【应用】频率翻倍的同时功耗下降20-30% DDR3，提升充电桩系统稳定性！

时间： 2019-07-23 来源：世强作者：XiaocaoZhou

技术问答

【摘要】如何提高系统的交换速率、存储速率是充电桩系统备受关注的问题。而DDR3产品的出现，有效地实现了这两速率的提高。ALLIANCE AS4C64M16D3A-12BAN是一款高精度、低功耗、低抖动符合汽车级标准的DDR3，非常适合充电桩计费系统的应用，可使充电管理服务平台的稳定性及时速性等性能带来更好的提升。可以完全替代其它竞争对手同类产品型号，且不需要任何设计方面的修改。

充电桩的发展趋势和要求

趋势：目前新能源汽车行业处于充电桩市场的拐点，根据国家所发布的《2015年至2020年电动汽车充电基础设施发展指南》规划，到2020年，我国将建成1.2万座换电站、480万台充电桩，然而目前阶段的充电桩铺设与规划目标差距明显。未来充电桩市场会趋于专业化，首先通过建立城市、城际公共充电网，通过对基础设施的统筹协调解决电动车车主“续般旅程焦虑”问题。其次，通过APP构建起“电源共享，互联互通”的充电桩共享模式，使个人充电桩的使用效率大幅提升。显而易见，充电桩本身的研发亟待往更高层次提升。

要求：充电桩整体系统由四部分组成：电动汽车充电桩、集中器、电池管理系统系统（BMS）、充电管理服务平台。而电动汽车充电桩的控制系统设计的总体思路是以ARM嵌入式芯片为核心处理器，用来控制充电桩实现充电操作等相关功能，并且将充电过程中用户的消费信息和充电桩自身的运行状态信息发送到后台服务器。

电动汽车充电机控制器与集中器利用CAN总线进行数据交互，集中器与服务器平台则利用有线互联网或无线GPRS网络进行数据交互，为了安全起见，电量计费和金额数据实现安全加密。因此如何提高系统的交换速率、存储速率成为了充电桩系统备受关注的问题。而DDR3产品的出现，有效地实现了这两速率的提高。

图1：充电桩系统

DDR3 AS4C64M16D3A-12BAN的优势

DDR3内存的优势：低电压、低功耗及低发热。通过8bit预取技术，DDR3内存的有效频率在DDR2的基础上再次翻倍，延续了SDR/DDR的生命，可以做到低功耗低发热。具体表现如下：

1）工作电压从1.8V降至1.5V，频率翻倍的同时功耗下降20-30%，DDR1的标准电压为2.5V、DDR2下降至1.8V、DDR3则进一步压缩至1.5V。理论上来说，同频率下DDR3会比DDR2省电达30%之多，这里需要强调的是，DDR3-1600的核心频率与DDR2-800是相同的(都是200MHz)，DDR3的IO频率虽然翻了一倍但对功耗发热的贡献不大，此消彼长之后DDR3-1600比DDR2-800省电23%；

2）时代在发展工艺在进步，使用更先进的工艺制造，容量翻倍的同时功耗再降。DDR3作为最新产品自然会使用最先进的工艺制程，与早期6Xnm工艺的颗粒相比，新投产的5Xnm可以将DRAM颗粒的功耗再降33%，还不到DDR2的一半！

AS4C64M16D3A-12BAN是一款高精度、低功耗、低抖动符合汽车级标准的DDR3，非常适合充电桩计费系统的应用，它将使充电管理服务平台的稳定性及时速性等性能带来更好的提升。该型号属于汽车级的DDR3，因此具有抗干扰性强，价格低廉的优势，可以完全替代其它竞争对手等同类产品型号，且不需要任何设计方面的修改。

除了在充电桩中的应用之外，此系列的存储器件还可广泛应用于工业测量仪表、电力监控、医疗器械、导航测绘、分析仪器、报警器、通讯设备等领域。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 1
| 转发至：

本网站所有内容禁止转载，否则追究法律责任！

全部评论（1）

康波周期 Lv7. 资深专家 2019-05-30

数据传输速率可达2MBd的高压隔离光耦

没有更多评论了

【应用】4G/1600MHz DDR3，助力高清摄像机数据高速稳定存储

Alliance的存储器AS4C256M16D3LA-12BIN。采用1.35V低电压供电的存储器（若系统是1.5V供电，可选用AS4C256M16D3-12BIN），256M x 16位数据宽度，800MHz时钟频率，封装为96-ball FBGA，工业级温度范围-40~95℃。

新应用发布时间 : 2019-07-27

【应用】512M动态随机存取存储器助力GPON高效数据传输和大容量存储

Alliance AS4C32M16SA是一种4 Bank的动态随机存取存储器（SDRAM），存储容量达到4Bank x 8Mbit x 16（ 512M ）。AS4C32M16SA采用数据预取和同步技术，最高可以以166MHz的时钟工作频率工作，可满足GPON的传输速率高，数据量大。

新应用发布时间 : 2019-07-29

【技术大神】DDR3，最了解你的人是我！

ALLIANCE公司的DDR3颗粒AS4C256M16D3-12BCN作为商业级DDR3颗粒，工作温度范围可达到0-95摄氏度，最高可支持800MHz时钟速率，适用于LTE小基站等应用领域。

设计经验发布时间 : 2016-08-02

【应用】江波龙4GB高速数据存储器DDR3用于充电桩监控，最高速率1866Mbps

目前的直流充电桩的功率已经做到600KW，可以快速的给汽车充满电，在充电过程中会有大量的数据进行快速传输。本文推荐江波龙（FORESEE）的高速数据存储器DDR3 F60C1A0004-M79W用于充电桩监控上，最高数据传输速率等级1866Mbps。

应用方案发布时间 : 2023-02-01

复旦微电亮相2024上海国际充电桩及换电站展览会，展示应用于汽车充电桩/枪的多种产品及方案

2024年5月，上海复旦微电子集团在上海国际充电桩及换电站展览会上展示了一系列应用于汽车充电桩的产品和方案，包括剩余电流保护芯片、NFC及MCU芯片和存储芯片。重点展示了B型/EV型漏电保护MCU芯片FM2213和集成电能计量功能的B/EV型剩余电流保护芯片FM2165，以及非接触通讯芯片和EEPROM+NOR Flash存储产品。这些产品在优化充电桩结构、提高安全性和计量精度方面具有显著优势。

原厂动态发布时间 : 2024-05-29

NOR FLASH+PSRAM合成芯片 64Mb以上容量，数据及地址线并行，有没有两颗可以兼容的型号。

NOR FLASH主要用于存储程序，而PSRAM（或SDRAM）则是用于存储运行时的数据，单独的NOR FLASH 和PSRAM（或SDRAM）芯片，在引脚封装、接口定义、主频上是不兼容的，所以不能用一个元器件的封装来兼容两个不同类别的存储器。但针对手机应用，由于体积和重量限制，是有用将NOR FLASH 和PSRAM封装到一起的存储器芯片的。目前我们代理的存储器品牌ALLIANCE，有用于手机的存储器DDR1（256Mb,512Mb,1Gb和2Gb，宽度16位和32位，主频166MHZ和200MHZ）,DDR2（1Gb,2Gb,4Gb和8Gb，宽度16位和32位，主频400MHZ和533MHZ）如：4Gb的AS4C128M32MD2，8Gb的AS4C256M32MD2和DDR3（16Gb,宽度32位，主频667MHZ）：16Gb的AS4C512M32MD3-15BCN，没有这种将NOR FLASH 和PSRAM（SDRAM）封装到一起的存储器芯片。

技术问答发布时间 : 2017-02-22