【产品】100V/70A的N沟道功率MOSFET RM052N100DF，封装为DFN5x6
丽正国际推出的N沟道功率MOSFET RM052N100DF，采用DFN5x6的封装设计（丝印为052N100），漏源电压为100V，漏极电流为70A(TA=25℃)，适用于DC/DC转换器等应用。其产品图和内部电路图如下图所示：
图1 产品封装原理图
产品特点：
●针对高速平滑切换进行了优化
●增强体二极管的dv / dt能力
●增强雪崩强度
●经过100％UIS测试，100％Rg测试
●VDS120V@10us
产品应用：
●DC /DC转换
●硬开关和高速电路
●电动工具
●不间断电源
●固态继电器
最大额定值参数（环境温度为25℃，除非另有说明）：
电气特性（环境温度为25℃，除非另有说明）：
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由桦南翻译自丽正国际，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】CJAB20N03 N沟道功率MOSFET，采用PDFNWB3.3×3.3-8L塑封，漏源电压最大为30V
长晶科技推出的CJAB20N03是PDFNWB3.3×3.3-8L塑封N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术设计，具有低栅极电荷和漏源导通电阻。该器件封装具有良好的散热性，适用于多种应用，包括SMPS，硬开关和高频电路，不间断电源等领域。
【产品】120A/80V N沟道功率MOSFET DIT120N08，导通电阻仅4.9mΩ
DIT120N08是Diotec推出的N沟道功率MOSFET ，无铅，符合RoHS，REACH标准，具有低导通电阻，高开关速度，低栅极电荷，高雪崩能量等优点，广泛应用在DC/DC转换器，电源设备，电动工具等领域。
【产品】4开关N沟道功率MOSFET PL1303N04，漏源电压40V，连续漏极电流25A
PL1303N04是宝砾微推出的4开关N沟道功率MOSFET，采用QFN6*6-40L封装。产品具有较强的体二极管dv/dt能力和雪崩强度，经过100％的UIS测试和Rg测试，适用于DC-DC转换等。
【应用】N沟道超级沟槽功率MOSFET HMS10N15D用在电动工具中，拥有180A的脉冲漏级电流
虹美功率半导体的N沟道超级沟槽功率MOSFET HMS10N15D可以被安全地应用在绝大多数的电动工具应用上，拥有180A的脉冲漏级电流，可以让电动工具在急速启停时拥有足够的通流能力，用以保障系统的稳定运行。出厂时是100％进行UIS测试，最大程度保证其雪崩特性的有效性和一致性，为广大产品应用保驾护航。
【产品】QFN5×6薄型封装的N沟道功率MOSFET DI008N10PQ， 漏极峰值电流高达20A
Diotec推出型号为DI008N10PQ的N沟道功率MOSFET，器件采用QFN5x6薄型封装，具有低导通电阻和开关速度快等特点，产品适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，电动工具，同步整流器以及工业和商业级应用等领域。
【产品】N沟道功率MOSFET JMSH1005AC/E，具有超低漏源导通电阻、低栅极电荷、高电流能力等特性
JMSH1005AC和JMSH1005AE是捷捷微电推出的N沟道功率MOSFET，分别采用TO-220-3L和TO-263-3L封装，具有超低漏源导通电阻、低栅极电荷、高电流能力等特性。在TA=25℃条件下，其漏源电压为100V，栅源电压为±20V。
【产品】DFN5* 6mm封装，100V/74A N沟道功率MOSFET PL0807N10
PL0807N10是宝砾微推出的漏源电压100V的N沟道功率MOSFET。产品采用DFN5* 6mm封装，经过100％的UIS测试，100％的Rg测试，安全性能较好。产品适用于DC-DC转换、SMPS中的同步整流和电机控制等。
【产品】80V/200A N沟道功率MOSFET BLM04N08，最大漏源导通电阻为4mΩ
BLM04N08是上海贝岭推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，导通电阻小、低栅极电荷，适用于电源开关应用、硬开关和高频电路、不间断电源等。
【产品】采用DFN封装的40V N沟道功率MOSFET PL1303N04D3/6，连续漏极电流18/25A
PL1303N04D3/PL1303N04D6是宝砾微推出的漏源电压40V的N沟道功率MOSFET。产品体二极管dv/dt能力和雪崩强度较高，经过100％的UIS测试和Rg测试。两个型号分别为DFN3*3mm/5*6mm封装，适用于电机控制等应用。
【产品】200V/51A N沟道功率MOSFET RM50N200HD、RM50N200T2、RM50N200T7
RM50N200HD、RM50N200T2、RM50N200T7是丽正国际推出的三款N沟道功率MOSFET，分别采用TO-263、TO-220和TO-247封装，导通电阻RDS(ON)典型值均为28 mΩ。Tj=25°C时，RM50N200HD、RM50N200T2、RM50N200T7可以承受的漏源电压最大额定值为200V，栅源电压最大额定值为±20V。
电子商城
现货市场
服务
可定制ATP TE Cooler的冷却功率：40~200W；运行电压：12/24/48V(DC)；控温精度：≤±0.1℃； 尺寸：冷面：20*20~500*300；热面：60*60~540*400 （长*宽；单位mm）。
最小起订量： 1 提交需求>
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm；笔电D8热管打扁厚度1.0mm，可解40W热量；高功率D10热管可解60W热量。
最小起订量： 10000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论