【选型】SiC FET可替代传统功率mos用于LLC谐振变换器，耐压高达1200V，导通电阻最小低于7mΩ
在逆变应用领域中，LLC谐振变换器以其高效率、低EMI噪声、易于实现小负载做满负载的ZVS变换，被大多数产品广泛采用。但随着功率密度和开关频率的提升，功率mos（超级结MOS和cool mos）已经很难满足现有需求。如图1是LLC谐振变换器的典型电路图，以20KW功率的LLC谐振变换器为例，开关频率要求100K以上，由于母线电压为450-600V，原边电流最大在45A左右。根据以上要求，一般会选择超级结MOS和cool mos，而SiC MOS因为其成本问题，同时驱动不能直接兼容Si MOS，因此仅能在一些要求相对较高的新项目上可以应用。但随着输入电压的升高，传统的Si MOS在耐压和电流上不能满足需求，针对这一问题，本文推荐UnitedSiC品牌的的SiC FET产品。
图1 LLC谐振变换器的典型电路图
UnitedSIC的SiC FET产品优势如下：
1、SiC FET驱动电压为±25V，驱动电路直接兼容传统Si MOS驱动，无需更改，同时封装上也覆盖了目前市场主流封装，包括TO-247-3L/4L，TO-220-3L和D2PAK等，做到了功率器件的“真正替代”；
2、SiC FET耐压高、导通电阻低，这样就可以确保在高频100KHz工作时，开关损耗能做到很低。UnitedSiC产品中，650V器件的导通电阻做到了低于7mΩ，1200V器件的导通电阻则低于9mΩ，传统的分立Si MOS最高耐压在900V左右，以20KW输入750VDC的LLC谐振变换为例，采用传统Si MOS器件很难满足要求，推荐采用UnitedSiC的35mΩ/1200V器件即可满足需求；
3、SiC FET集成门极ESD防护，HBM达到等级2标准，批量使用可靠性高；
4、SiC FET具有SiC MOS的所有常规优点，包括高临界击穿电压，高工作结温和高导热率，但成本相对SiC MOS有优势；
综上所述，UnitedSIC的SiC FET，无论从电气参数，还是从性价比上参考，都可以做到“真正替代”LLC谐振变换器的功率MOS，同时性能更优。
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