【经验】分配好RAM空间,助你更好的使用瑞萨RL78系列16位MCU的自编程库
单片机MCU的FLASH自编程是指用现有FLASH中遗留的软件或者程序,对FLASH本身进行编程或擦写的功能,通过自编程代码可以实现bootloader更新的功能,而bootloader 功能对于嵌入式系统特别是汽车电子的嵌入式开发具有重要意义。
瑞萨低功耗高集成的RL78系列16位MCU芯片,同样支持自编程功能,并提供了自编程软件库,以方便工程师通过调用自编程函数来实现。在使用自编程时会碰到一些问题,例如,自编程库对内部存储空间的要求等。本文针对在使用瑞萨RL78的自编程库时出现的RAM空间占用问题进行解答。
RL78的自编程库可从链接下载:Renesas(瑞萨电子) RL78 for IAR自编程示例程序。由于自编程库需要对FLASH进行操作,同时又需要MCU去执行自编程的FLASH代码,在要求在执行FLASH自编程时,部分软件代码要在RAM空间中运行,因此,执行自编程需要给MCU分配一定的RAM空间。如下图1所示:
图1 执行自编程时ROM,RAM使用分配
上图中,在执行自编程时正常不应该产生中断,如果需要中断,需要将中断映射到RAM空间中运行。同时如果在执行自编程BGO模式时,自编程库程序会在RAM中运行代码,主程序通过回读自编程函数的运行状态来判断是否已完成FLASH操作命令。
那么既然要预留RAM空间给自编程库运行,那具体需要预留多少空间呢,可参照下图2所示,从以下链接下载瑞萨SELF-RAM使用量的说明文档:
图2 瑞萨自编程库self ram使用分配
上图2中所示的文档可从以下链接下载:Self RAM list of Flash Self-Programming Library for RL78 Family。上图2中所示,自编程FSL库需要预留1K左右的RAM空间,但大部分的MCU中会预分配这样的RAM区域,不需要再额外预留。仅少部分如上图2 中有指明地址的,需要额外分配,以瑞萨RL78/F13系列的R5F10BBF与R5F10BBG来说,R5F10BBF由于有预留SELFRAM区域,因为不需要从RAM中再分配一段给FSL库使用,而R5F10BBG则需要将0xFDF00H~FE2FFH的RAM空间区域预留给自编程库使用。在FSL初始化时,会将该RAM区域空间清0,因此当使用自编程功能时,该区域无法再分配给其它代码使用。
综上所述,瑞萨RL78系列MCU提供自编程库,可用于生成bootloader程序,自编程库使用时,部分MCU需要预留SEFL RAM区域给自编程库使用,如果没有分配该空间,会导致程序运行出现异常。
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产品型号
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品类
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闪存容量(KB)
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RAM(KB)
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数据闪存(KB)
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内核
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I/O端口数
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CSI/UART/LIN
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CAN/CAN-FD
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I²C
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其他接口
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定时器通道(8/16/32位)
|
PWM输出
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时钟频率(MHz)
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内部振荡器
|
子时钟频率(32kHz)
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A/D转换器或D/A转换器
|
电源电压(I/O)(V)
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引脚数
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封装
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最高工作温度(°C)
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其他功能
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工作温度(℃)
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Application category
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Package type1
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Package type2
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R5F10968JSP#V0
|
车规16bit MCU
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8K
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0.5K
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4K
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RL78
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16
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2/3/1
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0/-
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1
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-
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-/9/-
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4
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32
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1x15kHz
32MHz
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-
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4x10位/-
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1.8...5.5
|
20
|
PLSP0020JC-A
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85,125
|
DMA、LVI、POC
|
-40˚C to 85˚C
|
Automotive
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SSOP 0.65 mm
|
LSSOP 0.65 mm
|
选型表 - RENESAS 立即选型
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