【产品】SiC功率模块L38x,采用最新Press-Fit技术以及结构紧凑、低电感的设计
——采用最新Press-Fit技术以及结构紧凑、低电感的设计
L38x是全球领先的电力电子模块解决方案的供应商VINCOTECH推出的优秀功率模块系列。该系列功率模块包含两款产品10-FY12B2A040MR-L387L68和10-FY12B2A040MR02-L387L63。
L38x系列功率模块可承受的最高电压达1200V,工作电流为30A。在25°C条件下,可以实现低至39 mΩ的额定导通电阻;在更高温度(Tj=150°C)工作时,导通电阻Rds(ON)也只有60mΩ,能够实现较高的系统效率,同时降低了系统的冷却需求。
该系列高效率功率模块采用SIC MOSFET技术,在减少系统体积和成本的同时简化了系统设计难度,缩短了研发周期。相比于传统Si MOSFET,SIC MOSFET具有以下显著优势:
1)低电阻特性,SiC具有低电阻特性,在相同电压和电流等级的MOSFET中,SiC MOSFET 的内阻要几倍小于Si MOSFET 的内阻,且SiC的模块体积小型化,有利于增加系统功率密度。
2)高速工作特性,SiC MOSFET相对于Si MOSFET具有更高频率的工作特性,使系统中的电容电感器件体积小型化,减小系统整体体积,同时也降低了生产加工成本。
3)高温工作特性,SiC MOSFET比Si MOSFET更适合应用于高温工作环境,原因在于一方面SiC MOSFET 自身损耗小,发热量小,自身温升相对较小,另一方面,SiC MOSFET 热导率高3倍于Si MOSFET。
Vincotech最新Press-Fit压合技术的采用,使得L38x系列功率集成模块PCB的装配时间和难度显著减少。该技术能够很容易的将电源模块可靠地安装在PCB板上,无需焊接,因为电源模块被机械地压入电路板。功率模块的引脚和电路板焊接引脚版本兼容,因此在相同的电路板布局时,可以使用压装模块取代标准的焊接模块。同时,该技术不会造成PCB板孔洞的损害,这将允许电路板的重复利用,大幅降低升级成本。对于高电流应用,该技术能够在80℃的温度下允许高达30A的电流通过,足以满足多数功率模块应用的需求。
寄生电感一直以来都是电力电子器件应用中需要克服的主要难题,尤其是对于高频和大功率应用场合。模块内部的寄生电感会造成关断过程中的过电压,寄生参数会造成模块开关过程中的波形震荡,从而增加了电磁干扰和关断损耗。L38x系列功率模块采用结构紧凑和低电感的设计,12mm flow1封装,减少了其关断损耗。常温25℃下,在电压700V、电流为32A其导通损耗和关断损耗的典型值分别低至0.397mWs和0.325mWs。
基于SiC MOSFET的优秀性能,L38x系列功率模块可广泛应用于开关电源设计、太阳能逆变器设计以及UPS的设计中。
L38x系列功率模块产品特性:
• 高效率升压器
• SIC MOSFET
• 旁路整流器,可降低交流干扰
• 专为太阳能应用设计
• 可提供压接引脚
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宇宙星神 Lv6. 高级专家 2018-11-14学了
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Jerry65 Lv5. 技术专家 2017-12-24挺好的,多多学习。。。
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柱子 Lv5. 技术专家 2017-12-24东西不错
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老杰克 Lv7. 资深专家 2017-11-02好
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