【产品】容量、速度吊炸天的DDR3L存储器 可实现高速存取
——4Gb容量，数据率高达1600Mbps/pin,供电电压1.35V
AS4C256M16D3L是ALLIANCE Memory推出的第三代低电压版双倍数据率（DDR3L）同步动态随机存储器，容量高达4Gb，数据位宽为16bit，内部可划分为8个bank。该存储器采用+1.35V供电，可有效降低芯片功耗，同时也可兼容+1.5V供电，保证了对现有系统的兼容性。
AS4C256M16D3L可实现高速存取。该款DDR3L存储器的最高时钟频率为800MHz，采用双倍数据率架构，在时钟上升沿和下降沿均可实现数据锁存，因此最高数据率可达1600Mbps/pin。同时AS4C256M16D3L符合JEDEC时钟抖动要求，确保了数据传输过程的可靠性。AS4C256M16D3L将预缓存区大小从DDR2的4n提升到8n，大幅提升了数据存取的效率。此外，AS4C256M16D3L采用Fly-by拓扑结构有效降低了容性负载，可实现更高数据率传输。此外， AS4C256M16D3L支持ZQ校准和动态ODT以及输出驱动阻抗控制，可在运行过程中定期对终端电阻和输出驱动器进行校准，补偿运行过程中温度变化和电压漂移造成的信号波动，使信号完整性表现更佳，保证传输速度。
AS4C256M16D3L采用96锡球的FBGA封装，尺寸9mm x 13mm x 1.0 mm（12BCN和12BIN版本为1.2mm厚度），符合JEDEC标准要求，并且汽车版满足AEC-Q100标准要求。该款DDR3L存储器适用于需要高存储带宽的场景，如高性能PC设备、高清视频解码器、数据采集器等。
AS4C256M16D3L的特点：
• 容量4Gb（32Mbit x 16I/Os x 8 bank）
• 最高时钟频率800MHz
• 单引脚最高数据率1600Mbps
• 符合JEDEC时钟抖动要求
• 采用8n-bit预存取架构
• 支持Fly-by拓扑结构，支持写入均衡
• 支持ZQ校准
• 动态ODT
• 支持输出驱动阻抗控制
• 供电电压+1.35V，兼容+1.5V供电
• 符合JEDEC标准
• 符合AEC-Q100标准（-12BAN）
• 采用96球FBGA封装，尺寸9mm x 13mm x 1.0 mm(12BCN和12BIN版本为1.2mm厚度)
• 工作温度范围：0℃~+95℃（-12BCN）或-40℃~+95℃（-12BIN）或-40℃~+105℃（-12BAN）
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游来游去 Lv8. 研究员 2018-07-22学习 -
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Cccccyn Lv3. 高级工程师 2018-07-12学习 -
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Chase Lv7. 资深专家 2018-06-01学习
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