【选型】可Pin-to-Pin替代TI TPS61178的国产同步升压器件PL305021FQ13，输出电流高达15A
TPS61178系列是内置了栅极驱动器（以实现负载断开功能）的 20V 同步升压转换器。具有集成斜坡补偿功能的固定频率峰值电流模式控制。TPS61178在短接结束后自动恢复，具有 OVP 和过热保护以避免故障运行，广泛应用于LCD显示屏的电源驱动器等地方。为降低供货渠道风险及成本，需要国产化替代方案。
本文主要论述一款由宝砾微推出可Pin to Pin替代TI TPS61178的国产同步升压器件PL305021FQ13，集成了两个低导通内阻的功率MOSFET：7mΩ的开关MOSFET和7mΩ的整流MOSFET，采用自动恒定频率的峰值电流模式控制。
两者性能参数对比如下图所示：
图1 TPS61178与PL305021FQ13电性能参数对比
从以上参数对比可以看出PL305021FQ13在输入电压、输出电压、开关频率、封装等参数与TPS61178基本一致，但在输出电流、导通电阻、反馈电压等参数均优于TPS61178。PL305021FQ13最大输出电流可以达到15A，适用于输出电流要求更高的电源设计；内部集成MOSFET的内阻最大只有7mΩ，工作效率可以达到96%，相比TPS61178，可以降低DCDC开关损耗，提高电源利用效率，减小系统功耗。
两个器件封装同为QFN13，具体引脚定义如下图所示：
图2 TPS61178（左）与PL305021FQ13（右）封装脚位对比
通过如上图示易知：TPS61178和PL305021FQ13的引脚定义完全相同，在电路设计时无需改板，可以完美实现Pin-to-Pin替换。
综上所述，宝砾微电子的同步升压器件PL305021FQ13不仅可以pin to pin替代TI的TPS61178，还在输出电流值、MOSFET内阻等特性上具有一定的优势，集成欠压锁定、过压、过温、短路等保护功能。此外PL305021FQ13是国产器件，具有更低的成本和更好的供货周期，可快速支持样品和后续量产服务，因此，推荐世强代理的宝砾微PL305021FQ13替代TPS61178进行设计。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由梅媛媛提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【选型】国产驱动芯片SGM48019可兼容IRS442731电路设计，开关上升/下降时间仅11ns
在很多变频产品里，会使用到英飞凌的IRS442731的驱动芯片来驱动后级MOSFET或者IGBT工作。在了解了客户的电路设计方案以及参数设置后，发现了国产厂牌圣邦微(SGMICRO)推出了SGM48019可以兼容IRS442731的设计使用。
【选型】国产无锡紫光微Trench MOS助力大功率步进电机驱动电路设计
大功率步进电机的驱动是通过各相有节拍的通断电流来实现的，步进电机转速完全由脉冲频率决定。而功率MOSFET为压控器件，导通压降低、耐压高、导通电流大；导通速度快，且需求的驱动电流小，是步进电机驱动电路的优选器件。无锡紫光微电子有限公司研发生产的Trench MOS为量产产品，耐压VDS范围覆盖20-150V，ID电流范围2-260A（25℃），具有较低导通电阻RDS及导通电荷，可满足客户的选型需求
【选型】满足100G光模块缓启电路设计所需的双P沟道增强型MOSFET PJS6815
考虑到成本及电路设计的灵活性，100G光模块的缓启电路目前主要还是用MOSFET来实现，此处MOSFET作为开关，要求dual P的MOS管，漏源极电压20V，MOS管导通电阻不超过100毫欧。强茂公司的PJS6815为双P沟道增强型MOSFET， VDS=20V，VGS=12V，ID=3.6A，电气参数完全满足100G光模块缓启动电路应用需求。
【经验】如何计算和设计贴片型功率MOSFET的PCB铺铜散热，防止MOSFET过热损坏？
很多情况下都选用贴片型MOSFET来设计小功率开关电源电路。但是在开关电源功率和电流升高或者环境温度升高时，MOSFET会发热严重，严重者会造成MOSFET热损坏，本文以新电元（SHINDENGEN）公司推出的一款针对工业化应用的N沟道MOSFET管P8B30HP2为例，介绍怎么计算和设计PCB的铺铜面积，给MOSFET运行时散热，实现对其的过热保护。
Si8273、Si8274和Si8275隔离式栅极驱动器的高侧/低侧驱动电路和双驱动电路设计
Si827x是Silicon Labs推出的具有高瞬态抗扰性的隔离式栅极驱动器，具有良好共模瞬变抗扰度（200kV/μs）和闩锁抑制能力（400kV/μs），适用于具有快速开关和潜在噪声的电源系统，是驱动隔离MOSFET、IGBT、SiC（碳化硅） FET 和GaN（氮化镓） FET的理想选择。本文介绍Si827x中的Si8273、Si8274和Si8275设计的高侧/低侧驱动电路和双驱动电路.
