【选型】国产N沟道MOSFET YJD80G06A可Pin-Pin替代MCC的MCU80N06A，交期更优
某客户在智能门锁电机驱动电路中选用了MCC公司的N沟道MOSFET MCU80N06A，不过因供货周期和价格压力，该客户需要选择一款低成本、供货交期好的替代产品，本文重点推荐扬杰科技的YJD80G06A可Pin-Pin替代MCU80N06A，典型电性参数对比参考如下图1所示。
图1 YJD80G06A与MCU80N06A典型电性参数对照表
通过如上图示易知：
1、YJD80G06A和MCU80N06A的电性能参数几乎完全一致，可以替换。
2、虽然二者封装命名不同，但尺寸一致，典型内部结构和引脚定义参考如下图2所示。
图2 YJD80G06A与MCU80N06A内部结构及引脚定义
通过如上图示易知：
二者内部功能及引脚定义完全一致，可实现兼容设计，无需更改任何外部电路。
另外，扬杰科技的MOS管YJD80G06A具有更低的成本和更好的供货交期，可快速支持样品和后续量产服务，有需要的客户可以直接到世强电商平台咨询。
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产品型号
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品类
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Package
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Configuration
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Type
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ESD
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VDS(V)
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Vgs Max(V)
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ID at 25℃(A)Max.
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VGS(th)(V)-Typ.
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Rds(on)Vgs=10V
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Rds(on)Vgs=10V,(mΩ)Max.
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Rds(on) Vgs=4.5V,(mΩ)Typ.
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Rds(on)Vgs=4.5V,(mΩ)Max.
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Ciss (pF)Typ.
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Coss (pF)Typ.
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Crss (pF)Typ.
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WMB70P02TS
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Trench P Channel Power MOSFET
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PDFN5*6-8L
|
Single
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P
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NO
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-20
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±12
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-70
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-0.65
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3.1
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4.1
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3.5
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4.8
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4599
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668
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577
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产品型号
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品类
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Description
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Package
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BVDSS（V）
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RDS(on) (Ω) @VGS=10V(max.)
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ID (A) @TA=25℃
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VGS (V)
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VGS(th) (V) (Typ.)
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WMO3N25D1
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N沟道功率MOSFET
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N-Channel VDMOS D1
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TO-252
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250
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2.1
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3
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30
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1.5
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