【产品】双沟道增强型功率MOSFET RM6602，栅源电压10V时导通电阻小于58mΩ

时间： 2019-11-14 来源：丽正国际

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RM6602是丽正国际推出的一款采用TSOT23-6L封装的双沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，栅极电荷低，导通电阻小，结至环境的典型热阻值为104 ℃/W。该MOSFET适用于电源保护或其他开关应用。

产品特性

•N沟道

V_DS =30V,I_D =3.5A

R_DS(ON) < 58mΩ @ V_GS=10V

R_DS(ON) < 95mΩ @ V_GS=4.5V

•P沟道

V_DS =-30V,ID =-2.7A

RDS(ON) < 100mΩ @ V_GS=-10V

R_DS(ON)< 150mΩ @ V_GS=-4.5V

•低导通电阻

•低输入电容

•快开关速度

•低输入/输出漏电流

•无卤素

绝对最大额定值特性:

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乔峰 Lv7. 资深专家 2019-11-15

学习
Arvin.Wang Lv8. 研究员 2019-11-15

学习

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