【产品】-80V/-0.5A通用PNP晶体管MPSA56,采用TO-92(10D3)封装,有两个光栅版本
DIOTEC(德欧泰克)致力于半导体二极管和整流器的研发生产,具备成套的专项技术。其MPSA56是-80V/-0.5A通用PNP晶体管,两个光栅版本,具有较好的阻燃特性,符合ROHS、REACH标准,是环境友好型器件,主要应用于信号处理、开关、放大等应用领域。所有通用PNP晶体管重量非常轻,仅为0.18g,采用TO-92(10D3)封装方式,便于紧凑型安装。
图1 尺寸图,单位是毫米
MPSA56的耗散功率均仅为625mW,较低。结温范围、存储温度范围均为-55℃~150℃,具有高可靠性和高稳定性,为恶劣环境下工作提供了可靠保障。
图2 电气参数图
通用PNP晶体管主要特性:
•符合ROHS、REACH标准
•重量轻:0.18g
•阻燃等级:UL 94V-0
•焊接和组装条件:260℃/10s MSL N/A
通用PNP晶体管主要应用领域:
•信号处理
•开关
•放大
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DIOTEC Bipolar Transistors选型表
DIOTEC Bipolar Transistors 双极晶体管提供以下参数选型: Collector Emitter Voltage VCEO[V]:-400~700、DC Collector Current Ic[mA]:-5000~4000、Junction Temperature Tjmax [℃]:150、Power Dissipation Ptot[W]:0.15~25、DC Current Gain hfe:20~630、DC Current Gain VCE[V]:-1~10、DC Current Gain IC[mA]:-1000~500、Collector Saturation Voltage VCEsat[mA]:0~1600、Collector Saturation Voltage IC[mA]:-100~2000、Collector Saturation Voltage IB[mA]:-150~200、Gain Bandwidth Product ft[MHz]:0~600、Gain Bandwidth Product IC[mA]:-100~500、Gain Bandwidth Product VCE[V]:-4~20、Gain Bandwidth Product f[MHz]:0~200
产品型号
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品类
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Type
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Package
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Collector Emitter Voltage VCEO[V]
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DC Collector Current Ic[mA]
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Polarity pol
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Junction Temperature Tjmax [℃]
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Power Dissipation Ptot[W]
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DC Current Gain hfe
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DC Current Gain VCE[V]
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DC Current Gain IC[mA]
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Collector Saturation Voltage VCEsat[mA]
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Collector Saturation Voltage IC[mA]
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Collector Saturation Voltage IB[mA]
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Gain Bandwidth Product ft[MHz]
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Gain Bandwidth Product IC[mA]
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Gain Bandwidth Product VCE[V]
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Gain Bandwidth Product f[MHz]
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2N2222A
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Bipolar Transistors
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Wire-lead
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TO-92
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40
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600
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NPN
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150
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0.625
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100
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10
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150
|
300
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150
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15
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250
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20
|
20
|
100
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选型表 - DIOTEC 立即选型
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电子商城
服务
测试等级:空气放电30KV±5%;接触放电30KV±5%,适用标准:GB/T 17626.2、IEC61000-4-2、ISO10605、GB/T 19951;给用户产品出电路保护设计方案建议及整改。点击预约,支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
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测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。
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