【产品】低功耗串行接口闪存TH25D-20HA，2.3V～3.6V单电源，适用于高容量消费类应用

时间： 2022-11-30 来源：紫光青藤

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TH25D-20HA是一款串行接口闪存设备，用于各种高容量消费类应用。其中程序代码从闪存隐藏到嵌入式或外部RAM中以供执行。该设备的灵活擦除架构及其页面擦除粒度也是数据存储的理想选择，无需额外的数据存储设备。

该设备的擦除块大小已经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求。通过优化擦除块的大小，可以更有效地使用存储器空间。由于某些代码模块和数据存储段必须单独驻留在它们自己的擦除区域中，因此可以大大减少大扇区和大块擦除闪存设备所浪费和未使用的内存空间。增加的存储器空间效率允许添加额外的代码例程和数据存储段，同时保持相同的总体设备密度。

该设备还包含额外的3x512字节安全寄存器，带OTP锁（一次性可编程），可用于唯一器件序列化、系统级电子序列号（ESN）存储、锁定密钥存储等。

该设备专门设计用于许多不同的系统，支持2.3V至3.6V宽电源电压范围内的读取、编程和擦除操作。编程和擦除不需要单独的电压。

1.1 基本概况

· 2.3V～3.6V单电源

2.3V～3.6V用于读取、擦除和编程操作

· 工业温度范围-40℃至85℃

· 串行外围接口（SPI）兼容：

模式0和模式3

· 单IO和双IO模式

2M x 1位

1M x 2位

· 代码和数据存储的灵活架构

统一256字节，页编程

统一256字节，页面擦除

统一4K字节，扇区擦除

统一32K/64K字节，块擦除

全芯片擦除

1.2 性能

· 快速读取

2个I/O，100MHz，4个虚拟周期，相当于200M

1个I/O，100MHz，8个虚拟周期

· 快速编程和擦除速度

1.3ms，页编程时间

10ms，页面擦除时间

10ms，4K字节扇区擦除时间

10ms，32K字节块擦除时间

10ms，64K字节块擦除时间

· 超低功耗

0.1μA，深度断电电流

10μA，待机电流

1.0mA，33MHz状态下有效读取电流

1.8mA，有效编程或擦除电流

· 高稳定性

100,000编程/擦除周期

20年数据保留

1.3 软件特性

· 一次性可编程（OTP）安全寄存器

-3x512字节安全寄存器，带OTP锁

· 软件保护模式

-块保护位（BP4、BP3、BP2、BP1和BP0）界定了存储器阵列部分可读取但不可更改。

· 每个器件有唯一的128位ID

· 编程/擦除暂停和编程/擦除恢复

· JEDEC标准制造商和设备ID读取方法

1.4 硬件特性

硬件保护模式：通过WP引脚硬件控制受保护扇区的锁定

行业标准绿色封装选项：

8引脚（pin）SOP封装（150mil／208mil）

8引脚（land）USON封装（2x3mm）

8引脚（land）WSON封装（6x5mm）

8引脚（pin）TSSOP封装

WLCSP封装

用于系统级封装（SiP）的已知合格芯片（KGD）

2.1. 引脚定义

引脚布局

引脚说明

2.2. 框图

2.3 存储地址映射

存储器阵列可以在三个粒度级别中被擦除，包括全芯片擦除。擦除块的大小针对代码和数据存储应用进行了优化，允许代码和数据段驻留在它们自己的擦除区域中。

TH25D-20HA存储结构

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全部评论（1）

zwjiang Lv9. 科学家 2024-03-13

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TH25Q-16HB-MSAI	SPI NOR FLASH	16Mb	85MHZ	2.7V-3.6V	-40℃~85℃	Single/Dual/Quad