【产品】N沟道MOS场效应管BRCS4N10TA，漏源击穿电压最小100V，漏源导通电阻＜115mΩ
蓝箭电子推出的N沟道MOS场效应管BRCS4N10TA，采用SOT-89 塑封封装。其VDS (V) 值为100V，在VGS为10V时，ID= 4A，RDS(ON)小于115mΩ。该产品适用于作负载开关或脉宽调制应用。
图 1 实物图
特征
●VDS (V) =100V
●ID= 4A (VGS=10V)
●RDS(ON)< 115mΩ (VGS=10V)
●RDS(ON)< 150mΩ (VGS=4.5V)
●无卤产品
应用
适用于作负载开关或脉宽调制应用
极限参数
表 1
电性能参数
表 2
外形尺寸图
图 2
包装规格
表 3
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