【产品】规格为1200V/20A的N沟道碳化硅MOSFET ASR160N1200D88,适用于充电器

2022-07-31 爱仕特
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ASR160N1200D88爱仕特推出的一款N沟道碳化硅(SiC)MOSFET,其具有低电容高速开关、高阻断电压、低RDS(on)等特点。该器件采用全新技术,与硅相比,可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。绝对最大额定值(Tc=25°C)方面,其漏源电压为1200V,耗散功率(Tc=25°C)为100W,Tc=25°C时的漏极电流(连续)为20A,结温和存储温度范围为-55°C至+150°C。TJ=25°C条件下,其漏源击穿电压的最小值为1200V(ID=250uA,VGS=0V),静态漏源导通电阻的最大值为160mΩ(VGS=20V,ID=10A)。该器件可用于LED照明、充电器、适配器、电视电源、通讯电源、服务器电源、太阳能/UP领域,其产品外形及内部电路如下图所示。




特点:

•低电容高速开关

•高阻断电压,低RDS(on)

•使用标准栅极驱动,驱动简单

•EMI和性能平衡

•符合ROHS标准

 

应用:

•LED照明

•充电器

•适配器

•电视电源

•通讯电源

•服务器电源

•太阳能/UP


订购信息:

绝对最大额定值(Tc=25°C)

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
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型号- ASR45N1200MD02

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