【产品】规格为1200V/20A的N沟道碳化硅MOSFET ASR160N1200D88，适用于充电器
ASR160N1200D88是爱仕特推出的一款N沟道碳化硅(SiC)MOSFET，其具有低电容高速开关、高阻断电压、低RDS(on)等特点。该器件采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。绝对最大额定值(Tc=25°C)方面，其漏源电压为1200V，耗散功率（Tc=25°C）为100W，Tc=25°C时的漏极电流（连续）为20A，结温和存储温度范围为-55°C至+150°C。TJ=25°C条件下，其漏源击穿电压的最小值为1200V(ID=250uA,VGS=0V)，静态漏源导通电阻的最大值为160mΩ（VGS=20V，ID=10A）。该器件可用于LED照明、充电器、适配器、电视电源、通讯电源、服务器电源、太阳能/UP领域，其产品外形及内部电路如下图所示。
特点：
•低电容高速开关
•高阻断电压，低RDS(on)
•使用标准栅极驱动，驱动简单
•EMI和性能平衡
•符合ROHS标准
应用：
•LED照明
•充电器
•适配器
•电视电源
•通讯电源
•服务器电源
•太阳能/UP
订购信息：
绝对最大额定值(Tc=25°C)
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