC)
CISS (pF)
COSS (pF)
CRSS (pF)
ID(A)
Pulsed ID (A)
Max TJ (°C)
Package(mm)
Launch Date
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
Single
15
6
30
0.745
0.23
0.14
0.42
0
86
67
20
3.4
28
150
BGA 0.85 x 1.2
Apr, 2017

选型表  -  EPC 立即选型

BRC Solar Selects EPC 100V eGaN FETs for Next Generation Solar Optimizer

Designing EPC‘s EPC2218 100V FETs into BRC Solar GmbH‘s next generation M500/14 power optimizer has enabled a higher current density due to the low power dissipation and the small size of the GaN FET making the critical load circuit more compact.

2022-08-26 -  应用方案 代理服务 技术支持 批量订货

【应用】eGaN FET EPC2051助力激光雷达发射端高功率纳秒级别脉冲设计

在激光雷达的发射链路中,为实现雷达高分辨率的设计,需产生高功率、纳秒级别的激光脉冲。要达到这样的设计要求,普通MOS不能满足要求,需要采用GaN 搭配高功率Laser器件进行实现。EPC2051是EPC公司生产的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),已经成功的应用在激光雷达上。

2020-04-29 -  应用方案 代理服务 技术支持 批量订货

How to Design a 12V-to-60V Boost Converter with Low Temperature Rise Using eGaN FETs

This Talk EPC will examine the design of a 12V to 60V, 50W DC/DC power module with low temperature rise using eGaN FETs in the simple and low-cost synchronous boost topology.

2021-11-01 -  设计经验 代理服务 技术支持 批量订货

EAS egallium氮化物放大器2.1评估套件Class-D高性能egallium氮化物FET放大器平台

描述- 该资料介绍了EAS eGaNAMP 2.1评估套件,这是一款高性能的eGaN FET放大器平台。该平台包括eGaNAMP2016放大器模块、D2Audio DAE-3HT/DAE-6控制器/数字信号处理器,支持立体声、2.0和2.1通道音频配置。平台提供高保真音频参考,支持多种音频输入源接口,包括立体声模拟音频输入、光S/PDIF数字音频输入和AES-EBU数字音频输入。此外,该平台具有完全可编程的DSP前端,支持USB接口进行编程,并兼容D2Audio DAE-3、DAE-3HT和DAE-6 IC。

2017/06/16  - EPC  - 技术文档 代理服务 技术支持 批量订货

【产品】EPC新型200V eGaN FET的性能相比传统Si MOSFET提高了一倍

EPC推出新型200V eGaN FETs(氮化镓增强型功率晶体管),相比于传统的硅功率MOSFET的性能提高了一倍。新第五代设备的尺寸仅为上一代产品的一半,栅电极和源电极之间的距离有所减小,金属层的厚度增加等诸多改进使第五代FET的性能提高了一倍。

2020-11-04 -  新产品 代理服务 技术支持 批量订货

eGaN FETs Are Low EMI Solutions!

GaN FETs can switch significantly faster than Si MOSFETs causing many system designers to ask − how does higher switching speeds impact EMI? In this blog, EPC discusses simple mitigation techniques for consideration when designing switching converter systems using eGaN® FETs and will show why GaN FETs generate less EMI than MOSFETs, despite their fast-switching speeds.

2020-08-15 -  新产品 代理服务 技术支持 批量订货
展开更多

电子商城

查看更多

品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥7.0719

现货: 7,706

品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥20.5466

现货: 2,011

品牌:EPC

品类:Integrated Gate Driver eGaN® IC

价格:

现货: 0

品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥2.6758

现货: 42,178

品牌:EPC

品类:Power Transistor

价格:¥8.3620

现货: 13,165

品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥4.8739

现货: 11,741

品牌:EPC

品类:Enhancement-Mode Power Transistor

价格:¥4.6827

现货: 6,656

品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥6.1879

现货: 6,367

品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥15.8639

现货: 5,739

品牌:EPC

品类:Laser Driver

价格:¥8.7920

现货: 5,476

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥3.5000

现货:3,059

品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥26.0000

现货:941

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

服务

查看更多

MCU烧录/Flash烧录/CPLD烧录

可烧录IC封装SOP/MSOP/SSOP/TSOP/TSSOP/PLCC/QFP/QFN/MLP/MLF/BGA/CSP/SOT/DFN;IC包装Tray/Tube/Tape;IC厂商不限,交期1-3天。支持IC测试(FT/SLT),管装、托盘装、卷带装包装转换,IC打印标记加工。

最小起订量: 1pcs 提交需求>

2G/3G/4G射频测试

支持GSM / GPRS 等多种制式产品的射频测试,覆盖所有上行和下行的各项射频指标,包括频差、相差、调制、功率、功控、包络、邻道泄漏比、频谱、杂散、灵敏度、同道干扰、邻道干扰、互调、阻塞等等。满足CE / FCC / IC / TELEC等主流认证的射频测试需求。

实验室地址: 深圳 提交需求>

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面