【产品】100V/70A的N沟道功率MOSFET RM052N100DF，封装为DFN5x6
丽正国际推出的N沟道功率MOSFET RM052N100DF，采用DFN5x6的封装设计（丝印为052N100），漏源电压为100V，漏极电流为70A(TA=25℃)，适用于DC/DC转换器等应用。其产品图和内部电路图如下图所示：
图1 产品封装原理图
产品特点：
●针对高速平滑切换进行了优化
●增强体二极管的dv / dt能力
●增强雪崩强度
●经过100％UIS测试，100％Rg测试
●VDS120V@10us
产品应用：
●DC /DC转换
●硬开关和高速电路
●电动工具
●不间断电源
●固态继电器
最大额定值参数（环境温度为25℃，除非另有说明）：
电气特性（环境温度为25℃，除非另有说明）：
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