【产品】SiC功率模块L38x，采用最新Press-Fit技术以及结构紧凑、低电感的设计

时间： 2017-01-23 来源：世强

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——采用最新Press-Fit技术以及结构紧凑、低电感的设计

L38x是全球领先的电力电子模块解决方案的供应商VINCOTECH推出的优秀功率模块系列。该系列功率模块包含两款产品10-FY12B2A040MR-L387L68和10-FY12B2A040MR02-L387L63。

L38x系列功率模块可承受的最高电压达1200V，工作电流为30A。在25°C条件下，可以实现低至39 mΩ的额定导通电阻；在更高温度(Tj=150°C)工作时，导通电阻Rds(ON)也只有60mΩ，能够实现较高的系统效率，同时降低了系统的冷却需求。

该系列高效率功率模块采用SIC MOSFET技术，在减少系统体积和成本的同时简化了系统设计难度，缩短了研发周期。相比于传统Si MOSFET，SIC MOSFET具有以下显著优势：

1）低电阻特性，SiC具有低电阻特性，在相同电压和电流等级的MOSFET中，SiC MOSFET 的内阻要几倍小于Si MOSFET 的内阻，且SiC的模块体积小型化，有利于增加系统功率密度。

2）高速工作特性，SiC MOSFET相对于Si MOSFET具有更高频率的工作特性，使系统中的电容电感器件体积小型化，减小系统整体体积，同时也降低了生产加工成本。

3）高温工作特性，SiC MOSFET比Si MOSFET更适合应用于高温工作环境，原因在于一方面SiC MOSFET 自身损耗小，发热量小，自身温升相对较小，另一方面，SiC MOSFET 热导率高3倍于Si MOSFET。

Vincotech最新Press-Fit压合技术的采用，使得L38x系列功率集成模块PCB的装配时间和难度显著减少。该技术能够很容易的将电源模块可靠地安装在PCB板上，无需焊接，因为电源模块被机械地压入电路板。功率模块的引脚和电路板焊接引脚版本兼容，因此在相同的电路板布局时，可以使用压装模块取代标准的焊接模块。同时，该技术不会造成PCB板孔洞的损害，这将允许电路板的重复利用，大幅降低升级成本。对于高电流应用，该技术能够在80℃的温度下允许高达30A的电流通过，足以满足多数功率模块应用的需求。

寄生电感一直以来都是电力电子器件应用中需要克服的主要难题，尤其是对于高频和大功率应用场合。模块内部的寄生电感会造成关断过程中的过电压，寄生参数会造成模块开关过程中的波形震荡，从而增加了电磁干扰和关断损耗。L38x系列功率模块采用结构紧凑和低电感的设计，12mm flow1封装，减少了其关断损耗。常温25℃下，在电压700V、电流为32A其导通损耗和关断损耗的典型值分别低至0.397mWs和0.325mWs。

基于SiC MOSFET的优秀性能，L38x系列功率模块可广泛应用于开关电源设计、太阳能逆变器设计以及UPS的设计中。

L38x系列功率模块产品特性：

• 高效率升压器

• SIC MOSFET

• 旁路整流器，可降低交流干扰

• 专为太阳能应用设计

• 可提供压接引脚

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全部评论（4）

宇宙星神 Lv6. 高级专家 2018-11-14

学了
Jerry65 Lv5. 技术专家 2017-12-24

挺好的，多多学习。。。
柱子 Lv5. 技术专家 2017-12-24

东西不错
老杰克 Lv7. 资深专家 2017-11-02

好

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10-EY122PA005ME-LU39F08T	SiC功率模块	Half-Bridge-NTC	flowDUAL E2 SiC	1200	300	SiC MOSFET	flow E2	12	Al2O3

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