【经验】R-Car E3 flashwriter烧写mot文件解析
R CAR E3新制作的板子，第一次烧录调试，DDR3出现出错的问题，比如运行ramck 410000000 @c000出现错误，我们可以通过代码中确认mot文件下载获取的数据与load到内存后的数据是否一致，来确认DDR3的数据是否通过写内存出错了来确认是硬件的问题。
在 flashwriter代码中，我们进入EM_W命令，跟踪代码，scif下载mot文件，以及load到DDR的函数为dg_emmc_mot_load(&workAdd_Max ,&workAdd_Min, prgStartAdd);
.
.
.
.
mmcPrgStartAdd = sectorStartAddress<<9;为emmc的扇区数*512,对应烧录到EMMC的地址；
FillData32Bit((uint32_t *)Load_workStartAdd,(uint32_t *)Load_workEndAdd,0x00000000);
Load_workStartAdd为#define EMMC_WORK_DRAM_SADD 0x50000000U，即mot文件load到0x50000000U地址；
prgStartAdd为ot文件的运行内存地址；
dg_emmc_mot_load函数为最终的scif下载以及写入内存0x50000000U实现，数据写入ddr如下：
红圈中为获取mot文件每一行的数据量，即除了S3,以及对应的数量字段后的数据，如下第二行中S315中的15的意思为本行的实际数据为21葛字节包含 运行内存地址(4byte)+ 实际mot执行数据(16字节) + sumCheckByteCount(最后1个字节)，总共21个字节：
然后获取运行内存地址，此处为4个字节，例如44000000;通过计算获取到的loadGetAddress为0x50000000U；
这里的含义为获取除去4字节运行内存地址后的数据量即21-4=17字节；
然后最重要的一步就是一字节一字节获取实际的固件数据，每一行这里的例子为16字节：
此处通过scif下载获取mot数据，然后赋值给*((uint8_t *)loadGetAddress) = loadGetData;我们可以在此处来对比scif的数据和内存中读出来的数据，如果都一致，说明DDR没有问题，如果有出现错误就可以判断DDR不稳定，出错了；
最后是最后一个字节的校验数据：
由于我们并不知道这个mot文件校验算法，所以也就无法通过校验字节来验证数据的完整性了。
我们可以看到mot文件的每一行都是以16进制的0D,0A结尾的，与代码中的CR_CODE,LF_CODE是一致的。
通过以上R-Car E3 flashwriter烧写mot文件下载load过程解析，我们就可以从软件最底层来验证DDR出错，从而去排查DDR信号质量以及硬件电路的问题了。
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产品型号
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品类
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封装/外壳/尺寸
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Power (V)
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Grade certification standard
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competitor
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External High Speed OSC(MHz)
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External Low Speed OSC(KHz)
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Operating Temperature(℃)
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Maximum Frequency(MHz)
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SRAM（Kbyte）
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SW31100
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32位通用MCU
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LQFP 64
(10*10, 0.5pitch)
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3.9 to 5.5V
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IEC 60730 supported
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Toshiba
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10MHz
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32.768kHz
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-40℃ ~ 85℃
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35MHZ
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12 Kbyte
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选型表 - LX Semicon 立即选型
RENESAS RH850车规32位 MCU选型表
RENESAS RH850车规32位 MCU，闪存容量：256KB~16MB，RAM：32KB~3.6MB，数据闪存：32KB~576MB。
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产品型号
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品类
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闪存容量（KB、MB）
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RAM（KB、MB）
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数据闪存（KB）
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内核
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I/O端口数
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CSI/UART/LIN
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CAN/CAN-FD
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I²C
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其他接口
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定时器通道（8/16/32位）
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PWM输出
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时钟频率（MHz）
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内部振荡器
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A/D转换器或D/A转换器
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电源电压(I/O)（V）
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引脚数
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封装
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最高工作温度（°C）
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Application category
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温度/质量等级
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连接材料
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R7F7010023AFD#BA4
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车规32bit MCU
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512K
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64K
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32K
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单RH850核(最大96MHz)
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81
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5/4/7
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6/-
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1
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-
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-/32/9
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48
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80
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240KHz，8MHz
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36x10位&12位/-
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3.0-5.5
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100
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100LQFP
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105，125
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Automotive
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-40℃~105℃
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无: 金线bonding
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