【产品】专为通用放大器和开关设计的CMLT4413 硅晶体管，集电极-基极电压最大值为60V

时间： 2018-12-30 来源：Central

技术问答

Central Semiconductor （简称Central）公司是美国中央半导体公司，半导体产品处于世界领先水平，其运营团队提供最高水平的技术支持，出色的销售支持和优质的服务。Central公司推出的硅晶体管——CMLT4413，由一个隔离的2N4401 NPN硅晶体管和一个互补的隔离2N4403 PNP硅晶体管组成，采用外延平面工艺制造，环氧树脂模塑，采用SOT-563表面贴装封装。该器件专为小信号通用放大器和开关应用而设计。其产品实物图如图1所示。

图1.CMLT4413 硅晶体管产品实物图

晶体管 CMLT4413的集电极-基极电压V_CBO NPN晶体管为60V，而PNP晶体管为40V；集电极-发射极电压V_CEO NPN晶体管为40V，而PNP晶体管为40V；发射极-基极电压V_EBO NPN晶体管为6.0V，而PNP晶体管为5.0V。另外，其热阻为357°C/W，工作和存储结温均为-65 °C~+150 °C，具有耐高/低温的能力，适应性能强，这提高了其在各个电路设计中的可靠性。同时，该器件具有低反向漏电流，I_CEV的最大值为0.1μA（V _CE =35V, V_EB =0.4V）。其封装尺寸、引脚说明图如图2所示。

图2.产品封装尺寸、引脚说明图

另外，CMLT4413 晶体管的特征频率，在不同的条件下其最小值f_T分别为250MHz和200MHz；当I_C=500mA, I_B =50mA时， NPN晶体管与PNP晶体管集电极-发射极间饱和压降V_CE(SAT)最大值均为0.75V。晶体管极间电容C_ob最大值分别为6.5pF和8.5pF（V_CB =5.0V, I_E=0, f=1.0MHz ）。产品具有很好的频率特性，充放电时间短，开关损耗低。主要应用于小信号通用放大器和开关等领域。

硅晶体管CMLT4413 的主要特点：

• 集电极-基极电压V_CBO NPN与PNP分别为60V和40V

• 集电极-发射极电压V_CEONPN与PNP均为40V

• 发射极-基极电压V_EBO NPN与PNP分别为6.0V和5.0V

• 其耗散功率P_D为350mW（T_A=25℃）

• 集电极连续电流I_C为600mA

• 工作及存储结温范围为-65°C~+150°C

• 热阻为357°C/W

• 采用SOT-563封装

硅晶体管CMLT4413 的典型应用：

• 小信号通用放大器和开关

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