【产品】厉害了Word晶体管!功耗低至30W!
—— 一款专为中功率放大器和开关应用而设计的PNP型功率晶体管
中央半导体公司(Central Semiconductor Corp)推出了一款硅PNP型外部基极功率晶体管2N4918,该器件是专为中功率放大器和开关应用而设计的高性能晶体管。
图1:2N4918采用的TO-126封装
2N4918采用了适用于中功率管的TO-126封装,并且带散热片安装孔。该器件的适宜工作温度范围为-65至+150℃之间,符合汽车、工业级应用对温度的要求,因此2N4918在一些对环境要求苛刻的应用下也能够持久耐用。
作为一款额定电流为1A、额定电压为40V的晶体管,2N4918的峰值集电极电流最高可达3A,可满足电路设计中对大电流的需求。此外,相比于同类型的三级管,该晶体管在工作状态下产生的结壳热阻更小,仅为3.2℃/W;在室温条件下(T=25℃),其最大功率损耗仅为30W,超低功耗能够更好的满足用户设计器件时对功耗的要求。
PNP型晶体管2N4918的特性:
• 集电极-基极电压: VCBO=40V
• 集电极-发射极电压: VCEO=40V
• 发射极-基极电压:VEBO=5V
• 集电极电流(连续):IC=1A
• 集电极电流(峰值):ICM=3A
• 基极电流:IB=1A
• 工作和存储结温:-65至+150℃
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