技术分享 | GLW隔离栅极驱动芯片GLd3403在伺服驱动器应用
本文针对伺服驱动器内部的逆变电路所采用的隔离栅极驱动芯片GLd3403的应用参考电路、典型参数计算、应用注意事项等多个方面进行详细阐述，旨在为大家提供完整清晰的隔离栅极驱动电路设计。
【IC】Littelfuse用于SiC MOSFET和高功率IGBT的创新低侧栅极驱动器IX4352NE
Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。IX4352NE通过一种新型9A拉/灌电流驱动器扩展了我们广泛的低侧栅极驱动器系列，简化了SiC MOSFET所需的栅极驱动电路。
【应用】国产IVCR1407SR栅极驱动器用于1kw逆变器，具有更低传播延时、高达4A的拉电流和灌电流能力
在1kw的逆变器设计中，需要采用全桥变换将直流电转换成交流电，而全桥电路则由4颗高压MOS来进行搭建，MOS的驱动往往采用专用的栅极驱动芯片来实现，本文将介绍瞻芯电子IVCR1407SR栅级驱动器在1kw逆变器上的应用。
一文了解荣湃双通道隔离驱动器Pai8233X系列的应用设计指南
隔离栅极驱动器的应用场景较为复杂和多样，在一些高频、大功率和存在噪声的场景下，隔离栅极驱动器可能会出现误动作甚至导致器件损坏。同时，不合理的PCB布局和外围电路设计也可能会导致上述问题。因此，本文基于Pai8233X系列隔离栅极驱动器，从芯片的基本应用建议、芯片高压侧多路供电方案到栅极驱动器中输入窄脉冲的影响，讨论了芯片在应用过程中可能存在的风险，旨在给出适当建议缓解上述风险带来的不利影响。
【IC】极海正式发布首款GHD3440电机专用栅极驱动器，实现对电机高精度、高速度、低功耗控制
面向电机控制市场用户需求，极海半导体继发布APM32F035电机控制专用微控制器后，全新推出首款GHD3440电机专用栅极驱动器。该新品是一款三相中压高速栅极驱动IC，专为桥式电路中驱动双N型沟道VDMOS功率管或IGBT而设计，适用于各种电池供电的直流无刷电机应用方案。
【经验】基于栅极驱动器BM6104FV-C与IXDD609的SiC MOSFET驱动电路设计
SiC MOSFET对驱动要求高，主要体现在驱动电压和驱动速度。SiC MOSFET标称驱动电压范围一般为-6~22V，其开启电压一般很低，并随温度上升而降低，但只有达到18-20V时，才能完全开通。硅器件的驱动电压最高一般为15V，所以驱动不能直接用于驱动SiC MOSFET。笔者针对应用要求，在实际设计中选用ROHM BM6104FV-C栅极驱动器并在后级添加力特的IXDD609进行功率放大。
SiC MOSFET缓冲电路设计方法
与传统的功率半导体相比，SiC MOSFET的开关速度更快，因此其电压和电流变化更急剧。这使得器件自身的封装电感和外围电路的布线电感等的影响变大（已经不容忽视），最终会导致较大的浪涌。关于这种浪涌的抑制方法，我们已经介绍过其中一种，即缓冲电路的增加方法和设计方法。
【技术大神】直流电路防反接电路设计与分享
本文是根据笔者自身的经验给大家介绍几种防反接保护电路的设计方法。
【产品】CJAB20N03 N沟道功率MOSFET，采用PDFNWB3.3×3.3-8L塑封，漏源电压最大为30V
长晶科技推出的CJAB20N03是PDFNWB3.3×3.3-8L塑封N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术设计，具有低栅极电荷和漏源导通电阻。该器件封装具有良好的散热性，适用于多种应用，包括SMPS，硬开关和高频电路，不间断电源等领域。
电子商城
现货市场
服务
可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W； 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围：4W-60W。
提交需求>
提供电子电气产品的辐射骚扰测试、辐射抗干扰测试，以及RFID，SRD，2G，3G，4G等无线产品的辐射骚扰测试、辐射杂散测试、辐射功率测试以及辐射抗干扰测试。测试频率可覆盖9KHz-26.5GHz。
实验室地址： 深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论