【选型】ROHM的SCS312AHG与IDH12G65C5 SIC二极管参数性能对比分析
规格为650V/12A的碳化硅肖特基二极管，主要应用电源回路的BOOST（图1）架构的电路。采用碳化硅肖特基二极管主要是基于高频开关应用特性和极快的反向恢复时间，减低二极管的恢复损耗。
图1：BOOST电路图
基于市场需求的变化和SIC二极管产品的交期加长等因素变化，本文就二者参数性能进行对比分析：
图2：SCS312AHG的封装和规格信息
器件主要参数：
参数对比：
标称650V/12A的SIC 肖特基二极管，在导通压降VF上，ROHM的SCS312AHG比IDH12G65C5各项指标均要低。例如VF@12A（150℃）typ条件下，SCS312AHG（1.44V）比IDH12G65C5（1.80V）低0.36V，满电流相当于减少了12A*0.36V=4.32W的损耗。
因反向漏电流越大，在高压下的反向损耗就越高。SCS312AHG的IR值要远远低于IDH12G65C5的，在反向高压下，SCS312AHG的反向损耗更低。
SCS312AHG和 IDH12G65C5的IFSM和Tj参数基本一致。
结电容C主要与高频特性有关，结电容越小适用的频率越高，参数上SCS312AHG的比IDH12G65C5大228pF。但两者但均是pF级别的结电容，均远远满足工业市场现今常用的频率400KHz以内开关频率的应用。
综上，ROHM的SCS312AHG导通压降更低，反向漏电流也极小。
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