【产品】EPC公司推出100V、65A ePower™集成电路芯片组，重新定义功率转换
宜普电源转换公司（EPC）推出ePower芯片组系列。该系列集成了100 V氮化镓驱动器和场效应晶体管，可实现高达65 A的输出电流，专为48V DC/DC转换而设计，为高功率密度应用提供更高的性能和更小型化的解决方案，包括DC/DC转换、高密度计算应用和电动汽车、机器人和无人机的48 V BLDC电机驱动器。
EPC23101eGaN IC加上EPC2302 eGaN FET组成新的ePower集成电路芯片组，可实现100V的最大耐受电压、高达65A的负载电流和可高于1MHz的开关速度。基于宜普公司专有GaN IC技术的EPC23101集成电路的主要特点包括集成了3.3mOhm RDS(on)的高侧场效应晶体管，带有栅极驱动器、输入逻辑接口、电平转换器、自举充电、栅极驱动缓冲电路和栅极驱动器输出以驱动外部的低侧eGaN FET。EPC2302 eGaN FET具有超低的RDS(on)，仅为1.8mOhm，同时具有非常小的QG、QGD和QOSS参数，可实现低传导和开关损耗。这两款器件都采用了更耐热的QFN封装，顶部裸露，这两款器件之间的引脚布局经过优化。芯片组的占板面积为7mm×5mm，为最高功率密度的应用提供超小型化的解决方案。
EPC公司的 ePower™ 芯片组
当工作于48V/12V降压转换器时，EPC23101+EPC2302芯片组在1MHz开关频率下的效率为96%，在500kHz开关频率下的效率则为97%，并在低于50°C温升时实现65A的负载电流。ePower系列让设计人员利用氮化镓技术带来的显著性能改进，更容易设计、布局、组装并节省PCB上的占板面积和提高效率。
宜普公司首席执行官兼共同创办人Alex Lidow说："分立式功率晶体管在电源转换领域的发展已经走到尽头。硅基氮化镓集成电路在更小的占板面积上实现更高的性能，从而大大减少所需的设计工程。从数字控制器和模拟控制器的宁静或控制环境中，ePower芯片组将PWM信号转化为高电压和高电流波形以驱动各种负载。对于eMotion、机械臂和无人机，设计师可以采用ePower芯片组实现更轻、更精确、以电池操作的BLDC电机驱动器。而对于数据中心、数据通信、人工智能、太阳能MPPT和其他工业和消费应用，该芯片组可以实现具有更高效率、48V输入的DC/DC转换器"。
EPC90142开发板的最大器件电压为100V、最大输出电流为65A、采用半桥配置和EPC23101集成式ePower FET和EPC2302 eGaN FET。开发板旨在简化对ePower芯片组的评估过程。这块2”×2”（50.8 mm × 50.8 mm）电路板是为实现最佳开关性能而设计的，而且包含所有关键元件以便于评估。
宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓（eGaN®）的功率管理器件的领先供货商，氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目标应用包括直流-直流转换器、激光雷达（LiDAR）、用于电动运输、机器人和无人机的电机驱动器，以及低成本卫星等应用。此外，宜普电源转换公司继续扩大基于eGaN IC的产品系列，为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
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6
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30
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0.745
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0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
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86
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67
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20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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